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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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上市大漲120% 三年毛利翻番！鍇威特正式登陸上科創(chuàng)板

功率半導(dǎo)體廠商鍇威特今日上市迎來(lái)股價(jià)大漲120%。營(yíng)收年復(fù)合增長(zhǎng)率31.09%，毛利率三年翻番，鍇威特是如何做到的?

2023-08-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 科創(chuàng)板 880 0

5.3.2 載流子壽命“殺手”∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級(jí)缺陷5.3SiC中的點(diǎn)缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術(shù)《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件...

2022-01-06 標(biāo)簽：SiC 879 0

芯聯(lián)集成獲調(diào)研，披露業(yè)績(jī)展望、技術(shù)優(yōu)勢(shì)、市場(chǎng)趨勢(shì)等多項(xiàng)核心信息

2024年11月6日，芯聯(lián)集成披露接待調(diào)研公告，公司于11月5日接待線上參與公司2024年第三季度業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)的投資者1家機(jī)構(gòu)調(diào)研。公告顯示，芯聯(lián)集成參...

2024-11-11 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 877 0

共同打造碳化硅在新能源汽車(chē)的應(yīng)用！

SiC是由碳元素和硅元素組成的一種化合物。這種半導(dǎo)體材料的性能大大優(yōu)于傳統(tǒng)硅材料：禁帶寬度是其3倍，導(dǎo)熱率達(dá)到4到5倍，擊穿電壓是8到10倍，電子飽和漂...

2023-06-28 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)SiC 碳化硅 877 0

碳化硅器件封裝進(jìn)展綜述及展望

歡迎了解杜澤晨張一杰張文婷安運(yùn)來(lái) 唐新靈杜玉杰楊霏吳軍民（全球能源互聯(lián)網(wǎng)研究院有限公司先進(jìn)輸電技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室）摘要：碳化硅（...

2023-12-25 標(biāo)簽：芯片封裝 SiC 876 0

澎芯半導(dǎo)體主驅(qū)級(jí)SiC MOSFET產(chǎn)出良率達(dá)到75%

近日，澎芯半導(dǎo)體在產(chǎn)品開(kāi)拓方面取得了多項(xiàng)進(jìn)展

2023-12-28 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體晶圓 876 0

三菱電機(jī)提供SiC MOSFET裸片樣品

近日，三菱電機(jī)集團(tuán)宣布，將于11月14日開(kāi)始提供用于電動(dòng)汽車(chē)（EV）、插電式混合動(dòng)力汽車(chē)（PHEV）和其他電動(dòng)汽車(chē)（xEV）電驅(qū)逆變器的碳化硅（SiC）...

2024-11-14 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體三菱電機(jī) 876 0

6.2.3 濕法腐蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

6.2.3濕法腐蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容：6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術(shù)基本原理—...

2022-01-04 標(biāo)簽：SiC 875 0

SiC器件工作原理與優(yōu)勢(shì)

碳化硅是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，具備高電子遷移率、高熱導(dǎo)率以及高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn)。這些特性使得SiC器件在高溫、高電壓和高頻率下依然能夠穩(wěn)定工作，同時(shí)比...

2024-04-18 標(biāo)簽：電機(jī)控制器功率器件 SiC 875 0

通用汽車(chē)與Wolfspeed達(dá)成戰(zhàn)略供應(yīng)商協(xié)議，在通用汽車(chē)未來(lái)電動(dòng)汽車(chē)計(jì)劃中采用SiC

通用汽車(chē)于近日宣布達(dá)成一項(xiàng)戰(zhàn)略供應(yīng)商協(xié)議，約定 Wolfspeed 為通用汽車(chē)的未來(lái)電動(dòng)汽車(chē)計(jì)劃開(kāi)發(fā)并提供碳化硅（SiC）功率器件解決方案。

2021-10-11 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)SiC 碳化硅 874 0

中車(chē)半導(dǎo)體獲電投融合創(chuàng)新基金投資

中車(chē)半導(dǎo)體近日獲得了電投融合創(chuàng)新基金的投資。電投融合創(chuàng)新基金是由國(guó)家電投產(chǎn)業(yè)基金聯(lián)合常州市產(chǎn)業(yè)投資基金（有限合伙）、常州市武進(jìn)區(qū)基金及其他國(guó)有資本共同發(fā)...

