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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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7.1.1 阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
7.1.1阻斷電壓7.1SiC功率開關器件簡介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:6.5總結∈《碳化...
2022-02-07 標簽:SiC 866 0
吉利旗下晶能微電子并購益中封裝,李書?!凹哟a”自主功率半導體?
據晶能消息,益中封裝業務已穩定運行10年,主要生產單一管道先進密封包裝,年生產能力3.6億支,近5年持續盈利。收購完成后,硅產品設計涵蓋了外殼模塊、塑料...
與現在的Si功率半導體相比,SiC及GaN等新一代功率半導體有望利用逆變器和變流器等大幅提高效率并減小尺寸。2013年采用SiC功率元件和GaN功率元...
SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關,其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。
瞻芯電子第三代1200V 13.5mΩ SiC MOSFET通過車規級可靠性測試認證
近日,上海瞻芯電子科技股份有限公司(簡稱“瞻芯電子”)基于第三代工藝平臺開發的1200V 13.5mΩ SiC MOSFET產品(IV3Q12013T4...
長電科技在功率器件封裝領域積累了數十年的技術經驗,具備全面的功率產品封裝外形,覆蓋IGBT、SiC、GaN等熱門產品的封裝和測試。
盡管SiC制造過程中的多數設備與常規硅類通用,但因其具備高硬度特性,需要專屬設備支持,包括高級別的高溫離子注入機、強效的碳膜濺射儀以及大規模的高溫退火爐...
CEO進一步指出,產品樣品制造的完成鞏固了 Odyssey 作為功率應用垂直 GaN 技術領導者的地位。它需要我們的重要知識產權來制造適用于客戶用例的產品。
7.3.1 大注入與雙極擴散方程∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》
7.3.1大注入與雙極擴散方程7.3pn與pin結型二極管第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容:7.3...
2022-02-11 標簽:SiC 850 0
2021年全球半導體設備零部件市場規模約為513億美元;根據SEMI關于全球半導體設備市場規模的預測,全球半導體設備零部件市場規模將在2022-2024...
上海瞻芯電子科技有限公司(以下簡稱“瞻芯電子”)宣布完成數億元Pre-B輪融資,本輪融資由上汽集團戰略直投基金、尚頎資本(上汽集團旗下私募股權投資平臺)...
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