EUV薄膜容錯成本高 成芯片良率的關鍵

近20年來，EUV光源、EUV掩模和EUV光刻膠一直是EUV光刻的三大技術挑戰。

2023-09-14 標簽：單芯片cpu芯片光刻機 1229 0

CPU的硬件運行效率

提到CPU性能，大部分同學想到的都是CPU利用率，這個指標確實應該首先被關注。但是除了利用率之外，還有很容易被人忽視的指標，就是指令的運行效率。如果運行...

2023-05-17 標簽：cpu硬件光刻機 1095 0

銅電鍍應用廣泛 光伏方案多元化

電鍍技術應用廣泛。電鍍技術是現代微電子制造中的重要技術，廣泛應用于PCB制造、IC封裝等領域

2023-08-24 標簽：轉換器IC封裝電解液 1079 0

碳化硅晶片C面與硅面的存在原因探究

Si-Si鍵能大小為 310 kJ/mol，可以理解鍵能是把這兩個原子拉開的力度，鍵能越大，需要拉開的力越大。 Si-C鍵原子間距為 1.89 ?，...

2024-03-26 標簽：SiC晶片光刻機 1074 0

如何簡化光刻膠圖形化過程呢？

摻雜少量鉑元素的鎳硅化物的穩定性也不盡相同，還與物質的具體結構有關，舉個例子來說，NiPtSi，比NiSi要穩定。

2023-08-27 標簽：接觸器CMP光刻機 1036 0

晶圓需要拋光的原因分析

　光刻機的鏡頭要實現納米級的成像分辨率，就得拼命增大鏡片的數值孔徑（Numerical Aperture），但這同時會導致焦深（DoF）的下降，焦深是指...

2024-01-22 標簽：晶圓芯片制造半導體器件 1014 0

一文解析半導體設計電路的“光刻工藝”

利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見光后會發生性質變化，從而使光罩上得圖形復印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用。

2024-03-06 標簽：集成電路光刻機光刻膠 982 0

中國電科宣布已實現國產離子注入機28納米工藝制程全覆蓋

離子注入機是芯片制造中的關鍵裝備。在芯片制造過程中，需要摻入不同種類的元素按預定方式改變材料的電性能，這些元素以帶電離子的形式被加速至預定能量并注入至特...

2023-07-03 標簽：集成電路芯片制造光刻機 979 0

半導體光刻工藝 光刻—半導體電路的繪制

金屬-氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。

2023-07-27 標簽：MOSFET半導體場效應晶體管 977 0

芯片制造和傳統IC封裝的生產有何不一樣

DUV是深紫外線，EUV是極深紫外線。從制程工藝來看，DUV只能用于生產7nm及以上制程芯片。而只有EUV能滿足7nm晶圓制造，并且還可以向5nm、3n...

2023-07-10 標簽：集成電路芯片制造光刻機 966 0

氦質譜檢漏儀電子束***檢漏

上海伯東客戶某光刻機生產商, 生產的電子束光刻機 Electron Beam Lithography System 最大能容納 300mmφ 的晶圓片和...

2023-06-02 標簽：光刻機檢漏氦質譜檢漏儀 896 0

用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術介紹

? 本文介紹了用來提高光刻機分辨率的浸潤式光刻技術。 芯片制造：光刻技術的演進 過去半個多世紀，摩爾定律一直推動著半導體技術的發展，但當光刻機的光源波長...

2024-11-24 標簽：芯片制造光刻機光刻技術 876 0

高數值孔徑EUV光刻：引領下一代芯片制造的革命性技術

摩爾定律是指在給定面積的硅片上，晶體管的數量大約每兩年翻一番，這種增益推動了計算技術的發展。在過去半個世紀里，我們將該定律視為一種類似進化或衰老的不可避...

2024-01-24 標簽：摩爾定律晶體管芯片制造 843 0

半導體零部件行業深度報告

半導體設備主要應用于集成電路的制造和封測環節，可細分為晶圓制造設備(前道設備）和封裝、測試設備（后道設備)。其中，前道設備主要有光刻機、刻蝕機、薄膜沉積...

2023-12-27 標簽：集成電路芯片制造光刻機 809 0

全面解析***結構及工作原理

光刻與光刻機 ?對準和曝光在光刻機(Lithography Tool)內進行。 ?其它工藝在涂膠顯影機(Track)上進行。 光刻機結...

2023-12-19 標簽：控制系統IC設計測量系統 730 0

下一代超精密激光加工解決案例

光的功能有多強大？下面先看看國內權威媒體對先進激光技術應用的一則新聞報道！

2023-09-01 標簽：激光器光刻機多模光纖 658 0