2024-04-23 標(biāo)簽：新能源汽車(chē)半導(dǎo)體晶閘管 873 0

電源設(shè)計(jì)說(shuō)明：讓我們使用SiC MOSFET構(gòu)建雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器

隨著高效蓄能器（電池和超級(jí)電容器）的大量使用，趨勢(shì)是朝著更好的電流管理方向發(fā)展。雙向 DC/DC 轉(zhuǎn)換器可以保持電池健康并延長(zhǎng)其使用壽命。

2022-08-05 標(biāo)簽：MOSFET 電源設(shè)計(jì)升壓轉(zhuǎn)換器 873 0

Ga2O3器件仿真技術(shù)面臨哪些難點(diǎn)

目前，以GaN和SiC為代表的第三代半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度大、臨界電場(chǎng)高和電子飽和漂移速度快等優(yōu)勢(shì)，突破了硅與傳統(tǒng)化合物材料（GaAs、InP等）技術(shù)發(fā)...

2021-04-22 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 872 0

英飛凌推出全新62mm封裝CoolSiC產(chǎn)品組合，助力實(shí)現(xiàn)更高效率和功率密度

英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX/OTCQX代碼：IFNNY）近日宣布其CoolSiC1200V和2000VMOSFET模塊系列新添全新工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封...

2023-12-02 標(biāo)簽：英飛凌封裝 SiC 872 0

Wolfspeed 8英寸向中國(guó)客戶(hù)批量出貨碳化硅MOSFET

當(dāng)前SiC的火熱浪潮主要由逆變器以及電動(dòng)汽車(chē)中的車(chē)載充電器和DC-DC轉(zhuǎn)換器驅(qū)動(dòng)的汽車(chē)市場(chǎng)，到2022年將占功率SiC市場(chǎng)份額的 70%，到2028年這...

2023-09-04 標(biāo)簽：MOSFET 晶圓逆變器 871 0

索尼銀行投資三菱機(jī)電300億日元債券擴(kuò)大SiC產(chǎn)能

1月15日，日本索尼銀行官網(wǎng)公布關(guān)于投資三菱電機(jī)株式會(huì)社發(fā)行綠色債券的公告稱(chēng)，已經(jīng)投資了該債券，希望通過(guò)提高SiC功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，實(shí)現(xiàn)脫碳社會(huì)。

2024-01-22 標(biāo)簽：索尼三菱硅晶圓 870 0

碳化硅SiC材料應(yīng)用碳化硅SiC的優(yōu)勢(shì)與性能

碳化硅SiC材料應(yīng)用 1. 半導(dǎo)體領(lǐng)域碳化硅是制造高性能半導(dǎo)體器件的理想材料，尤其是在高頻、高溫、高壓和高功率的應(yīng)用中。SiC基半導(dǎo)體器件包括肖特基二...

2024-11-25 標(biāo)簽：SiC 半導(dǎo)體器件碳化硅 869 0

士蘭微電子SSM1R7PB12B3DTFM榮獲“2023年度最佳功率器件獎(jiǎng)”

2023年10月30日，“第五屆硬核芯生態(tài)大會(huì)暨2023汽車(chē)芯片技術(shù)創(chuàng)新與應(yīng)用論壇”在深圳國(guó)際會(huì)展中心圓滿落幕。

2023-11-03 標(biāo)簽：電動(dòng)汽車(chē)SiC 功率模塊 869 0

碳化硅(SiC)廠商瞻芯電子獲得環(huán)境與職業(yè)健康安全管理體系認(rèn)證

近日，浙江瞻芯電子科技有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“浙江瞻芯“）通過(guò)了環(huán)境和職業(yè)健康安全管理體系認(rèn)證，分別獲得ISO 14001與ISO 45001證書(shū)。浙江瞻芯作為...

2023-12-25 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體碳化硅 869 0

碳化硅 MOSFET 給電力電子系統(tǒng)帶來(lái)哪些創(chuàng)新設(shè)計(jì)

我們常說(shuō)，一代電力電子器件決定一代系統(tǒng)設(shè)計(jì)。那么，基于寬禁帶半導(dǎo)體材料的SiCMOSFET的出現(xiàn)，將給電力電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)帶來(lái)哪些顛覆性的改變？英飛凌零碳工...

2023-11-17 標(biāo)簽：MOSFET SiC 碳化硅 869 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱(chēng)作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱(chēng)為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱(chēng)為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專(zhuān)業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶(hù)具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車(chē)領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車(chē)的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

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手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類(lèi)：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱(chēng)之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

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USB-PD

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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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DCDC電源

DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類(lèi)，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類(lèi)。例如車(chē)載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶(hù)使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶(hù)。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶(hù)規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶(hù)規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
LT8705

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