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碳化硅功率器件的工作原理和優勢

國晶微第三代半導體碳化硅SiC ? 來源:國晶微第三代半導體碳化 ? 2023-12-26 09:31 ? 次閱讀

碳化硅功率器件:未來電力電子的關鍵

一、引言

隨著科技的飛速發展,電力電子技術在各種領域中發揮著越來越重要的作用,從電動汽車到數據中心,再到可再生能源系統,其應用范圍不斷擴大。在這一領域,碳化硅(SiC)功率器件因其出色的性能而備受矚目,被視為未來電力電子技術的關鍵。本文將深入探討碳化硅功率器件的工作原理、優勢以及市場發展趨勢。

二、碳化硅功率器件的工作原理

碳化硅功率器件,如MOSFET和Schottky diodes,是利用碳化硅材料的優異特性進行工作的。這種材料的禁帶寬度是硅的3倍,使其具有更高的熱導率、擊穿場強和電子飽和速度。這些特性使得碳化硅功率器件能在更高的溫度下工作,承受更大的電壓和電流,且具有更快的開關速度。

在具體應用中,碳化硅功率器件通常用于高頻率、高溫和高電壓的環境,例如電動汽車的電機驅動系統、風電場的能源轉換系統等。

三、碳化硅功率器件的優勢

高效率:由于碳化硅的電子飽和速度高,使得碳化硅功率器件具有更高的開關頻率,從而降低了能量損失,提高了整個系統的效率。

節能:由于碳化硅的高熱導率,使得器件能在高溫環境下工作,減少了散熱器的需求,從而減小了系統的體積和重量,進一步提高了能效。

可靠性:碳化硅的物理特性使得其能夠承受更高的溫度和電壓,從而提高了系統的可靠性。

降低成本:雖然碳化硅材料本身的價格較高,但由于其能提高系統的能效、減小散熱器的需求以及提高系統的可靠性,因此從長遠來看,采用碳化硅功率器件可以降低系統的總成本。

四、碳化硅功率器件的市場發展趨勢

隨著對電力電子系統能效要求的不斷提高,碳化硅功率器件的市場需求正在迅速增長。據市場研究報告顯示,預計到2026年,全球碳化硅功率器件市場規模將達到25億美元,年復合增長率達到20%。

在應用領域方面,電動汽車和可再生能源將是最大的市場驅動力。隨著電動汽車的普及和電池技術的提高,對電機驅動系統的能效要求越來越高,這為碳化硅功率器件提供了廣闊的應用空間。同樣,在可再生能源領域,如太陽能逆變器和風電變流器中,碳化硅功率器件的高效性能也備受青睞。

此外,隨著5G通信物聯網等新興技術的發展,數據中心和邊緣計算設備的電力需求也在不斷增長。在這些領域中,碳化硅功率器件的高效、節能特性也得到了廣泛應用。

然而,盡管碳化硅功率器件的市場前景十分美好,但其發展仍面臨一些挑戰。首先,碳化硅材料制備難度大、成本高。目前碳化硅功率器件的主要生產商仍集中在美國和日本等發達國家。盡管國內也在積極布局碳化硅產業鏈,但整體上仍處在追趕階段。其次,碳化硅功率器件的應用需要與傳統的硅基器件進行兼容。這需要在設計、制造和應用方面進行大量的研發和創新工作。

五、結論

綜上所述,碳化硅功率器件憑借其卓越的性能和廣泛的應用前景,被視為未來電力電子技術的關鍵。盡管目前還面臨著一些挑戰,但其巨大的市場潛力和技術優勢使得各國都在加大投入力度,積極布局這一領域。隨著技術的不斷進步和應用的深入拓展,我們有理由相信,碳化硅功率器件將在未來的電力電子領域中發揮越來越重要的作用。

無錫國晶微半導體技術有限公司是寬禁帶第三代半導體碳化硅SiC功率器件、氮化鎵GaN光電器件以及常規集成電路研發及產業化的高科技創新型企業,從事碳化硅場效應管,碳化硅肖特基二極管、GaN光電光耦繼電器、單片機集成電路等產品芯片設計、生產與銷售并提供相關產品整體方案設計配套服務,總部位于江蘇省無錫市高新技術開發區內,并在杭州、深圳和香港設有研發中心和銷售服務支持中心及辦事處。

公司具有國內領先的研發實力,專注于為客戶提供高效能、低功耗、低阻值、品質穩定的碳化硅高低功率器件及光電集成電路產品,同時提供一站式的應用解決方案和現場技術支持服務,使客戶的系統性能優異、靈活可靠,并具有成本競爭力。

公司的碳化硅功率器件涵蓋650V/2A-100A,1200V/2A-90A,1700V/5A-80A等系列,產品已經投入批量生產,產品完全可以對標國際品牌同行的先進品質及水平。先后推出全電流電壓等級碳化硅肖特基二極管、通過工業級、車規級可靠性測試的碳化硅MOSFET系列產品,性能達到國際先進水平,應用于太陽能逆變電源新能源電動汽車及充電樁智能電網、高頻電焊、軌道交通、工業控制特種電源、國防軍工等領域。由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能體現優異的電氣特性,大幅降低開關損耗,使元器件更小型化及輕量化,效能更高效,提高系統整體可靠性,可使電動汽車在續航里程提升10%,整車重量降低5%左右,并實現設計用充電樁的高溫環境下安全、穩定運行。

特別在高低壓光耦半導體技術方面更是擁有業內領先的研發團隊。在國內創先設計開發了28nm光敏光柵開關PVG芯片技術,并成功量產應用于60V、400V、600V高低壓、低內阻、低電容的光電耦合繼電器芯片、涵蓋1500kVrms SOP超小封裝及3750kVrms隔離增強型常規SMD、DIP等不同封裝,單路、雙路、混合雙路、常開常閉等電路產品,另包括200V SOI MOS/LIGBT集成芯片、100V CMOS/LDMOS集成芯片、8bit及32bit單片機等集成電路產品,均獲得市場及各重點科研單位、檢測機構的新產品認定。

公司核心研發團隊中大部分工程師擁有碩士及以上學位,并有多名博士主持項目的開發。公司建立了科技創新和知識產權管理的規范體系,在電路設計、半導體器件及工藝設計、可靠性設計、器件模型提取等方面積累了眾多核心技術,擁有多項國際、國內自主發明專利。

“國之重器,從晶出發,自強自主,成就百年”是國晶微半導體的企業目標,我們為員工提供精彩的發展空間,為客戶提供精良的產品服務,我們真誠期待與您攜手共贏未來。

審核編輯:湯梓紅
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原文標題:碳化硅功率器件:未來電力電子的關鍵

文章出處:【微信號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC,微信公眾號:國晶微第三代半導體碳化硅SiC】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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