恩智浦推出全新面向工業(yè)與物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的MCX微控制器產(chǎn)品組合，賦能安全邊緣計(jì)算，其中MCX N系列為用戶(hù)帶來(lái)高能效多任務(wù)處理、AI加速、智能外設(shè)與靈活的開(kāi)發(fā)體驗(yàn)。
2024-03-21 13:33:11
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臺(tái)積電的 Suk Lee 發(fā)表了題為“摩爾定律和半導(dǎo)體行業(yè)的第四個(gè)時(shí)代”的主題演講。Suk Lee表示，任何試圖從半導(dǎo)體行業(yè)傳奇而動(dòng)蕩的歷史中發(fā)掘出一些意義的事情都會(huì)引起我的注意。正如臺(tái)積電所解釋
2024-03-13 16:52:37
想問(wèn)一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
和自適應(yīng) SoC 產(chǎn)品組合的最新成員。Spartan UltraScale+ 器件能為邊緣端各種 I/O 密集型應(yīng)用提供成本效益與高能效性能，在基于 28 納米及以下制程技術(shù)的
2024-03-07 14:33:2389 
IGBT應(yīng)用于變頻器逆變電路中，存在這么一種情況，IGBT先短路再開(kāi)通，請(qǐng)問(wèn)這是一種什么樣的過(guò)程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起來(lái)，然后啟動(dòng)變頻器，此時(shí)這種過(guò)程就可以稱(chēng)之為先短路再
2024-02-29 23:08:07
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
在IGBT短路時(shí)，假設(shè)在導(dǎo)通時(shí)短路，此時(shí)IGBT驅(qū)動(dòng)電壓達(dá)到穩(wěn)定高值，就是IGBT已經(jīng)完全導(dǎo)通，此時(shí)刻觸發(fā)外部電路短路，用示波器查看驅(qū)動(dòng)電壓、CE電壓和輸出電流，變頻器在極短的時(shí)間內(nèi)響應(yīng)后，驅(qū)動(dòng)電壓
2024-02-25 11:31:12
IGBT模塊或者單管應(yīng)用于變頻器的制造，在做變頻器的短路實(shí)驗(yàn)時(shí)，在IGBT開(kāi)通時(shí)刻做出短路動(dòng)作，IGBT的CE電壓會(huì)從零逐漸升高到最大之然后回到母線電壓的一半后達(dá)到穩(wěn)定。
但是在具體波形時(shí)，IGBT
2024-02-21 20:12:42
IGBT的柵極電壓與管子允許的短路時(shí)間是什么關(guān)系？ IGBT是一種集成了晶體管和MOSFET技術(shù)的功率電子器件。它的主要功能是將低電平信號(hào)轉(zhuǎn)換為高電壓、高電流能力的輸出信號(hào)。在工業(yè)控制和電源
2024-02-20 11:00:57204 為什么IGBT的短路耐受時(shí)間只有10us？10us又是如何得來(lái)的？ IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）是一種常用的功率半導(dǎo)體器件，用于控制高功率的電流和電壓。它結(jié)合了MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體
2024-02-18 15:54:55235 IGBT導(dǎo)通過(guò)程發(fā)生的過(guò)流、短路故障 IGBT導(dǎo)通過(guò)程中可能發(fā)生的過(guò)流、短路故障一直是電力電子領(lǐng)域研究的熱點(diǎn)問(wèn)題之一。IGBT 是一種新型的功率半導(dǎo)體器件，它結(jié)合了普通晶體管的低壓控制能力和可靠性
2024-02-18 11:14:37247 IGBT開(kāi)通過(guò)程發(fā)生的過(guò)流、短路故障 IGBT是一種三端功率半導(dǎo)體器件，常用于電力電子領(lǐng)域。它具有開(kāi)關(guān)速度快、工作溫度范圍廣、損耗小等優(yōu)點(diǎn)，因此在各種電源、驅(qū)動(dòng)、變換和控制系統(tǒng)中得到廣泛應(yīng)用。 然而
2024-02-18 11:14:33309 IGBT過(guò)流和短路故障的區(qū)別? IGBT是絕緣柵雙極型晶體管的縮寫(xiě)，是一種半導(dǎo)體功率開(kāi)關(guān)器件。在工業(yè)和電力領(lǐng)域廣泛應(yīng)用，常常用于高壓、高電流的開(kāi)關(guān)電源和逆變器中。然而，由于各種原因，IGBT有可能
