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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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為第三代寬禁帶制造工藝提供支持，泰克新推S530系列參數(shù)測試系統(tǒng)
基于新興GaN和SiC寬禁帶技術的新型半導體產(chǎn)品，有望實現(xiàn)更快的開關速度，更寬的溫度范圍，更好的功率效率，以及其他更多增強功能。
2020-10-23 標簽：泰克混合信號測試系統(tǒng) 1014 0
SIC MOSFET對驅(qū)動電路的基本要求? SIC MOSFET（碳化硅金屬氧化物半導體場效應晶體管）是一種新興的功率半導體器件，具有良好的電氣特性和高...
作為國內(nèi)市占率第一、全球排名第六的IGBT龍頭企業(yè)，斯達半導在2024年上半年業(yè)績突然踩下剎車。昔日的高歌猛進為何戛然而止？ 8月31日，國內(nèi)IGBT龍...
電動汽車采用率的不斷提高正在推動對關鍵碳化硅電力電子元件的需求。半導體企業(yè)、汽車原始設備制造商和其他企業(yè)要如何在混亂中創(chuàng)造價值？
安森美擴建的碳化硅工廠落成 將使該基地SiC產(chǎn)能提高16倍
領先于智能電源和智能感知技術的安森美（onsemi，美國納斯達克股票代號：ON），慶祝在捷克共和國Roznov擴建的碳化硅 （以下簡稱“SiC”） 工廠...
近年來，碳化硅（SiC）半導體產(chǎn)業(yè)發(fā)生了重大變革，從歐美的IDM主導到中系廠的嶄露頭角，市場格局正經(jīng)歷激烈的變化。這場變革將如何影響供應鏈？以下是本文關...
基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-24...
目前沒有提供有關兩家公司將在該計劃上花費的時間范圍或金額的詳細信息。兩家公司表示，這項工作將包括開發(fā)電動機控制單元、高壓和低壓電源轉換器以及無線電力傳輸系統(tǒng)。
凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS
2023年10月，凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產(chǎn)品性能優(yōu)異，開關損耗更低、柵氧質(zhì)量更好、而且兼容15V和18...
自去年國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（以下簡稱大基金）成立，至今已募集資金1300多億元，提前并超額完成了基金的募集任務。正是因為“手握重金”，坊間對于大基金...
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓...
2024新的篇章，新的開端，SiC領域再現(xiàn)3起訂單；據(jù)“行家說三代半”不完全統(tǒng)計，近10天來，SiC領域的合作/訂單共5起，詳情請往下看。
產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合如何為SiC功率器件工廠賦能？
由于其寬帶隙和優(yōu)異的材料特性, SiC基功率電子器件現(xiàn)在正成為許多殺手級應用的后起之秀，例如汽車、光伏、快速充電、PFC等。
ROHM開發(fā)出業(yè)界先進的第4代低導通電阻SiC MOSFET
對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時...
Vishay推出新型650V SiC肖特基二極管，提升高頻應用能效
器件適用于服務器、電信設備、UPS和太陽能逆變器等應用領域的功率因數(shù)校正（PFC）續(xù)流、升降壓續(xù)流和LLC轉換器輸出整流，為設計人員實現(xiàn)系統(tǒng)優(yōu)化提供高靈活性。
第三代半導體碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）是近幾年新興的功率半導體，相比于傳統(tǒng)的硅（Si）基功率半導體，氮化鎵和碳化硅具有更大的禁帶寬度，更高的臨界...
家電電機驅(qū)動應用——SiC功率器件帶來更高能效和功率密度
過去數(shù)十年，各種能源法規(guī)都強調(diào)了制造節(jié)能型產(chǎn)品的重要性。這大大促進了節(jié)能降耗[1]。此外，這些法規(guī)和標準為利用諸如SiC MOSFET等新技術優(yōu)異的特性...
為了解決電動汽車的充電焦慮問題，更快的充電速度成為快充站的明確要求，實現(xiàn)充電5分鐘，行駛200公里會成為行業(yè)的普遍要求。
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