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意法半導體的新型IGBT器件可將功耗降低11%

意法半導體工業電子 ? 來源:意法半導體PDSA ? 2023-09-12 10:39 ? 次閱讀

2023 年 9 月 11 日,中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V,最高工作溫度拓寬到175°C,更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。

新推出的STPOWER IH2系列IGBT還提高了功率轉換能效,相關參數十分出色,例如,飽和電壓Vce(sat)很低,確保器件在導通狀態下耗散功率很低。續流二極管的壓降很低,關斷電能得到優化,讓工作頻率16kHz 至 60kHz 的單開關準諧振轉換器具有更高的能效。

新IGBT具有很好的耐變性和能效,非常適合電磁加熱設備,包括廚房爐灶、變頻微波爐、電飯鍋等家用電器。在2kW應用中,意法半導體的新型IGBT器件可將功耗降低11%。

此外,Vce(sat) 具有正溫度系數效應,器件之間緊密的參數分布有助于簡化設計,并輕松并聯多個 IGBT管,以滿足高功率應用需求。

該系列先期推出的兩款器件25A STGWA25IH135DF235A STGWA35IH135DF2 現已量產,采用標準 TO-247 長引線功率封裝。







審核編輯:劉清

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