功率器件領(lǐng)域已經(jīng)進入到Si（硅）、SiC（碳化硅）、GaN（氮化鎵）三種半導(dǎo)體材料并用的時代。過去，人們一直利用硅的加工性能良好的特點，借助精雕 細(xì)琢的元件結(jié)構(gòu)，提高功率器件的性能并擴大其應(yīng)用。現(xiàn)在
2015-09-11 08:09:22
1043 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。
2020-09-11 10:51:1010918 
SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）組成的化合物半導(dǎo)體材料。表1-1顯示了每種半導(dǎo)體材料的電氣特性。SiC具有優(yōu)異的介電擊穿場強（擊穿場）和帶隙（能隙），分別是Si的10倍和3倍。此外，可以
2022-11-22 09:59:261373 運行在很高頻率下的電子器件所表現(xiàn)的性能主要與：1)組成半導(dǎo)體的材料特性和2)器件的結(jié)構(gòu)有關(guān)[3]。Si，GaAs 和InP 是目前具有截止頻率在300GHz 及以上的器件所選擇的材料。
2023-01-10 10:26:35564 近年來，SiC功率器件的出現(xiàn)大大提升了半導(dǎo)體器件的性能，這對電力電子行業(yè)的發(fā)展意義重大。據(jù)Yole預(yù)測，到2023年SiC功率器件市場規(guī)模預(yù)計將達14億美元，其主要的市場增長機會在汽車領(lǐng)域，特別是
2019-07-05 11:56:2833343 遷移率晶體管）。為什么同是第三代半導(dǎo)體材料，SiC和GaN在功率器件上走了不同的道路？為什么沒有GaN MOSFET產(chǎn)品？下面我們來簡單分析一下。 ? GaN 和SiC 功率器件的襯底材料區(qū)別 ? 首先我們從襯底材料來看看SiC和GaN功率器件的區(qū)別，一般而言，SiC功率器件是在
2023-12-27 09:11:361220 極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料，SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場較大、熱導(dǎo)率較高的特點，SiC
2019-10-24 14:25:15
半導(dǎo)體相比，損耗更低，高溫環(huán)境條件下工作特性優(yōu)異，有望成為新一代低損耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。提及功率元器件，人們當(dāng)然關(guān)注SiC之類的新材料，但是，目前占有極大市場份額和應(yīng)用領(lǐng)域的Si功率
2018-11-28 14:34:33
程度的小電流，所以與Si-FRD相比，能夠明顯地減少損耗。而且，該瞬態(tài)電流基本上不隨溫度和正向電流而變化，所以不管何種環(huán)境下，都能夠穩(wěn)定地實現(xiàn)快速恢復(fù)。另外，還可以降低由恢復(fù)電流引起的噪音，達到降噪的效果。SiC半導(dǎo)體SiC-MOSFET
2019-03-14 06:20:14
使用一般IGBT和Si-MOSFET使用的驅(qū)動電壓VGS=10~15V不能發(fā)揮出SiC本來的低導(dǎo)通電阻的性能，所以為了得到充分的低導(dǎo)通電阻，推薦使用VGS=18V左右進行驅(qū)動。原作者：羅姆半導(dǎo)體集團
2023-02-07 16:40:49
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區(qū)別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細(xì)研究每個參數(shù)，不如先弄清楚驅(qū)動方法等
2018-11-30 11:34:24
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時實現(xiàn)了高
2018-11-29 14:35:50
與硅相比，SiC有哪些優(yōu)勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優(yōu)越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，作為門極；漂移區(qū)普遍采用N型摻雜的半導(dǎo)體來承受阻斷電壓；門極施加正壓（高于器件閾值電壓）時，器件導(dǎo)通，通態(tài)電流在漂移區(qū)縱向流動。區(qū)別主要在于IGBT在漂移區(qū)背面有P+注入作為集電極
2019-04-22 02:17:17
