當(dāng)前，SiC器件已廣泛應(yīng)用在新能源車的主驅(qū)、OBC等關(guān)鍵部件，有效的降低了提升了開關(guān)速度，降低了能量損耗，使得整車的重量得到減少，續(xù)航里程得到提升。車用發(fā)展迅速，市場廣闊，在新能源產(chǎn)業(yè)強(qiáng)勁需求下，全球SiC產(chǎn)業(yè)步入高速成長期，市場快速增長。

近日，第九屆國際第三代半導(dǎo)體論壇（IFWS）&第二十屆中國國際半導(dǎo)體照明論壇（SSLCHINA）于廈門召開。期間，“碳化硅襯底、外延生長及其相關(guān)設(shè)備技術(shù)”分會上，河北普興電子科技股份有限公司產(chǎn)品總監(jiān)張永強(qiáng)分享了200 mm 4H-SiC高質(zhì)量厚層同質(zhì)外延生長的最新研究進(jìn)展。

普興電子從16年開始SiC的研發(fā)，19年實現(xiàn)了6寸SiC外延片的量產(chǎn)，21年中標(biāo)國家工信部碳化硅外延產(chǎn)業(yè)化的項目。目前主要為1200V MOS產(chǎn)品，已通過車規(guī)級驗證，應(yīng)用在新能源車主驅(qū)模塊上。

8寸外延是碳化硅外延技術(shù)的發(fā)展趨勢。報告顯示，普興電子近期研發(fā)出的8英寸碳化硅外延片的新產(chǎn)品，解決了8寸襯底應(yīng)力大、易開裂、外延均勻性及缺陷難控制等難點。厚度均勻性為0.6%，濃度均勻性為2.3%。8寸產(chǎn)品的均勻性已達(dá)到與6寸量產(chǎn)產(chǎn)品相當(dāng)?shù)乃健?/strong>