MOSFET、600V~1350V溝槽柵場截止型IGBT，相關核心技術已獲得多項專利授權，四大系列產品均獲得江蘇省高新技術產品認定。
l 深圳芯能
成立時間：2013年
業務模式：設計
簡介：深圳芯能半導體
2023-10-16 11:00:14
半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。根據其分別可支持的開關速度
2019-05-06 05:00:17
半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。根據其分別可支持的開關速度
2019-03-27 06:20:04
投入了許多精力。 氮化鎵半導體 近年來，金屬氧化物半導體場效晶體管(MOSFET)已經成為切換電源的主要功率組件，從場效晶體管(FET)、雙極結型晶體管(BJT)、MOSFET、到絕緣柵雙極型晶體管
2018-10-23 16:12:16
半導體基礎知識與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
上次我們學習了無源元件，今天我們接著來復習一下半導體以及使用了半導體的有源元件-二極管、晶體管、FET。
2021-03-03 08:36:01
請問圖片是意法的什么元件，上面的絲印具體信息是什么，有能替代的嗎，查了資料沒找到這個型號，謝謝
2022-05-16 23:20:58
，ZRL典型值為±1dps，這些功能適合各種應用，特別是在精確運動檢測和提高相機性能方面。該傳感器還支持意法半導體開發的使用浮點數學運算將計步誤差率降低60％的增強版計步器算法，并集成一個能夠識別公共汽車
2018-11-05 14:07:51
Sigfox連網設備，以快速跟上持續增長的市場需求?！?佐臻WS211X系列模塊的開發板采用Arduino界面，便于快速開發，并且可以與意法半導體MEMS動作傳感器、環境傳感器或光學傳感器（ToF）等
2018-05-09 15:45:36
中國，2018年2月26日 – 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）今天宣布與遠創達科技公司簽署一份
2018-02-28 11:44:56
新任總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery任新執行委員會主席中國，2018年6月4日——根據意法半導體新任總裁兼首席執行官Jean-Marc Chery的提議，監事會批準成立新組建的由
2018-06-04 16:24:42
13日 – 針對重要的醫療和工業應用領域，意法半導體采用其經過驗證的支持單片集成模擬電路（雙極晶體管）、數字電路（CMOS）和電源（DMOS）電路的BCD8s-SOI制造工藝，推出一款新的尺寸緊湊、性能
2018-08-13 14:18:07
服務提供商 Sigfox宣布一項技術合作協議，以支持并提高市場對各種應用互聯設備的需求，包括供應鏈管理、樓宇和設備維護、水和燃氣計量、安保、交通、農業、礦業和家庭自動化。意法半導體的開發工具將整合
2018-03-12 17:17:45
▌峰會簡介第五屆意法半導體工業峰會即將啟程，現我們敬邀您蒞臨現場，直擊智能熱點，共享前沿資訊，通過意法半導體核心技術，推動加快可持續發展計劃，實現突破性創新~報名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
，加強安保，提高靈活性橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）推出新的STM32L5 系列? Cortex
2018-10-17 10:37:12
的硬件和(免費)注冊中國，2018年2月9日 —— 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）今天宣布，包括學生
2018-02-09 14:08:48
中國， 2018 年 5 月 21 日 —— 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供貨商意法半導體（ STMicroelectronics ，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ） 推出
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開關抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導通/關斷輸出或內部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
意法半導體單片天線匹配 IC系列新增兩款優化的新產品，面向BlueNRG-LPS系統芯片(SoC)，以及STM32WB1x 和STM32WB5x*無線MCU。單片天線匹配 IC有助于簡化射頻電路設計
2023-02-13 17:58:36
(STEVAL-LDO001V1)搭載1個STLQ020和3個其它型號低壓差（LDO）穩壓器，售價9.68美元。相關新聞意法半導體(ST)發布世界領先的防水壓力傳感器，首張訂單來自三星高性能穿戴式產品奇手(Qeexo
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進的車載導航
2018-07-17 16:46:16
中國，2018年10月10日——意法半導體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫及調試探針，進一步改進代碼燒寫及調試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲
2018-10-11 13:53:03
