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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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衍梓裝備擁有業界最好的研究開發組。核心技術團隊來自國際知名的idm, foundry,設備和材料等大工廠,包括零部件,制作工程,材料,設備及模擬等領域,...
Yole 化合物半導體與新興材料技術與市場分析師 Poshun Chiu評論道:“SiC 被認為是提供良好效率的推動因素,1200V 器件的供應是可行的...
Wolfspeed SpeedFit 2.0 Design Simulator 是一款快速且實用的仿真工具,可快速比較不同的系統規格、拓撲、器件甚至熱參...
綜合中汽協與EVvolumes.com的數據,新能源汽車行業展現出強勁的增長動力。我國在2021年、2022年和2023年的新能源汽車銷量分別達到了3...
Cree Wolfspeed攜手泰克,共迎寬禁帶半導體器件發展契機與挑戰
Cree Wolfspeed與泰克共同應對寬禁帶半導體器件的挑戰,共同促進寬禁帶半導體行業的發展。
6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅動器評估板(配SiC MOSFET)
新品6.5A,2300V單通道隔離式柵極驅動器評估板(配SiCMOSFET)EVAL-1ED3142MX12F-SIC采用半橋電路,用兩個柵極驅動IC1...
6.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第6章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往...
2022-01-26 標簽:SiC 979 0
新質生產力賦能高質量發展,青禾晶元突破8英寸SiC鍵合襯底制備!
4月11日,青禾晶元官方宣布,公司近日通過技術創新,在SiC鍵合襯底的研發上取得重要進展,在國內率先成功制備了8英寸SiC鍵合襯底。
增強型M1H CoolSiC MOSFET的技術解析及可靠性考量
碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統硅,如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠家需要面對的首要問題,英飛凌作為業界為數不多的采用溝槽柵做SiCMO...
近日,重慶三安意法8英寸碳化硅(SiC)襯底廠正式投產,標志著這一高科技項目比預期提前兩個月進入生產階段,為中國電動汽車產業供應鏈注入了強勁動力。該項目...
當前,全球主要國家和地區都已經宣布了“碳達峰”的時間表。在具體實現的過程中,軌道交通將是一個重要領域。由于用能方式近乎100%為電能,且帶動大量基礎設施...
美高森美全新650V碳化硅肖特基解決方案 提升大功率應用的系統性能
致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達克交易所代號:M...
據悉,RS6 E-tron除了以Avant 旅行車回歸之外, 還將以轎車形式重新上市。均將搭載奧迪和保時捷共同開發的PPE平臺,該平臺的逆變器采用了碳化...
納芯微推出首款1200V SiC MOSFET NPC060N120A系列
納芯微近期發布了其首款1200V SiC MOSFET產品——NPC060N120A系列,該系列產品的RDSon值低至60mΩ,展現了出色的性能。這款M...
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