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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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功率電子學(xué)在現(xiàn)代科技領(lǐng)域扮演著舉足輕重的角色，尤其是在可再生能源和電動(dòng)交通領(lǐng)域。為了滿足日益增長(zhǎng)的高效率、小巧緊湊組件的需求，我們需充分認(rèn)識(shí)并保證寬禁帶...

2024-06-07 標(biāo)簽：SiC GaN 寬禁帶半導(dǎo)體 815 0

至信微電子的創(chuàng)新突破與未來規(guī)劃展望

至信微電子作為該區(qū)代表性企業(yè)之一，特派副總經(jīng)理王仁震參加推介會(huì)，介紹了公司在半導(dǎo)體和集成電路領(lǐng)域的創(chuàng)新成就以及未來戰(zhàn)略。會(huì)議期間，王仁震分享了至信微電子...

2024-04-01 標(biāo)簽：制造業(yè)SiC 智能傳感器 814 0

深度 | GaN還是SiC，電氣工程師該如何選擇？

/編輯推薦/氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導(dǎo)體，相比于傳統(tǒng)的硅材料功率半導(dǎo)體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導(dǎo)通電阻小，寄...

2024-12-11 標(biāo)簽：半導(dǎo)體開關(guān)電源 SiC 814 0

SiC功率器件的新發(fā)展和挑戰(zhàn)！

碳化硅（SiC）被認(rèn)為是未來功率器件的革命性半導(dǎo)體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關(guān)技術(shù)，特別是在高溫或高電場(chǎng)的惡劣環(huán)境中。本章將討論Si...

2022-11-04 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 812 0

碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）應(yīng)用 | 氮化硼高導(dǎo)熱絕緣片

SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)。由于使用的生產(chǎn)工藝，WBG設(shè)備顯示出以下優(yōu)點(diǎn)：1.寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）在帶隙和...

2024-09-16 標(biāo)簽：SiC 氮化鎵 GaN 812 0

國(guó)星光電的1200V/80mΩSiC-MOSFET器件成功獲得AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證

繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規(guī)級(jí)認(rèn)證后

2023-10-25 標(biāo)簽：MOSFET 肖特基二極管 SiC 811 0

8.1.6 功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

8.1.6功率JFET器件的實(shí)現(xiàn)8.1結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管(JFET)第８章單極型功率開關(guān)器件《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：8....

2022-02-21 標(biāo)簽：SiC 810 0

瑞能半導(dǎo)體全球首座模塊工廠在上海灣區(qū)高新區(qū)正式投入運(yùn)營(yíng)

7月25日，瑞能微恩半導(dǎo)體暨瑞能金山模塊廠開業(yè)典禮在上海灣區(qū)高新區(qū)隆重舉行，標(biāo)志著瑞能全球首座模塊工廠正式投入運(yùn)營(yíng)，將主要生產(chǎn)應(yīng)用于消費(fèi)、通訊、新能源以...

2023-07-27 標(biāo)簽：封裝 SiC 瑞能半導(dǎo)體 809 0

央企引領(lǐng)芯片創(chuàng)新，萬年芯助力重點(diǎn)領(lǐng)域突破

在當(dāng)今科技飛速發(fā)展的時(shí)代，芯片等高新科技領(lǐng)域的創(chuàng)新成為了國(guó)家經(jīng)濟(jì)發(fā)展的核心動(dòng)力。近日，國(guó)務(wù)院國(guó)資委、國(guó)家發(fā)改委發(fā)布《關(guān)于規(guī)范中央企業(yè)采購(gòu)管理工作的指導(dǎo)意...

2024-08-14 標(biāo)簽：SiC 功率模塊 IPM 808 0

Nexperia與京瓷AVX合作為高頻電源應(yīng)用生產(chǎn)新型碳化硅(SiC)整流器模塊

2023-11-02 標(biāo)簽：電源整流器 SiC 807 0

富士電機(jī)將投2000億日元提高功率半導(dǎo)體產(chǎn)能

據(jù)日經(jīng)新聞消息，日本富士電機(jī)(Fuji Electric)將在2024～2026年度的3年內(nèi)向半導(dǎo)體領(lǐng)域投資2000億日元（折合人民幣約100億元）規(guī)模。

2023-12-29 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體純電動(dòng)汽車 806 0

碳化硅是新能源汽車800V高壓快充標(biāo)配？

根據(jù) Yole 數(shù)據(jù)，2021 年 SiC 市場(chǎng)份額前五廠家均為歐美日企業(yè)，合計(jì)占據(jù) 93%的市場(chǎng)份額，其中意法半導(dǎo)體依靠與特斯拉的合作占據(jù)全球 4...