2024-02-18 11:05:32274 在電力電子技術(shù)領(lǐng)域，絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是一種被廣泛應(yīng)用的半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)器件。它結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的輸入阻抗高和雙極型晶體管（BJT）的載流能力強(qiáng)的優(yōu)點(diǎn)。
2024-02-18 10:29:261055 
IGBT應(yīng)用中有哪些短路類(lèi)型？ IGBT是一種主要用于功率電子應(yīng)用的半導(dǎo)體器件。在實(shí)際應(yīng)用中，IGBT可能會(huì)遭遇多種短路類(lèi)型。下面，我將詳細(xì)介紹IGBT應(yīng)用中常見(jiàn)的短路類(lèi)型。 1. IGBT內(nèi)部開(kāi)路
2024-02-18 10:21:57222 短路是什么原因造成的 igbt上下橋短路原因? 短路是一種電路故障，其特點(diǎn)是電流繞過(guò)正常的電路路徑，通過(guò)一條或多條低阻抗的路徑流過(guò)。IGBT是一種常見(jiàn)的功率半導(dǎo)體器件，可用于控制和放大電流
2024-02-18 10:08:38322 短路耐受時(shí)間是指IGBT在短路條件下能夠持續(xù)導(dǎo)通而不發(fā)生故障的時(shí)間。這個(gè)參數(shù)對(duì)于系統(tǒng)保護(hù)策略的設(shè)計(jì)至關(guān)重要，因?yàn)樗鼪Q定了系統(tǒng)在檢測(cè)到短路并采取措施（如關(guān)閉IGBT或限制電流）之前可以容忍的最長(zhǎng)
2024-02-06 16:43:251317 
IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）擊穿短路的原因是一個(gè)復(fù)雜且多元的問(wèn)題，涉及多個(gè)因素相互作用。以下是對(duì)IGBT擊穿短路原因的詳細(xì)分析，旨在達(dá)到1000字的要求。
2024-02-06 11:26:53897 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，因其高效率和快速開(kāi)關(guān)特性而受到青睞。
2024-02-06 11:14:40303 由于短路會(huì)導(dǎo)致負(fù)載電阻降低或短路，使得電流突然增大。IGBT作為開(kāi)關(guān)管，其額定電流通常有限，該突然增大的電流可能會(huì)超過(guò)IGBT管的額定電流，導(dǎo)致IGBT管過(guò)電流而被破壞。
2024-02-06 10:26:54574 服務(wù)范圍MOSFET、IGBT、DIODE、BJT，第三代半導(dǎo)體器件等分立器件，以及上述元件構(gòu)成的功率模塊。檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)l AEC-Q101分立器件認(rèn)證l MIL-STD-750
2024-01-29 22:00:42
標(biāo)準(zhǔn)。安森美(onsemi)作為一家半導(dǎo)體供應(yīng)商，為高要求的應(yīng)用提供能在惡劣環(huán)境下運(yùn)行的產(chǎn)品，且這些產(chǎn)品達(dá)到了高品質(zhì)和高可靠性。之前我們分享了如何對(duì)IGBT進(jìn)行可靠性測(cè)試，今天我們來(lái)介紹如何通過(guò)可靠性審核程序確保IGBT的產(chǎn)品可靠性。
2024-01-25 10:21:16997 
IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種繼MOSFET和BJT之后的新型功率半導(dǎo)體器件，它的特點(diǎn)是結(jié)合了MOSFET的高輸入阻抗和BJT的低通壓損耗
2024-01-18 17:31:231080 客戶(hù)，提高我們以完整的系統(tǒng)解決方案完善整體產(chǎn)品組合的能力。這項(xiàng)重組決定是意法半導(dǎo)體推進(jìn)公司既定戰(zhàn)略重要一步，符合我們向所有利益相關(guān)者承諾的價(jià)值主張，也與我們?cè)?022年設(shè)定的業(yè)務(wù)和財(cái)務(wù)目標(biāo)一致。
2024-01-12 09:21:55277 半導(dǎo)體放電管的選型技巧 半導(dǎo)體放電管是一種用于電子設(shè)備中的重要元件。在選型時(shí)，需要考慮一系列的因素，包括電壓、電流、功率、封裝、溫度特性等。 一、電壓特性 半導(dǎo)體放電管的電壓特性是選型的首要考慮因素
2024-01-03 13:54:31167 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日推出符合 AEC-Q101 標(biāo)準(zhǔn)的產(chǎn)品組合
