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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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6.3.5.4 其他方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表...
2022-01-18 標簽:SiC 937 0
為改善過去采用硅(Si)材料開發的功率元件無法耐高溫環境、低承受電壓值等缺陷,飛兆半導體(Fairchild)已改用碳化硅(SiC)材料量產雙極接面電...
意法半導體近日公布了2023年第四季度和全年財報,展現出強勁的業績表現。根據財報,意法半導體在2023年全年凈營收達到了172.9億美元的新高,同比增長...
據悉,紅旗M190/M220雙電機項目主要依托于強大的高壓平臺、高效的SiC功率模塊以及4臺扁線電機扭矩矢量電驅系統進行研發。其中,M190電機采用了高...
Microchip高效雙通道數字柵極驅動器讓SiC器件優勢盡顯
隨著對電動汽車以及各種電氣化的需求增加,加之人們對于更低碳排放目標的追求,使得碳化硅 (SiC) 等第三代寬禁帶半導體電源管理器件的研發和應用日趨火熱。...
7.3 pn與pin結型二極管∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
7.3pn與pin結型二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.2肖特基勢磊二極管(SBD)∈《...
2022-02-10 標簽:SiC 927 0
近日,安徽芯塔電子科技有限公司董事長兼總經理倪煒江一行到訪南京博蘭得電子科技有限公司,與博蘭得董事長徐明博士進行深入交流。
6.3.5.3 界面氮化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表...
2022-01-17 標簽:SiC 923 0
英飛凌發布新款CoolSiC 2000V SiC MOSFET
英飛凌科技股份公司近日發布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產品采用了先進的TO-247PLUS-4-HCC封裝,規格...
6.3.1 氧化速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.2.3濕法腐蝕∈《...
2022-01-04 標簽:SiC 920 0
3月5日,據“樂山發布”消息,四川樂山高新區希爾電子功率半導體新項目廠房預計在今年下半年逐步投用,屆時企業將新增4個品類的生產線,全部投用后可實現年銷售...
近日,北京青禾晶元半導體科技有限責任公司(以下簡稱“青禾晶元”)宣布成功完成新一輪融資,融資總額超過3億元人民幣。此輪融資由深創投、遠致星火、芯朋微等知...
來源:羅姆半導體社區? 近年來,全球對電力的需求逐年增長。伴隨著化學燃料的枯竭和CO2排放量增多引發的全球變暖現象,人們對能源問題和地球環境問題的擔憂日...
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