`中國，2018年6月22日——意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓
2018-06-25 11:01:49
系統等各種設備和系統。STM32系列微控制器的制造商意法半導體是世界領先的32位Arm?Cortex?-M-core 微控制器廠商。為加快和促進開發社區的應用開發，意法半導體建立了一個強大的軟硬件開發
2018-07-13 15:52:39
STM32* 微控制器上開發先進的高能效電機驅動器的難度。此舉為空調、家電、無人機、樓宇自動化、機床、醫療設備、電動車等產品設備工程師研發先進電機驅動帶來更多機會，而且無需專門的研發經驗?；?b class="flag-6" style="color: red">意法半導體上一代
2018-03-22 14:30:41
意法半導體已將其 STM32Cube.AI 機器學習開發環境放入云中，并配有可云訪問的意法半導體MCU板進行測試。這兩個版本都從TensorFlow，PyTorch或ONNX文件為STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
中國，2018年8月1日——意法半導體的FDA803D 和FDA903D汽車級數字輸入音頻放大器功能豐富，有助于簡化系統集成，最大限度提高車載信息服務及緊急呼叫設備和混動/電動汽車聲學提示系統
2018-08-02 15:33:58
微機電系統(MEMS)感測器制造技術邁入新里程碑。意法半導體(ST)宣布成功結合面型微加工(Surface-micromachining)和體型微加工(Bulk-micromachining)制程
2020-05-05 06:36:14
`中國，5月28日—— 橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供貨商意法半導體（ STMicroelectronics ，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ）發布 了2018 年可持續發展
2018-05-29 10:32:58
所未有的速度運行，大幅提高吞吐量；微步分辨率從?步到1/256步每微步，確保打印表面平滑度領先同級。3D打印性能實現如此巨大的飛躍關鍵在于意法半導體的STSPIN820步進電機驅動器IC。STSPIN820嵌入
2018-06-11 15:16:38
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;)發布一款創新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產品可簡化手機與其它便攜電子產品的電路設計，為
2011-11-24 14:57:16
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y構
2010-08-12 13:59:33
？
再者在場效應管這種單極性導電半導體中，為什么只是有一種離子導電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導電，請問這是為什么？同樣對于場效應管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
不同分類角度，有幾種不同的分類方法。在這里，從結構和工藝方面粗略地分類如下。其中，本篇的主題“功率類”加粗/涂色表示。雙極晶體管和MOSFET中，分功率型和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發
2018-11-28 14:29:28
和小信號型，IGBT原本是為處理大功率而開發的晶體管，因此基本上僅有功率型。 順便提一下，MOSFET為Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
2020-06-09 07:34:33
現代社會帶來了巨大的影響。2. 從鍺到硅最初，晶體管是由鍺（半導體）做成的。但是，鍺具有在80°C左右時發生損壞的缺點，因此現在幾乎都使用硅。硅是可以耐180°C左右熱度的物質。3. 晶體管的作用
2019-05-05 00:52:40
集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨立的元件.晶體管是半導體三極管中應用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管被認為是現代歷史中最偉大的發明
2010-08-12 13:57:39
電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM)于今日聯合宣布，將在意法半導體的ST Telemaco3P STA1385車載信息
2018-11-05 14:09:44
芯片，加快硅上氮化鎵在主流市場上的應用。意法半導體和MACOM為提高意法半導體CMOS晶圓廠的硅上氮化鎵產量而合作多年，按照目前時間安排，意法半導體預計2018年開始量產樣片。 MACOM公司總裁
2018-02-12 15:11:38
MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-EffectTransistor）是金屬-氧化物-半導體場效應晶體管的縮寫，也叫場效應管，是一種由運算器的基礎構成
2023-03-08 14:13:33
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中；晶體管是一個流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無用的。IGBT一般使用在大電流的場景。...