2023-12-24 09:32:02490 11 月 28 日，安世半導(dǎo)體 BG MOS 產(chǎn)品線高級(jí)應(yīng)用經(jīng)理方舟先生，為廣大工程師帶來(lái)了《Nexperia車(chē)規(guī)級(jí) MOSFET - 提升 EV 驅(qū)動(dòng)能效的絕佳選擇》的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)，重點(diǎn)介紹了安世半導(dǎo)體最新車(chē)規(guī)級(jí) MOSFET 產(chǎn)品，及其在新能源汽車(chē)車(chē)身和底盤(pán)中的應(yīng)用。
2023-12-15 10:35:31417 功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：IGBT短路結(jié)溫和次數(shù)
2023-12-15 09:54:25311 
根據(jù)不同的誘因，常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過(guò)電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
技術(shù)的產(chǎn)品系列，其新封裝形式一定程度上豐富了其市場(chǎng)價(jià)值主張。圖1顯示了目前可用的分立產(chǎn)品組合，重點(diǎn)如下：1.采用TO-247PLUS封裝可實(shí)現(xiàn)高功率密度，可用于商用車(chē)和農(nóng)用車(chē)(CAV)
2023-12-11 17:31:13196 
IGBT集電極電壓超過(guò)額定電壓會(huì)發(fā)生什么？
2023-12-08 16:55:30455 
功率半導(dǎo)體電流額定值和熱設(shè)計(jì)
2023-12-07 14:36:27233 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗
2023-12-05 16:31:25240 
這里，我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。
2023-12-05 16:22:312602 
，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-05 10:33:32177 據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導(dǎo)體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導(dǎo)體將持續(xù)擴(kuò)大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。
2023-12-04 16:49:11519 前段時(shí)間與現(xiàn)場(chǎng)設(shè)計(jì)師討論到額定限制短路電流I~q~這個(gè)參數(shù)的時(shí)候，被問(wèn)到它與斷路器的額定極限短路分?jǐn)嗄芰~cu~和額定運(yùn)行短路分?jǐn)嗄芰~cs~的區(qū)別，甚至與短時(shí)耐受電流I~cw~的差異。
2023-12-04 11:26:44419 
絕對(duì)最大額定值的含義 IGBT IPM的絕對(duì)最大額定值 絕對(duì)最大額定值是指在任何工作條件下，設(shè)備允許的最大電壓、電流、功率以及溫度等參數(shù)的界限值。IGBT IPM（Insulated Gate
2023-11-24 14:15:33368 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《ADI電源管理產(chǎn)品組合.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-24 11:48:45
0 國(guó)內(nèi)各家（英飛凌、安森美）車(chē)載IGBT的產(chǎn)品性能上的對(duì)比情況車(chē)載IGBT分為幾個(gè)層級(jí)，主要分為A0/A00級(jí)以下，A級(jí)車(chē)，還有一些專(zhuān)用車(chē)?yán)缥锪骱痛蟀蛙?chē)。在2015年以前是沒(méi)有IGBT車(chē)規(guī)級(jí)的說(shuō)法
2023-11-23 16:48:00556 
igbt芯片、igbt單管、igbt模塊、igbt器件等這些的區(qū)別是什么？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種高壓、高電流功率半導(dǎo)體器件，常被用于
2023-11-10 14:26:281260 Synopsys, Inc.11月8日宣布擴(kuò)展其 ARC處理器 IP 產(chǎn)品組合，納入新的RISC-V ARC-V 處理器 IP，使客戶(hù)能夠從各種靈活、可擴(kuò)展的處理器選項(xiàng)中進(jìn)行選擇
2023-11-09 12:41:33468 什么是igbt短路測(cè)試？igbt短路測(cè)試平臺(tái)? IGBT短路測(cè)試是針對(duì)晶體管IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）進(jìn)行的一種測(cè)試方法。IGBT是一種高壓高功率