另一方面，按照現(xiàn)在的技術(shù)水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導(dǎo)通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內(nèi)控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與Si相比，它在應(yīng)用中具有諸多優(yōu)勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優(yōu)于Si功率元器件的更高耐壓、更低導(dǎo)通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發(fā)背景和具體優(yōu)點
2018-11-29 14:35:23
的多數(shù)載流子（SBD、MOSFET等）。另外，與Si材料相比，還具有帶隙寬約3倍，熱導(dǎo)率高約3倍的特點。－也就是說，相比Si，SiC對于提高可高速開關(guān)的多數(shù)載流子耐壓性能來說是非常有利的半導(dǎo)體材料。的確
2018-12-03 15:12:02
半導(dǎo)體器件與工藝
2012-08-20 08:39:08
半導(dǎo)體器件型號由五部分（場效應(yīng)器件、半導(dǎo)體特殊器件、復(fù)合管、PIN型管、激光器件的型號命名只有第三、四、五部分）組成。
2011-10-23 22:05:11
半導(dǎo)體器件物理（胡正明）
2020-09-22 19:57:16
半導(dǎo)體材料從發(fā)現(xiàn)到發(fā)展，從使用到創(chuàng)新，擁有這一段長久的歷史。宰二十世紀(jì)初，就曾出現(xiàn)過點接觸礦石檢波器。1930年，氧化亞銅整流器制造成功并得到廣泛應(yīng)用，是半導(dǎo)體材料開始受到重視。1947年鍺點接觸三極管制成，成為半導(dǎo)體的研究成果的重大突破。
2020-04-08 09:00:15
接觸處形成位壘，因而這類接觸具有單向?qū)щ娦浴＠肞N結(jié)的單向?qū)щ娦裕梢灾瞥删哂胁煌δ艿?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體器件，如二極管、三極管、晶閘管等。此外，半導(dǎo)體材料的導(dǎo)電性對外界前提（如熱、光、電、磁等因素）的變化非常
2013-01-28 14:58:38
半導(dǎo)體材料可實現(xiàn)比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應(yīng)用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導(dǎo)通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2019-06-25 07:41:00
tvs管與壓敏電阻的性能比較 為滿足消費者日益增強的功能需求，如今市場中的電子產(chǎn)品也好，各類電力設(shè)備也罷，其功能性也是日益增強，造福于消費者的同時，其自身面臨的威脅也在放大。一般功能性越強
2018-12-03 14:39:39
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
館）不同功率半導(dǎo)體器件，其承受電壓、電流容量、阻抗能力、體積大小等特性也會不同，實際使用中，需要根據(jù)不同領(lǐng)域、不同需求來選用合適的器件。圖表3 功率半導(dǎo)體器件比較（來源：中信證券研究部）隨著技術(shù)的不斷進步
2019-02-26 17:04:37
、SiC 和 Si 功率器件概述 2、SiC 功率器件的特征 3、SiC 功率器件的注意點，可靠性 4、SiC 功率器件的活用（動作、回路、實驗例
2018-07-27 17:20:31
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導(dǎo)體失效分析領(lǐng)域有多年工作經(jīng)驗，熟悉MOSET各種性能和應(yīng)用，掌握各種MOSFET的應(yīng)用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
、3-三極管 第二部分：用漢語拼音字母表示半導(dǎo)體器件的材料和極性。表示二極管時：A-N型鍺材料、B-P型鍺材料、C-N型硅材料、D-P型硅材料。表示三極管時：A-PNP型鍺材料、B-NPN型鍺材料
2021-05-25 08:01:53
1，半導(dǎo)體基礎(chǔ)2，PN節(jié)二極管3，BJT和其他結(jié)型器件4，場效應(yīng)器件
2020-11-27 10:09:56
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導(dǎo)體生產(chǎn)中采用的主要半導(dǎo)體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導(dǎo)體工作溫度。此外，SiC 的導(dǎo)熱性和 GaN 器件中穩(wěn)定的導(dǎo)通電