2021-10-29 08:28:40
電壓能力相結合。IGBT將用于控制輸入的隔離柵極FET和作為單個器件中開關的雙極型功率晶體管組合在一起。安森美半導體推出TO247-4L IGBT系列，具有強大且經濟實惠的Field StopII
2020-07-07 08:40:25
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
STM32系列打造意法半導體核心戰略產品
2012-07-31 21:36:53
Degauque表示：“意法半導體高射頻性能的NFC方案最大限度地提高了工程師在新產品設計時的自由空間和靈活度。通過充分利用這一靈活性， NFC在Alcatel 3V智能手機上的集成過程被有效簡化
2018-06-11 15:22:25
的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）與世界領先的獨立定位技術專家TomTom (TOM2)公司，宣布在意法半導體STM32* 開放式開發
2018-09-07 11:12:27
系統芯片的集成度達到空前水平，意法半導體擁有20多年的這能電表技術沉淀， PLC和智能電表芯片出貨量逾600萬個。 相關新聞意法半導體(ST)電力線通信芯片組解決方案為新智能電力基礎設施的推出鋪平道路
2018-03-08 10:17:35
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
ST意法半導體意法半導體擁有48,000名半導體技術的創造者和創新者，掌握半導體供應鏈和先進的制造設備。作為一家半導體垂直整合制造商(IDM)，意法半導體與二十多萬家客戶、成千上萬名合作伙伴一起研發
2022-12-12 10:02:34
晶閘管）、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IEGT（電子注入增強柵晶體管）、IPEM（集成電力電子模塊）、PEBB（電力電子積木）等。圖表2 功率半導體器件分類方式及代表類型（來源：電力電子技術
2019-02-26 17:04:37
，更不會增加閃爍或改變顏色。新Neonode系列觸控傳感器采用意法半導體的可編程混合信號定制系統芯片(SoC)和STM32 Arm? Cortex?微控制器控制掃描激光二極管和IR光束，以確定手指、手或
2018-02-06 15:44:03
本帖最后由 o_dream 于 2020-9-4 08:45 編輯
今天給大家帶來的是意法半導體STM32系列以及STM8系列MCU的一些介紹和相關的資料手冊，希望大家在這里能找到自己想要
2020-09-03 22:34:17
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數的電氣特性均遠超過硅組件，空乏型砷化鎵場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調節計算機、移動電話和所有其他現代電子電路運行的基本構件。由于其高響應和高精度，晶體管可用于各種數字和模擬功能，包括放大器、開關、穩壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
、伊朗和南非）。 全系產品完全符合相關法規要求，尺寸精細，而且質量絕佳。光寶全系列的 Sigfox 認證模塊都集成了兼具模塊性能和效能的 S2-LP sub-1GHz 射頻收發器，以及意法半導體
2018-07-13 11:59:12
的規則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結型晶體管
2023-02-03 09:45:56
和公交地鐵票務。出門問問一直將改善用戶體驗、提高操作便利性放在首要位置。其TicWatch Pro系列旗艦智能手表集成了意法半導體ST21NFCDNFC控制器，通過ST 獨有的NFC技術，可確保在維持高射
2018-07-13 13:06:48
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
滿足電機控制的需求，意法半導體以SLLIMM-nano系列產品形式提供多種功率開關技術。 3.1. 內置續流二極管的IGBT SLLIMM-nano系列產品所用的600 V IGBT采用意法半導體
2018-11-20 10:52:44
晶體管開關對電子產品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區域到更高級的特性和配置。 晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
中國，2018年8月8日——意法半導體推出符合LoRa-Alliance最新標準的LoRaWAN 1.0.3軟件更新包，使STM32系列微控制器的I-CUBE-LRWAN擴展軟件包保持最新、更加安全
2018-08-08 17:09:16
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
絕緣柵雙極晶體管（IGBT）有哪些應用呢？如何去實現絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的電磁兼容設計呢？
2022-01-14 07:02:41
