在很寬的范圍內(nèi)實現(xiàn)對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產(chǎn)。
2022-11-22 09:59:26
1412 一樣，商用SiC功率器件的發(fā)展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發(fā)展置于背景中，并且 - 以及器件技術(shù)進步的簡要歷史 - 展示其技術(shù)優(yōu)勢及其未來的商業(yè)前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-03-14 06:20:14
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。 與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-04-09 04:58:00
。 首先，在SiC-MOSFET的組成中，發(fā)揮了開關(guān)性能的優(yōu)勢實現(xiàn)了Si IGBT很難實現(xiàn)的100kHz高頻工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2個晶體管并聯(lián)組成了1個開關(guān)
2018-11-27 16:38:39
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會給方方面面帶來巨大進步，從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優(yōu)勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
，SiC-MOSFET能夠在IGBT不能工作的高頻條件下驅(qū)動，從而也可以實現(xiàn)無源器件的小型化。與600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的優(yōu)勢在于芯片面積小（可實現(xiàn)小型封裝），而且體
2019-05-07 06:21:55
載流子器件（肖特基勢壘二極管和MOSFET）去實現(xiàn)高耐壓，從而同時實現(xiàn) "高耐壓"、"低導(dǎo)通電阻"、"高頻" 這三個特性。另外，帶隙較寬，是Si的3倍，因此SiC功率器件即使在高溫下也可以穩(wěn)定工作。
2019-07-23 04:20:21
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
目前IGBT和MOSFET都是廣泛使用的功率器件，特別是在高壓電力電子領(lǐng)域IGBT應(yīng)用更為普遍。那么，IGBT和MOSFET究竟有哪些區(qū)別呢？其實它們的結(jié)構(gòu)非常相似，正面采用多晶硅與漂移區(qū)形成金屬
2019-04-22 02:17:17
請教下各位大神AAT4900芯片是做什么的工作原理是什么，可替換器件有么
2015-05-10 14:00:35
CAN總線的基本工作原理是什么？CAN總線工作流程是怎樣的？CAN總線的優(yōu)勢是什么？如何計算CAN總線負載率？
2021-12-27 07:39:55
。碳化硅與Si相比，SiC具有： 1.導(dǎo)通電阻降低兩個數(shù)量級2.電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中的功率損耗較少3.更高的熱導(dǎo)率和更高的溫度工作能力4.由于其物理特性固有的材料優(yōu)勢而提高了性能 SiC在600 V和更高
2022-08-12 09:42:07
MATLAB在simulik 仿真中遇到這幾個元器件，不知什么工作原理，不知哪位大神可以解答
2019-03-05 21:21:21
，很高興能與APEX Microtechnology開展合作。ROHM作為SiC功率元器件的先進企業(yè)，能夠提供與柵極驅(qū)動器IC相結(jié)合的功率系統(tǒng)解決方案，并且已經(jīng)在該領(lǐng)域取得了巨大的技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。我們將與
2023-03-29 15:06:13
本文以TLK3132為例，詳細介紹了SERDES工作原理和器件特點，并以WI系統(tǒng)中的CPRI應(yīng)用需求為例，提供TLK3132的設(shè)計方法等。
2021-05-25 06:40:19
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發(fā)燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領(lǐng)先企業(yè)，自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
電動汽車充電領(lǐng)域的研究，想借助發(fā)燒友論壇完成項目的設(shè)計。項目計劃：1）研究與分析雙向諧振式DCDC變換器的工作原理；2）下載器件模型在ADS上搭建仿真電路，同時設(shè)計SiC管的驅(qū)動策略；3）采用耐壓1200V
2020-04-24 18:11:27
我國“新基建”的各主要領(lǐng)域中發(fā)揮重要作用。
一、 SiC的材料優(yōu)勢