2023-11-09 09:18:291042 10月30日，2023慕尼黑華南電子展在深圳國(guó)際會(huì)展中心盛大開(kāi)幕，珠海極海半導(dǎo)體有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“極海”）攜最新汽車(chē)電子、電機(jī)控制及工業(yè)與能源領(lǐng)域的產(chǎn)品組合及應(yīng)用解決方案亮相本次展會(huì)。
2023-10-31 11:31:15466 IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:052492 
萊尼 EcoSense Nxt 和萊尼 EcoSense Nxt+ 拓寬了電纜制造商的產(chǎn)品組合
2023-10-25 10:48:37250 。
比亞迪半導(dǎo)體2007年建立IGBT模塊生產(chǎn)線，2009年完成首款車(chē)規(guī)級(jí)IGBT芯片開(kāi)發(fā)，可提供包含裸芯片、單管、功率模塊等不同形式的產(chǎn)品。于2008年底發(fā)布其自研車(chē)規(guī)級(jí)IGBT4.0技術(shù)。
l 揚(yáng)杰
2023-10-16 11:00:14
芯未半導(dǎo)體的半導(dǎo)體項(xiàng)目于去年8月開(kāi)工。當(dāng)時(shí)芯片未完成項(xiàng)目共投資10億元人民幣，分兩個(gè)階段建設(shè)，竣工投產(chǎn)后，將向包括igbt芯片、模塊和解決方案構(gòu)成產(chǎn)品等的電力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)企業(yè)提供igbt特有的授權(quán)委托加工服務(wù)。
2023-10-16 10:13:52390 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42
華為全聯(lián)接大會(huì)2023期間，在"攜手伙伴，加速中小企業(yè)智能化"商業(yè)市場(chǎng)峰會(huì)上，華為發(fā)布了三個(gè)產(chǎn)品組合，如面向多個(gè)行業(yè)場(chǎng)景的華為零漫游分布式Wi-Fi解決方案。這些產(chǎn)品組合將幫助合作伙伴在商業(yè)市場(chǎng)贏得更多客戶(hù)，取得更多成功。
2023-09-26 06:53:48542 絕緣柵雙極晶體管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT）是一種復(fù)合半導(dǎo)體器件，融合了MOSFET的快速開(kāi)關(guān)能力、高頻操作、高輸入阻抗、簡(jiǎn)單的驅(qū)動(dòng)電路和有利的熱特性等優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)還具備了GTR的大電流承載能力和高阻擋電壓
2023-09-21 14:08:161047 
2023 年 9 月 11 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-19 11:07:01190 。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿(mǎn)足了市場(chǎng)對(duì)于高效高壓開(kāi)關(guān)器件不斷增長(zhǎng)的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的功率密度，包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)（例如5到20 kW (20 kHz)的伺服電機(jī)）、機(jī)器人、電梯、機(jī)器操作手、工業(yè)自動(dòng)化、功率逆變
2023-09-19 02:43:54232 2023 年 9 月 11 日，中國(guó) – 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:39:11586 意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 ▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng)，直擊智能熱點(diǎn)，共享前沿資訊，通過(guò)意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃，實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
25年來(lái)，技術(shù)創(chuàng)新一直是意法半導(dǎo)體公司的戰(zhàn)略核心，這也是意法半導(dǎo)體當(dāng)前能夠?yàn)殡娏湍茉垂芾眍I(lǐng)域提供廣泛尖端產(chǎn)品的原因。意法半導(dǎo)體的產(chǎn)品組合包括高效率的電源技術(shù)，如：? 碳化硅功率分立器件? 高壓