2023-02-21 16:01:16
點擊: 功率半導(dǎo)體器件 &
2008-08-03 17:05:29
功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊功率半導(dǎo)體器件應(yīng)用手冊——彎腳及焊接應(yīng)注意的問題本文將向您介紹大家最關(guān)心的有關(guān)TSE功率半導(dǎo)體器件封裝的兩個問題：一、 怎樣彎腳才能不影響器件的可靠性？二、 怎樣確保焊接
2008-08-12 08:46:34
的AC/DC轉(zhuǎn)換和功率轉(zhuǎn)換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來分類等等。在這里，分以下二個方面進行闡述：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”，另一是與Si
2018-11-29 14:39:47
根據(jù)不同的誘因，常見的對半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
的高性價比功率芯片和模塊產(chǎn)品。 傳統(tǒng)的平面型碳化硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（Planar SiC MOSFET，例如垂直雙擴散金屬氧化物晶體管VDMOS）由于器件尺寸較大，影響了器件的特征導(dǎo)通電
2020-07-07 11:42:42
供應(yīng)商正在減少對標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品的關(guān)注，但安森美半導(dǎo)體繼續(xù)投資于汽車級標(biāo)準(zhǔn)分立器件的基本構(gòu)件模塊，同時擴大針對汽車功能電子化的電源方案陣容。在現(xiàn)有的標(biāo)準(zhǔn)的和高性能的分立器件陣容中，最新的擴展包括低正向電壓整流器
2018-10-25 08:53:48
1.常用半導(dǎo)體器件型號命名的國家標(biāo)準(zhǔn)常用半導(dǎo)體器件的型號命名由五個部分組成，第一部分用數(shù)字表示電極的數(shù)目；第二部分用漢語拼音字母表示器件的材料和極性；第三部分表示器件的類別；第四部分表示器件的序號
2017-11-06 14:03:02
常用的功率半導(dǎo)體器件有哪些？
2021-11-02 07:13:30
性能在較寬的溫度和頻率范圍之內(nèi)都很穩(wěn)定，能承受很高的加工和工作溫度，機械性能優(yōu)異，能提供較好的防潮濕功能和優(yōu)異的氣密性。對于高頻器件，陶瓷材料的熱膨脹系數(shù)和半導(dǎo)體芯片材料的膨脹系數(shù)相近，并能支持較高的集成度和復(fù)雜的I/O管腳分布。
2019-08-19 07:41:15
的機遇和挑戰(zhàn)等方面，為從事寬禁帶半導(dǎo)體材料、電力電子器件、封裝和電力電子應(yīng)用的專業(yè)人士和研究生提供了難得的學(xué)習(xí)和交流機會。誠摯歡迎大家的參與。1、活動主題寬禁帶半導(dǎo)體(SiC、GaN)電力電子技術(shù)應(yīng)用2
2017-07-11 14:06:55
”是條必經(jīng)之路。高效率、高性能的功率元器件的更新?lián)Q代已經(jīng)迫在眉睫。“功率元器件”廣泛分以下兩大類：一是以傳統(tǒng)的硅半導(dǎo)體為基礎(chǔ)的“硅（Si）功率元器件”。二是“碳化硅（SiC）功率元器件”，與Si半導(dǎo)體相比
2017-07-22 14:12:43
應(yīng)用看，未來非常廣泛且前景被看好。與圈內(nèi)某知名公司了解到，一旦國內(nèi)品牌誰先成功掌握這種技術(shù)，那它就會呈暴發(fā)式的增加。在Si材料已經(jīng)接近理論性能極限的今天，SiC功率器件因其高耐壓、低損耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結(jié)構(gòu)和特征SiC能夠以高頻器件結(jié)構(gòu)的SBD（肖特基勢壘二極管）結(jié)構(gòu)得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現(xiàn)在主流產(chǎn)品快速PN結(jié)
2019-05-07 06:21:51
一、化合物半導(dǎo)體應(yīng)用前景廣闊，市場規(guī)模持續(xù)擴大 化合物半導(dǎo)體是由兩種及以上元素構(gòu)成的半導(dǎo)體材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作為第二代和第三代半導(dǎo)體的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
電力半導(dǎo)體器件的分類
2019-09-19 09:01:01
