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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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大尺寸SiC單晶的研究進展

在新能源產業強勁需求下，全球SiC產業步入高速成長期，推升了對SiC襯底產能的需求。

2023-12-19 標簽：半導體晶圓 SiC 917 0

5.2.3 擴展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5....

2022-01-06 標簽：SiC 916 0

羅姆宣布收購，再建SiC工廠

2023年7月12日，羅姆宣布將收購原Solar Frontier國富工廠（宮崎縣國富町），以擴大SiC（碳化硅）功率半導體的產能。

2023-07-13 標簽：太陽能電池 SiC 功率半導體 916 0

意法半導體(ST)在意大利打造世界首個一站式碳化硅產業園

??ST將在意大利卡塔尼亞新建8英寸碳化硅功率器件和模塊大規模制造及封測綜合基地。 ??這項多年長期投資計劃預計投資總額達50億歐元，包括意大利政府按照...

2024-06-06 標簽：ST 意法半導體功率器件 916 0

硅碳化物和氮化鎵的晶體結構

相比之下，氮化鎵在自然中以閃鋅礦（一種鋅和鐵的硫化物）的形式存在，在這種分布稀少的情況下，提純生產極其困難。與SiC相比，氮化鎵在射頻電子學中表現最佳，...

2024-03-01 標簽：SiC GaN 晶體結構 915 0

打破SiC難點！這家企業實現國產化突圍

WAT 測試是半導體測試中對量測精度要求最高的，對各種測試測量儀表提出了較高的要求。WAT參數測試系統中的核心測量模塊主要是為測試結構提供激勵源和測量各種參數

2023-11-08 標簽：模塊 SiC 晶圓制造 915 0

滿足AEC-Q101標準的SiC MOSFET又增10個型號，業界豐富的產品陣容！

ROHM面向xEV車載充電器和DC/DC轉換器，又推出10款SCT3xxxxxHR系列的SiC MOSFET，該系列產品“支持汽車電子產品可靠性標準AE...

2023-02-09 標簽：MOSFET SiC 汽車 913 0

SiC 和 GaN：兩種半導體的發展

在元件層面，硅 IGBT 比 SiC 同類產品便宜得多，并且不會很快從電力應用中消失。但一級制造商和原始設備制造商表示，將高功率密度碳化硅應用到逆變器設...

2023-10-08 標簽：SiC 氮化鎵 GaN 913 0

三菱電機發布新型低電流SiC-MOSFET模塊

三菱電機集團近日宣布推出兩款新型低電流版本的肖特基勢壘二極管（SBD）嵌入式SiC-MOSFET模塊，以滿足大型工業設備市場對高性能逆變器日益增長的需求...

2024-06-12 標簽：MOSFET 三菱電機 SiC 912 0

SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性

作者簡介作者：FriedrichsPeter翻譯：趙佳碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個關鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應...

2023-04-13 標簽：MOSFET SiC 912 0

三菱電機與Coherent達成合作，擴大生產200mm SiC功率器件

三菱電機和材料、網絡和激光領域的開拓者Coherent近日（2023年5月26日）宣布，雙方已簽署一份諒解備忘錄，將在擴大生產200mm SiC功率器件...

2023-06-02 標簽：三菱電機功率器件 SiC 910 0

平創半導體與CISSOID共建高功率密度和高溫應用中心

來源：CISSOID公司比利時蒙-圣吉貝爾和中國重慶 – 2022年10月17日 –提供基于碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的耐高溫、長壽命、高效率...

2022-10-18 標簽：半導體 SiC 高功率密度 910 0

寬禁帶半導體技術的前沿發展有哪些

逆變器是將直流電轉換為交流電的電源電路。在應用設備中，為了實現節能，對小型、輕量、高效的逆變器的需求不斷增加。為了實現逆變器的高速運行，已經提出使用寬帶...

2024-01-03 標簽：MOSFET 逆變器 SiC 909 0

碳化硅SiC在高溫環境下的表現

碳化硅（SiC）在高溫環境下的表現非常出色，這得益于其獨特的物理和化學性質。以下是對碳化硅在高溫環境下表現的分析：一、高溫穩定性碳化硅具有極高的熔點...

2024-11-25 標簽：半導體材料 SiC 碳化硅 905 0

昕感科技推出超低導通電阻的SiC MOSFET器件

近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻...

2024-01-04 標簽：MOSFET 導通電阻 SiC 903 0

SiC三極管與SiC二極管的區別

SiC三極管與SiC二極管的區別? SiC三極管與SiC二極管是兩種使用碳化硅（SiC）材料制造的電子元件，它們在結構、特性和應用領域等方面存在一些明顯...

2023-12-21 標簽：三極管二極管晶體管 901 0

6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件...

2022-01-10 標簽：SiC 900 0

使用 WBG 半導體進行設計需要一些額外的專業知識

電磁干擾、并聯、布局都是工程師懂的東西，但是從硅基芯片過渡到碳化硅或寬帶隙器件時，就需要多注意這些問題了

2022-08-18 標簽：半導體 SiC GaN 900 0

功率半導體，成長驚人！

在功率半導體市場，自2021年第二季度以來，器件制造商的積壓訂單有所增加。因此，2021年全球市場規模將達到223.7億美元，同比增長20.1%。預計 ...

2023-06-02 標簽：晶體管 SiC 功率半導體 900 0

ITECH發布交流電源、交流負載新升級產品

今日，ITECH宣布IT7800系列大功率可編程交流電源、IT7900系列回饋式電網模擬器、IT7900P系列高性能回饋式電網模擬器和IT8200 系列...

2023-10-28 標簽：負載 SiC 交流電源 898 0

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