2023-09-07 07:36:32
意法半導(dǎo)體的廣泛數(shù)字電源產(chǎn)品組合可滿(mǎn)足數(shù)字電源設(shè)計(jì)的要求。我們的產(chǎn)品包括MCU（專(zhuān)為數(shù)字功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用全數(shù)字控制方法）和數(shù)字控制器（具有面向軟件控制算法的專(zhuān)用ROM存儲(chǔ)器）。意法半導(dǎo)體
2023-09-07 06:49:47
意法半導(dǎo)體的廣泛數(shù)字電源產(chǎn)品組合可滿(mǎn)足數(shù)字電源設(shè)計(jì)的要求。我們的產(chǎn)品包括MCU（專(zhuān)為數(shù)字功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用而設(shè)計(jì)，采用全數(shù)字控制方法）和數(shù)字控制器（具有面向軟件控制算法的專(zhuān)用ROM存儲(chǔ)器）。意法半導(dǎo)體
2023-09-06 07:44:16
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《Brocade推出Fabric Vision增強(qiáng)第5代產(chǎn)品組合.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-29 11:04:190 功能安全是指系統(tǒng)檢測(cè)、診斷和安全地緩解故障發(fā)生，防止對(duì)人和環(huán)境造成傷害的能力。
它是在汽車(chē)、工業(yè)和機(jī)器人等市場(chǎng)開(kāi)發(fā)安全關(guān)鍵應(yīng)用的關(guān)鍵。
ARM提供產(chǎn)品、工具、平臺(tái)和軟件來(lái)實(shí)現(xiàn)功能安全，從而加快這些安全關(guān)鍵型應(yīng)用程序的上市時(shí)間
2023-08-29 06:39:51
Infineon(英飛凌)作為一家全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體解決方案提供商，其IGBT管產(chǎn)品在市場(chǎng)上備受矚目。下面將介紹英飛凌IGBT管前10熱門(mén)型號(hào):一、英飛凌IGBT管前10熱門(mén)
2023-08-25 16:58:531477 
，減少人力資源消耗，為半導(dǎo)體行業(yè)降本增效。Novator系列全自動(dòng)影像儀創(chuàng)新推出的飛拍測(cè)量、圖像拼接、環(huán)光獨(dú)立升降、圖像匹配、無(wú)接觸3D掃描成像等功能，多方面滿(mǎn)足客戶(hù)測(cè)量需求，解決各行業(yè)尺寸測(cè)量難題。
2023-08-21 13:38:06
近日，基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布推出負(fù)載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品系列，進(jìn)一步擴(kuò)充其模擬和邏輯產(chǎn)品組合。NPS4053是本次產(chǎn)品發(fā)布的主角，這是一款高密度集成電路(IC
2023-08-18 09:25:07544 精準(zhǔn)控制功耗，具備超強(qiáng)系統(tǒng)安全性。 ? 奈梅亨， 2023 年 8 月 17 日 ：基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布推出負(fù)載開(kāi)關(guān)產(chǎn)品系列，進(jìn)一步擴(kuò)充其模擬和邏輯產(chǎn)品組合
2023-08-17 09:25:18351 
先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
摘要: 為提升高壓 IGBT 的抗短路能力，進(jìn)一步改善短路與通態(tài)壓降的矛盾關(guān)系，研究了
IGBT 背面工藝對(duì)抗短路能力的影響。通過(guò) TCAD 仿真，在 IGBT 處于負(fù)載短路工作期間，針對(duì)
2023-08-08 10:14:470 半橋和共發(fā)射極模塊產(chǎn)品組合。模塊的最大電流規(guī)格高達(dá) 800 A ，擴(kuò)展了英飛凌采用成熟的62 mm 封裝設(shè)計(jì)的產(chǎn)品組合。電流輸出能力的提高為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員在設(shè)計(jì)額定電流更高方案的時(shí)候，不僅提供最大
2023-08-07 11:12:56417 
IGBT模塊短路特性強(qiáng)烈地依賴(lài)于具體應(yīng)用條件，如溫度、雜散電感、IGBT驅(qū)動(dòng)電路及短路回路阻抗。
2023-08-04 09:01:17916 