碳化硅（SiC）作為寬禁帶材料相較于硅（Si）具有很多優(yōu)勢，如表1所示：3倍的禁帶寬度，有利于碳化硅器件工作在更高的溫度；10倍
2023-10-07 10:12:26
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導(dǎo)通和關(guān)斷
2017-12-18 13:58:36
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業(yè)內(nèi)確實很火，現(xiàn)在我們結(jié)合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
光電導(dǎo)器件的工作原理是什么？光電二極管的工作原理是什么？
2021-06-08 06:02:31
的原因，反向電流小，因此噪聲小，???可減少噪聲/浪涌對策元器件，實現(xiàn)小型化??3.高頻工作，可實現(xiàn)電感等外圍元器件的小型化以下是具體案例和示意圖。由于其溫度穩(wěn)定性非常優(yōu)異等優(yōu)勢，還支持車載級
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
半導(dǎo)體存儲元器件工作原理
2017-02-05 13:25:23
在開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器中,如何充分利用SiC器件的性能優(yōu)勢？
2021-02-22 07:16:36
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應(yīng)用于工業(yè)機器的電源或光伏發(fā)電的功率調(diào)節(jié)器等。2. 電路構(gòu)成現(xiàn)在量產(chǎn)中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構(gòu)成半橋電路的2in1類型
2019-03-12 03:43:18
。但是，SiC器件需要對其關(guān)鍵規(guī)格和驅(qū)動要求有新的了解才能充分發(fā)揮其優(yōu)勢。本文概述了EV和HEV的功率要求，解釋了為什么基于SiC的功率器件非常適合此功能，并闡明了其輔助器件驅(qū)動器的功能。在簡要討論了
2019-08-11 15:46:45
，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件。②SiC功率元器件SiC是在熱、化學(xué)、機械方面都非常穩(wěn)定的化合物半導(dǎo)體，對于功率元器件來說的重要參數(shù)都非常優(yōu)異。作為元件，具有優(yōu)于Si
2017-07-22 14:12:43
求大神指導(dǎo)此驅(qū)動的工作原理 這些元器件的作用 詳細點最好
2016-03-23 14:18:54
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關(guān)注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內(nèi)雖有幾家在持續(xù)投入，但還處于開發(fā)階段, 且技術(shù)尚不完全成熟。從國內(nèi)
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
大范圍的監(jiān)控探測要求。那么，安防監(jiān)控中紅外熱像儀的工作原理是什么呢？紅外熱像儀工作原理是，因為它無需外界光源輔助，而是通過接收物體發(fā)生的紅外輻射（與物體本身溫度相關(guān)），即捕獲物體溫度來成像。盡管肉眼
2021-10-29 17:33:50
保護器件TVS是普遍使用的一種新型高效電路保護器件，它具有極快的響應(yīng)時間（亞納秒級）和相當(dāng)高的浪涌吸收能力。那么電路保護器件TVS有什么特性？工作原理是怎么樣的？
2021-04-02 07:03:34
磁傳感器的工作原理是什么？磁傳感器具有哪些優(yōu)勢？磁傳感器在汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用是什么？
2021-06-17 08:24:33
甚至無法工作。解決方法就是在管殼內(nèi)引入內(nèi)匹配電路，因此內(nèi)匹配對發(fā)揮GaN功率管性能上的優(yōu)勢，有非常重要的現(xiàn)實意義。 2.SIC碳化硅(SiC)以其優(yōu)良的物理化學(xué)特性和電特性成為制造高溫、大功率電子器件
2017-06-16 10:37:22
的優(yōu)勢是得益于SiC-SBD的“高速性”。??1.trr高速，因此可大幅降低恢復(fù)損耗，實現(xiàn)高效率??2.同樣的原因，反向電流小，因此噪聲小，???可減少噪聲/浪涌對策元器件，實現(xiàn)小型化??3.高頻工作，可
2019-07-10 04:20:13
藍牙定位技術(shù)的工作原理是什么？藍牙定位技術(shù)的定位方式有哪幾種？藍牙定位技術(shù)有哪些定位優(yōu)勢？
2021-06-28 08:14:00
該電路工作原理，器件參數(shù)如何調(diào)到最好？
2016-04-25 09:31:17
請問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-4 16:18 編輯
軌對軌運算放大器的工作原理及優(yōu)勢
2014-06-23 11:12:34
鐵電存儲器工作原理和器件結(jié)構(gòu)
?