由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種，主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
2020-06-28 17:30:27
泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，憑借碳化硅（SiC）陶瓷材料自身優(yōu)異的半導(dǎo)體性能，在各個現(xiàn)代工業(yè)領(lǐng)域發(fā)揮重要革新作用。是高溫、高頻、抗輻射、大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。由于碳化硅功率器件可顯著降低
2021-01-12 11:48:45
非常穩(wěn)定。SiC存在各種多型體（多晶型體），它們的物理特性值各有不同。4H-SiC最適用于功率元器件。下表為Si和近幾年經(jīng)常聽到的半導(dǎo)體材料的比較。3英寸4H-SiC晶圓表中黃色高亮部分是Si與SiC
2018-11-29 14:43:52
著這些電力電子設(shè)備的成本和效率。自從二十世紀(jì)五十年代真空管被固態(tài)器件代替以來，以硅(Si)材料為主的功率半導(dǎo)體器件就一直扮演著重要的角色。功率雙極性晶體管及晶閘管的問世，大大減小的電力電子設(shè)備的體積重量
2021-03-25 14:09:37
的一種最具有優(yōu)勢的半導(dǎo)體材料.并且具有遠大于Si材料的功率器件品質(zhì)因子。SiC功率器件的研發(fā)始于20世紀(jì)90年代.目前已成為新型功率半導(dǎo)體器件研究開發(fā)的主流。2004年SiC功率MOSFET不僅在高
2017-06-16 10:37:22
改善，并進一步降低了第2代達成的低VF。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅
2019-07-10 04:20:13
(SiC) 注2和GaN注3這類寬禁帶(WBG)半導(dǎo)體注4的功率元器件。WBG材料的最大特點如表1所示，其絕緣擊穿電場強度較高。只要利用這個性質(zhì)，就可提高與Si元件相同結(jié)構(gòu)時的耐壓性能。只要實現(xiàn)有耐壓余量
2019-07-08 06:09:02
隨著硅基電力電子器件逐漸接近其物理極限值，新型半導(dǎo)體材料以更大的禁帶寬度、電子飽和漂移速度更快為特點，制造出的半導(dǎo)體器件具有優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征，在光電器件、微波
2017-02-22 14:59:09
好，硬度大（莫氏硬度為9.5級，僅次于世界上最硬的金剛石（10級））、導(dǎo)熱性能優(yōu)良、高溫抗氧化能力強等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多為人造。二、碳化硅半導(dǎo)體器件由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能，碳化硅
2023-02-20 15:15:50
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能（導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm～1GΩ·cm范圍內(nèi)）、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。按種類可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類
2019-06-27 06:18:41
電感器磁芯材料性能比較表
Iron Powder
2007-12-22 11:31:111921 實驗 箔式應(yīng)變計與半導(dǎo)體應(yīng)變計性能比較實驗?zāi)康兀和ㄟ^實驗對兩種應(yīng)變電路的特性有充分的了解實驗所需部件：直流穩(wěn)壓電源、箔式應(yīng)變計、半導(dǎo)體
2009-03-06 15:22:263449 
不同材料的電池性能比較
電池成份
2009-10-27 10:48:20773 SiC功率器件的封裝技術(shù)要點
具有成本效益的大功率高溫半導(dǎo)體器件是應(yīng)用于微電子技術(shù)的基本元件。SiC是寬帶隙半導(dǎo)體材料，與S
2009-11-19 08:48:432355 各種電子管的防雷器件性能比較
下為常用防雷元器件性能比較：
火花間隙（Arc chopping）
2009-11-30 09:32:16793 半導(dǎo)體器件,半導(dǎo)體器件的種類
半導(dǎo)體器件從肯有2個管腳的二極管到最新的系統(tǒng)LSI、超大功率器件均有廣泛的研究，且被廣泛地運用于手機、數(shù)碼家電產(chǎn)品
2010-03-01 17:25:025984 半導(dǎo)體材料的主要種類有哪些?