近年來(lái)薩科微半導(dǎo)體發(fā)展神速，在掌握第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件技術(shù)的基礎(chǔ)上，薩科微slkor投入大量精力和資金，推出了IGBT和電源管理芯片等系列高端產(chǎn)品。薩科微副總經(jīng)理賀俊駒介紹，在功率器件應(yīng)用市場(chǎng)
2023-07-31 11:14:43404 
今年以來(lái)，國(guó)外某些國(guó)家仍然在拉動(dòng)其盟友在對(duì)中國(guó)的半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)行打擊，意味著國(guó)產(chǎn)化半導(dǎo)體的進(jìn)程將進(jìn)一步加速。如今在國(guó)內(nèi)，是否有純國(guó)產(chǎn)的IGBT單管生產(chǎn)廠家的產(chǎn)品型號(hào)值得推薦呢？
2023-07-14 10:29:28408 
新推出的ISOFACE雙通道數(shù)字隔離器進(jìn)一步壯大了英飛凌的隔離產(chǎn)品組合，可廣泛適用于服務(wù)器、通信和工業(yè)SMPS、工業(yè)自動(dòng)化系統(tǒng)、電機(jī)控制和驅(qū)動(dòng)、儲(chǔ)能系統(tǒng)及太陽(yáng)能逆變器等各種應(yīng)用。
2023-07-06 09:55:00228 。Nexperia在其龐大的產(chǎn)品組合中增加了IGBT，滿(mǎn)足了市場(chǎng)對(duì)于高效高壓開(kāi)關(guān)器件不斷增長(zhǎng)的需求以及在性能和成本方面的要求。這些器件有助于提高電源轉(zhuǎn)換和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的功率密度，包括工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)（例如
2023-07-05 16:34:291053 IGBT作為一種新型功率半導(dǎo)體器件，是工業(yè)控制及自動(dòng)化領(lǐng)域的核心元器件，其作用類(lèi)似于人類(lèi)的心臟，能夠根據(jù)裝置中的信號(hào)指令來(lái)調(diào)節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)調(diào)控的目的。因此，IGBT
2023-06-25 15:37:321286 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布擴(kuò)充 NextPower 80/100 V MOSFET 產(chǎn)品組合的封裝系列。此前該產(chǎn)品組合僅提供 LFPAK56E 封裝
2023-06-21 10:34:32562 現(xiàn)可提供具備高效開(kāi)關(guān)和低尖峰特性的LFPAK56和LFPAK88封裝 ? 奈梅亨， 2023 年 6 月 21 日： 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家Nexperia今日宣布擴(kuò)充NextPower
2023-06-21 09:21:57595 
盡管當(dāng)前全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)處于下行周期，總體市場(chǎng)氛圍需求不振，但依然存在IGBT等少數(shù)供不應(yīng)求的領(lǐng)域。消息稱(chēng)，英飛凌、意法半導(dǎo)體國(guó)外大廠IGBT交期均在50周以上，產(chǎn)能緊張或?qū)⒊掷m(xù)至2025年。而這
2023-06-19 15:35:08360 Nexperia | 推出用于自動(dòng)安全氣囊的專(zhuān)用MOSFET (ASFET)新產(chǎn)品組合 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）推出了用于自動(dòng)化安全氣囊應(yīng)用的專(zhuān)用 MOSFET
2023-05-29 10:35:11372 Nexperia | 擴(kuò)展用于汽車(chē)以太網(wǎng)的 ESD 保護(hù)解決方案產(chǎn)品組合 Nexperia（安世半導(dǎo)體）宣布擴(kuò)展其備受贊譽(yù)的汽車(chē)以太網(wǎng) ESD 保護(hù)器件產(chǎn)品組合。 近日，基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專(zhuān)家
2023-05-29 10:33:19363 Wolfspeed 產(chǎn)品組合涵蓋大量需要低至高功率解決方案的許多行業(yè)和應(yīng)用，包括電動(dòng)汽車(chē)（EV）、工業(yè)電源、電網(wǎng)基礎(chǔ)設(shè)施、太陽(yáng)能和可再生能源、測(cè)試設(shè)備、不間斷電源（UPS）和其它高功率系統(tǒng)。其中包括