1 鐵電存儲器簡介
隨著IT技術(shù)的不斷發(fā)展，對于非易失性存儲器的需求越來越大，讀寫速度
2009-10-25 09:59:509230 
感光器件工作原理
電荷藕合器件圖像傳感器CCD（Charge Coupled Device），它使用一種高感光度的半導(dǎo)體材料制成，能把光線轉(zhuǎn)變成電荷，通過
2009-12-21 09:24:348253 二相CCD器件的工作原理
2010-11-10 17:06:215085 
分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:20
81 要解決EMC問題，就要了解影響EMC的主要元器件的工作原理，本篇文章將為讀者介紹共模電感、磁珠、以及濾波電容器的工作原理及使用情況。
2012-08-09 15:57:534196 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優(yōu)勢體現(xiàn)在哪些方面？電子發(fā)燒友網(wǎng)根據(jù)SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4412051 碩凱電子SOCAY靜電保護器件工作原理及選型應(yīng)用
2017-04-19 09:16:2217 使用SiC的新功率元器件技術(shù)
2018-06-26 17:56:005807 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419299 
。對于高壓開關(guān)，與傳統(tǒng)的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET具有顯著的優(yōu)勢，支持超過1，000 V的高壓電源軌，且工作在數(shù)百KHz頻率，甚至超過了最好的硅MOSFET。
2019-10-05 16:05:001565 SiC功率器件作為一種新型功率器件，在新能源汽車的應(yīng)用中具有極大優(yōu)勢。據(jù)悉，SiC材料具有耐高壓、耐高溫、高效率、高頻率、抗輻射等優(yōu)異的物理和化學(xué)特性，能夠極大地提升現(xiàn)有能源的轉(zhuǎn)換效率。新能源汽車
2020-08-26 09:56:32661 文章來源：電子工程世界 作者：湯宏琳 就在我們還沉浸在Si器件帶來的低成本紅利時，很多關(guān)鍵型應(yīng)用已經(jīng)開始擁抱SiC了。 雖然SiC成本還有些略高，但它卻有著自己得天獨厚的優(yōu)勢：與Si相比，SiC
2020-10-26 10:12:252664 
談起電源轉(zhuǎn)換器的設(shè)計，諸如碳化硅（SiC）等寬禁帶（WBG）技術(shù)是當(dāng)今進行器件選擇時的現(xiàn)實考慮。650V SiC MOSFET的推出使它們對于某些以前從沒有考慮過的應(yīng)用更具吸引力，這些器件在高效
2021-04-03 09:17:002158 
詳解charge pump電路工作原理以及器件選型計算
2022-04-13 09:36:1225753 
寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:23690 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態(tài)性能和可靠性的顯著優(yōu)勢電子和電氣系統(tǒng)。回顧了SiC功率器件發(fā)展的挑戰(zhàn)和前景
2022-11-11 11:06:141518 SiC MOSFET 的優(yōu)勢和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201074 
隨著硅接近其物理極限，電子制造商正在轉(zhuǎn)向非常規(guī)半導(dǎo)體材料，特別是寬帶隙（WBG）半導(dǎo)體，如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）。由于寬帶隙材料具有相對較寬的帶隙（與常用的硅相比），寬帶隙器件可以在高壓、高溫和高頻下工作。寬帶隙器件可以提高能效并延長電池壽命，這有助于推動寬帶隙半導(dǎo)體的市場。
2023-02-05 14:25:15724 SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。通過將SiC應(yīng)用到功率元器件上，實現(xiàn)以往Si功率元器件無法實現(xiàn)的低損耗功率轉(zhuǎn)換。不難發(fā)現(xiàn)這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19462 
在逆變器、電機驅(qū)動器和電池充電器等應(yīng)用中，碳化硅(SiC)器件具有更高的功率密度、更低的冷卻要求和更低的整體系統(tǒng)成本等優(yōu)勢。
2023-02-21 09:29:552607 前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30357 
我們聊了關(guān)于UPS的概念和分類，以及在線式UPS的三個工作模式。第三代寬禁帶半導(dǎo)體WBG的誕生和發(fā)展，讓很多使用Si基半導(dǎo)體器件的行業(yè)得到提升，今天我們就簡單地聊聊SiC在UPS中的應(yīng)用優(yōu)勢。
2023-04-14 14:35:10828 