半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來分，再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨列為一類。按照這
2010-03-04 10:37:5626707 分析了SiC半導(dǎo)體材料的結(jié)構(gòu)類型和基本特性， 介紹了SiC 單晶材料的生長技術(shù)及器件工藝技術(shù)， 簡要討論了SiC 器件的主要應(yīng)用領(lǐng)域和優(yōu)勢
2011-11-01 17:23:20
81 基于智能車制作的常見穩(wěn)壓器件性能比較
2017-09-15 15:46:354 ，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。 在光電子、高溫大功率器件和高頻微波器件應(yīng)用方面有著廣闊的前景。SiC功率
2017-11-09 11:54:529 寬禁帶半導(dǎo)體材料氮化鎵（GaN）以其良好的物理化學(xué)和電學(xué)性能成為繼第一代元素半導(dǎo)體硅（Si）和第二代化合物半導(dǎo)體砷化鎵（GaAs）、磷化鎵（GaP）、磷化銦（InP）等之后迅速發(fā)展起來的第三代半導(dǎo)體
2017-11-25 16:19:433885 
經(jīng)研究者的努力，以SiC為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料逐漸展示出及其優(yōu)異的性能。SiC功率器件耐高溫、抗輻射，具有較高的擊穿電壓和工作頻率，適于在惡劣條件下工作。與傳統(tǒng)Si功率器件相比，SiC功率器件可大
2018-01-21 09:43:198806 
本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2018-05-28 15:33:5410898 
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導(dǎo)率是Si的3倍，所以被認(rèn)為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:008115 半導(dǎo)體材料可按化學(xué)組成來分，再將結(jié)構(gòu)與性能比較特殊的非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體單獨列為一類。按照這樣分類方法可將半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體、無機化合物半導(dǎo)體、有機化合物半導(dǎo)體和非晶態(tài)與液態(tài)半導(dǎo)體。
2019-03-29 15:19:3315938 直到最近，功率模塊市場仍被硅（Si）絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）把持。需求的轉(zhuǎn)移和對更高性能的關(guān)注，使得這些傳統(tǒng)模塊不太適合大功率應(yīng)用，這就帶來了 SiC 基功率器件的應(yīng)運而生。
2019-11-08 11:41:5317036 碳化硅（SiC）是最成熟的WBG寬帶隙半導(dǎo)體材料， 它已經(jīng)廣泛用于制造開關(guān)器件，例如MOSFET和晶閘管。氮化鎵（GaN）具有作為功率器件半導(dǎo)體的潛力，并且在射頻應(yīng)用中是對硅的重大改進。
2020-04-30 14:35:3111723 作為半導(dǎo)體材料“霸主“的Si，其性能似乎已經(jīng)發(fā)展到了一個極限，而此時以SiC和GaN為主的寬禁帶半導(dǎo)體經(jīng)過一段時間的積累也正在變得很普及。所以，出現(xiàn)了以Si基器件為主導(dǎo)，SiC和GaN為"游擊"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156 
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展一共分三個階段，第一代半導(dǎo)體材料是硅(Si)，第二代半導(dǎo)體材料是以GaAs和SiGe為代表的微波器件，而現(xiàn)在最熱門的是第三代半導(dǎo)體材料是寬禁帶半導(dǎo)體材料GaN和SiC，相較前兩代產(chǎn)品
2022-12-09 10:46:48910 介電擊穿場強高10倍、電子飽和速度高2倍、能帶隙高3倍和熱導(dǎo)率高3倍。 正因如此，SiC功率器件能夠提供Si半導(dǎo)體無法達到的革命性性能，特別適合新能源、汽車、5G通信應(yīng)用中對于高功率密度、高電、高頻率、高效率、以及高導(dǎo)熱率的應(yīng)用需求。 隨著外延工藝
2020-10-26 10:12:252654 
摘要：簡述了在SiC材料半導(dǎo)體器件制造工藝中,對SiC材料采用干法刻蝕工藝的必要性.總結(jié)了近年來SiC干法刻蝕技術(shù)的工藝發(fā)展?fàn)顩r. 半導(dǎo)體器件已廣泛應(yīng)用于各種場合,近年來其應(yīng)用領(lǐng)域已拓展至許多