2023-12-22 標(biāo)簽：新能源汽車 IGBT SiC 806 0

士蘭微擬募資65億元提升12英寸芯片、SiC功率器件等產(chǎn)能

大半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)消息，士蘭微3月1日披露了其A股股票募集說明書，士蘭微本次向特定對(duì)象發(fā)行A股股票募集資金總額不超過65億元（含本數(shù)），扣除發(fā)行費(fèi)用后的募集...

2023-03-14 標(biāo)簽：芯片功率器件 SiC 802 0

三菱電機(jī)推出兩款新型SBD嵌入式SiC-MOSFET模塊

三菱電機(jī)集團(tuán)近日宣布，從6月10日起開始為包括鐵路和電力系統(tǒng)在內(nèi)的大型工業(yè)設(shè)備提供低電流版本3.3kV/400A和3.3kV/200A肖特基勢(shì)壘二極管（...

2024-06-12 標(biāo)簽：MOSFET 三菱電機(jī)SiC 802 0

三菱電機(jī)將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導(dǎo)體

雖然是同一電力半導(dǎo)體公司，但是三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的另一個(gè)焦點(diǎn)、電子電力半導(dǎo)體為中心的“各離散元件的組合”，高性能sic模塊產(chǎn)品的信賴性的性能提供業(yè)界名...

2023-11-24 標(biāo)簽：三菱電機(jī)SiC 安世半導(dǎo)體 802 0

納微半導(dǎo)體GeneSiC? 3.3kV SiC MOSFETs獲年度優(yōu)秀產(chǎn)品獎(jiǎng)

12月13-14日，由行家說三代半主辦的2023碳化硅&氮化鎵產(chǎn)業(yè)高峰論壇暨極光獎(jiǎng)?lì)C獎(jiǎng)典禮于深圳國(guó)際會(huì)展中心皇冠假日酒店隆重舉辦，

2023-12-15 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 802 0

三菱電機(jī)提供SiC功率半導(dǎo)體模塊樣

三菱電機(jī)株式會(huì)社定于7月31日開始，依次提供5個(gè)品種的SiC功率半導(dǎo)體模塊，以滿足家電產(chǎn)品與工業(yè)設(shè)備對(duì)應(yīng)用SiC材料的新一代SBD和MOSFET等功率半...

2012-07-25 標(biāo)簽：三菱電機(jī)SiC 功率半導(dǎo)體 797 0

晶能首款SiC半橋模塊試制成功

該模塊電氣設(shè)計(jì)優(yōu)異，寄生電感5nH；采用雙面銀燒結(jié)與銅線鍵合工藝，配合環(huán)氧樹脂轉(zhuǎn)模塑封工藝，持續(xù)工作結(jié)溫達(dá)175℃，在800V電池系統(tǒng)中輸出電流有效值高...

2023-09-18 標(biāo)簽：pcb SiC 光刻膠 797 0

東芝推出具有低導(dǎo)通電阻的新款功率器件

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社(“東芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系...

2022-09-01 標(biāo)簽：MOSFET 東芝功率器件 796 0

安森美2023年在工業(yè)領(lǐng)域的成就

前不久，我們分享了安森美(onsemi)2023年度精選汽車方案。在2023年，安森美還發(fā)布了多項(xiàng)全新工業(yè)產(chǎn)品和解決方案，使我們能夠不斷將創(chuàng)新和愿景付諸...

2024-01-12 標(biāo)簽：安森美 SiC 碳化硅 796 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬美元。
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手機(jī)快充

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

浪涌抑制器

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USB-PD

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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來的能源。
PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來越敏感。
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