前言新能源汽車依舊火熱，今年上半年國內(nèi)銷量突破370萬輛，比亞迪、特斯拉、豐田、現(xiàn)代、吉利、上海大眾、日產(chǎn)等車企都已經(jīng)在引入SIC器件。為何車企都采用SiC器件？SiC器件具備哪些優(yōu)勢？碳化硅
2023-08-17 16:41:23850 
蟲情測報系統(tǒng)的工作原理及功能優(yōu)勢
2023-08-18 15:45:10331 一、什么是SiC半導(dǎo)體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581221 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SiC應(yīng)用優(yōu)勢及趨勢.pdf》資料免費下載
2023-08-29 16:24:511 螺母的工作原理以及應(yīng)用優(yōu)勢
2023-09-14 17:43:39803 
航天器的重要組成部分——供配電系統(tǒng)和二次電源的發(fā)展面臨兩方面的挑戰(zhàn)，一方面是小型化和輕量化，另一方面是大功率和超大功率航天器的需求。在超大功率方面，目前硅基功率器件的功率容量和工作頻率已不能滿足設(shè)計要求，限制了宇航電源技術(shù)的發(fā)展，因此SiC功率器件的替代應(yīng)用已勢在必行。
2023-10-18 10:34:31450 
、大電流、低頻應(yīng)用。SiC MOSFET 很好地兼顧了高壓、高頻和開關(guān)性能優(yōu)勢。它是電壓控制的場效應(yīng)器件，能夠像
2023-10-18 16:05:02374 按鍵手感測試儀的工作原理和優(yōu)勢
2023-10-19 09:09:111750 
了解SiC器件的命名規(guī)則
2023-11-27 17:14:49415 
隨著科技的不斷進步，電力電子設(shè)備在我們的日常生活和工業(yè)生產(chǎn)中發(fā)揮著越來越重要的作用。然而，隨著電力電子設(shè)備向著更高效、更小型化以及更可靠的方向發(fā)展，傳統(tǒng)的硅基功率器件已經(jīng)逐漸暴露出其局限性。此時，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新興的電力電子器件，以其獨特的優(yōu)勢逐漸受到人們的關(guān)注。
2023-12-06 09:53:18480 隨著科技的飛速發(fā)展，電力電子技術(shù)在各種領(lǐng)域中發(fā)揮著越來越重要的作用，從電動汽車到數(shù)據(jù)中心，再到可再生能源系統(tǒng)，其應(yīng)用范圍不斷擴大。在這一領(lǐng)域，碳化硅（SiC）功率器件因其出色的性能而備受矚目，被視為未來電力電子技術(shù)的關(guān)鍵。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢以及市場發(fā)展趨勢。
2023-12-26 09:31:49200 SiC具有高效節(jié)能、穩(wěn)定性好、工作頻率高、能量密度高等優(yōu)勢，SiC溝槽MOSFET（UMOSFET）具有高溫工作能力、低開關(guān)損耗、低導(dǎo)通損耗、快速開關(guān)速度等特點
2023-12-27 09:34:56545 
隨著科技的不斷進步，電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機控制、電網(wǎng)管理和可再生能源系統(tǒng)等領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅（SiC）作為一種優(yōu)秀的半導(dǎo)體材料，具有高頻率、高電壓、高溫穩(wěn)定性的優(yōu)異性能，為電力電子帶來了革新性的突破。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優(yōu)勢及應(yīng)用前景。
2024-01-10 09:28:30266 IGBT器件的結(jié)構(gòu)和工作原理
2024-02-21 09:41:59533 
的物理性能和潛力巨大的市場應(yīng)用前景，受到了業(yè)界的廣泛關(guān)注。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、性能優(yōu)勢、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來的發(fā)展趨勢。
2024-02-25 10:37:01317 
和硅器件相比,SiC器件有著耐高溫、擊穿電壓 大、開關(guān)頻率高等諸多優(yōu)點,因而適用于更高工作頻 率的功率器件。但這些優(yōu)點同時也給SiC功率器件的互連封裝帶來了挑戰(zhàn)。
2024-03-07 14:28:43160 
SiC器件的核心優(yōu)勢在于其寬禁帶、高熱導(dǎo)率、以及高擊穿電壓。具體來說，SiC的禁帶寬度是硅的近3倍，這意味著在高溫下仍可保持良好的電性能；其熱導(dǎo)率是硅的3倍以上，有利于高功率應(yīng)用中的熱管理。
2024-03-08 10:27:15109 
在追求能源效率和對高性能電力電子系統(tǒng)的需求不斷增長的今天，碳化硅（SiC）功率器件憑借其卓越的電氣性能和熱穩(wěn)定性，正在變革傳統(tǒng)功率電子技術(shù)。
2024-04-18 11:03:1824 
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