2023-05-20 15:20:11508 Diodes 公司（Diodes） （Nasdaq：DIOD） 宣布推出同步降壓轉(zhuǎn)換器產(chǎn)品組合的新產(chǎn)品。AP62500和AP62800 的連續(xù)輸出電流額定值分別為5A 和8A，讓工程師在開(kāi)發(fā)針對(duì)效率或尺寸進(jìn)行優(yōu)化的負(fù)載點(diǎn)（POL） 解決方案時(shí)，更具彈性。
2023-05-15 16:11:29556 當(dāng)?shù)貢r(shí)間5月9日，全球領(lǐng)先的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商瑞能半導(dǎo)體攜其最新產(chǎn)品亮相在德國(guó)紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產(chǎn)品組合包含碳化硅器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET
2023-05-10 14:19:30770 
據(jù)統(tǒng)計(jì)，IGBT、MOS管、電源管理IC等在儲(chǔ)能逆變器里占比高、數(shù)量多，是必不可少的半導(dǎo)體器件。
2023-05-08 15:46:30862 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專(zhuān)家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出全新 16 通道 I2C 通用輸入輸出（GPIO）擴(kuò)展器產(chǎn)品組合，旨在提高電子系統(tǒng)的靈活性和重復(fù)利用能力。其中
2023-05-04 17:34:04898 
產(chǎn)品組合，旨在提高電子系統(tǒng)的靈活性和重復(fù)利用能力。其中一款GPIO擴(kuò)展器NCA9595采用可通過(guò)寄存器配置的內(nèi)部上拉電阻，可根據(jù)實(shí)際需要自定義以?xún)?yōu)化功耗。當(dāng)需要擴(kuò)展I/O數(shù)量時(shí)，利用該產(chǎn)品組合可實(shí)現(xiàn)簡(jiǎn)潔的設(shè)計(jì)，同時(shí)盡可能減少互連。這有助于設(shè)計(jì)工程師增添新功能，而且不會(huì)增加
2023-04-28 10:37:19612 
）雙極型三極管和絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管（MetalOxideSemiconductor，MOS）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,兼有（Metal-Oxide-Semi
2023-04-20 09:54:432097 
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 16:00:28
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
中國(guó)北京（2023年4月12日）—業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice今日宣布，旗下車(chē)規(guī)級(jí)GD25/55 SPINOR Flash和GD5F SPI NAND Flash系列產(chǎn)品
2023-04-13 15:18:46
2.54MM 短路帽
2023-04-06 21:53:17
2.54MM 短路帽
2023-04-06 21:53:13
IGBT是高頻開(kāi)關(guān)器件，芯片內(nèi)部的電流密度大。當(dāng)發(fā)生過(guò)流或短路故障時(shí)，器件中流過(guò)的大于額定值的電流時(shí)，極易使器件管芯結(jié)溫升高，導(dǎo)致器件燒壞。今天我們就來(lái)聊聊IGBT的過(guò)流和短路保護(hù)。
2023-04-06 17:31:175475 
新工具帶來(lái)元器件級(jí)測(cè)試和外場(chǎng)測(cè)試解決方案，為當(dāng)前電動(dòng)交通充電測(cè)試產(chǎn)品提供強(qiáng)大補(bǔ)充 解決方案以通信協(xié)議為側(cè)重點(diǎn)，通過(guò)一致性測(cè)試和型式認(rèn)證提高產(chǎn)品互操作性 擴(kuò)大后的產(chǎn)品組合可為整個(gè)電動(dòng)汽車(chē)充電開(kāi)發(fā)
2023-03-28 18:41:101326 IGBT模塊作為汽車(chē)電驅(qū)系統(tǒng)最常昂貴的開(kāi)關(guān)元件。IGBT同時(shí)具有功率MOSFET導(dǎo)通功率小及開(kāi)關(guān)速度快的性能，以及雙極型晶體管飽和壓降低（導(dǎo)通電阻小）高電壓和大電流處理能力的半導(dǎo)體元件
2023-03-23 16:01:54
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