2020-12-30 10:30:117638 
碳化硅（SiC）是第三代半導(dǎo)體材料的典型代表，也是目前晶體生長技術(shù)和器件制造水平最成熟，應(yīng)用最廣泛的寬禁帶半導(dǎo)體材料之一，是高溫，高頻，抗輻照，大功率應(yīng)用場合下極為理想的半導(dǎo)體材料。文章結(jié)合美國國防
2021-02-01 11:28:4629 第二代半導(dǎo)體材料主要是指化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵（GaAs）、銻化銦（InSb），主要用于制作高速、高頻、大功率以及發(fā)光電子器件（LED），是制作高性能微波、毫米波器件及發(fā)光器件的優(yōu)良材料。
2021-02-01 13:50:276712 
第三代半導(dǎo)體材料又稱寬禁帶半導(dǎo)體材料，主要包括碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等。與第一、二代半導(dǎo)體材料相比，第三代半導(dǎo)體材料擁有高禁帶寬度、高飽和電子漂移速度、高熱導(dǎo)率、導(dǎo)通阻抗小、體積小等優(yōu)勢
2021-05-03 16:18:0010174 
SiC（碳化硅）是一種由硅（Si）和碳（C）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。SiC 的優(yōu)點不僅在于其絕緣擊穿場強（Breakdown Field）是 Si 的 10 倍，帶隙（Energy Gap）是 Si
2021-04-20 16:43:0957 近年來，SiC功率器件結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝日趨完善，已經(jīng)接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續(xù)完善來提高裝置與系統(tǒng)性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件技術(shù)發(fā)展現(xiàn)狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發(fā)展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導(dǎo)體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術(shù)，具有傳統(tǒng)硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應(yīng)用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 10.3器件性能比較10.2單極型器件漂移區(qū)的優(yōu)化設(shè)計第10章功率器件的優(yōu)化和比較《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線：1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-11 10:06:18248 
在功率電子領(lǐng)域，要論如今炙手可熱的器件，SiC要說是第二，就沒有人敢說第一了。隨著原有的Si基功率半導(dǎo)體器件逐漸接近其物理極限，由第三代SiC功率器件接棒來沖刺更高的性能，已經(jīng)是大勢所趨。 與傳統(tǒng)
2023-08-16 08:10:05270 
一、什么是SiC半導(dǎo)體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構(gòu)成的化合物半導(dǎo)體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581144 
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
英飛凌如何控制和保證基于 SiC 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
點擊上方 “泰克科技” 關(guān)注我們！ 寬禁帶材料是指禁帶寬度大于 2.3eV 的半導(dǎo)體材料，以Ⅲ-Ⅴ族材料等最為常見，典型代表有碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN)，這些半導(dǎo)體材料也稱為第三代
2023-11-03 12:10:02273 
12月14日，第三代半導(dǎo)體行家極光獎在深圳重磅揭曉，派恩杰半導(dǎo)體榮膺“中國SiC器件Fabless十強企業(yè)”稱號。
2023-12-15 10:57:45466 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《電感器磁芯材料性能比較表.doc》資料免費下載
2024-02-27 15:57:300
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