本應用筆記為將意法半導體環境傳感器 （氣壓、濕度、紫外線傳感器）成功集成到Linux/Android 操作系統提供指南。
2023-09-05 06:08:58
半導體陣容的包括用于主逆變器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二極管、用于充電器的650 V超級結MOSFET、用于48V系統的80 V至200 V極低RDSon（< 1m
2018-10-25 08:53:48
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
，掌握它們的特性和參數。本章從討論半導體的導電特性和PN 結的單向導電性開始，分別介紹二極管、雙極型晶體管、絕緣柵場效應晶體管和半導體光電器件等常用的半導體元器件。喜歡的頂一頂，介紹的非常詳細哦。。。。[此貼子已經被作者于2008-5-24 11:05:21編輯過]
2008-05-24 10:29:38
到底什么是 IGBT？ IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極 型晶體管，是由晶體三極管和 MOS 管組成的復合型半導體器 件。IGBT 作為
2021-02-24 10:33:18
的IO-Link，能更好地幫助設備互聯互通。 傳感與數據處理：作為MEMS和傳感器技術創新、生產及應用方面的領導者，意法半導體能夠提供多種產品和定制化解決方案，以滿足客戶的不同需求。本次展會意法半導體將
2018-06-28 10:59:23
都不是實質問題?；貋砗?，我偶然中發現了這個秘密。原來是有一個叫陳××的教授，在《電子節能燈與電子鎮流器的原理和制造》一書中介紹了深愛半導體生產的BLD系列晶體管具有抗飽和防燒毀的功能，許多客戶的工程技術人員都在學習這本書，所以引起了市場的共鳴。
2009-12-17 10:27:07
晶體管的半導體的電流由空穴（正極性）和電子（負極性）產生。一般而言的晶體管是指這種由硅構成的晶體管。FETField Effect Transistor的簡稱，是指場效應晶體管。有接合型FET和MOS型
2019-05-05 01:31:57
大家好，首次發帖。本人為意法半導體工程師，因為下面一個molding工程師要辭職，繼續補充新鮮血液。要求：一.熟悉molding制程，需特別熟悉molding compound的性能為佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
小弟物理學本科應聘到深圳賽意法，想從事半導體封裝這個行業，這家公司怎么樣？
2013-06-14 19:24:04
意法半導體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩健的工藝? 吞吐量、設計簡單性、可靠性、經驗…? 適用于汽車的高生產率
2023-09-08 06:33:00
電子產品中，近年來逐漸被晶體管和集成電路所取代，但目前在一些高保真音響器材中，仍然使用電子管作為音頻功率放大器件?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">晶體管是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩壓、信號調制和許多
2016-01-26 16:52:08
受益于集成器件保護，直接驅動GaN器件可實現更高的開關電源效率和更佳的系統級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關特性可實現提高開關模式電源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
專利和商標局注冊。相關新聞意法半導體的新STM32探索套件簡化移動網至云端連接，并提供免費試用的第三方服務意法半導體(ST)新系列STM32L4+微控制器讓下一代智能產品“吃得少，干得多”意法半導體
2018-07-09 10:17:50
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導體結構分析略。本講義附加了相關資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
絕緣柵雙級晶體管IGBT
2012-08-20 09:46:02
的半導體開關器件。IGBT 晶體管采用了這兩種類型的晶體管的最好的部分，高輸入阻抗和高開關速度的 MOSFET 與低飽和電壓的雙極性晶體管，并結合在一起，產生另一種晶體管開關設備，能夠處理大集
2022-04-29 10:55:25
進一步減少所需的組件?！ {借英飛凌50V LDMOS功率晶體管技術，PTVA127002EV展現出了極高的能效：利用300微秒10%占空比脈沖進行測量，在1200 MHz~1400 MHz波段下
2018-11-29 11:38:26
意法半導體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
ADCSTM32H725ZGT6，V 18664341585,ST/意法半導體，Arm?Cortex?-M7 32位550 MHz MCU，最高1 MB閃存，564
2023-10-16 15:52:51
柵雙極晶體管」。 IGBT晶體管是半導體器件的一種，主要被用于電動汽車、鐵路機車及動車組的交流電電動機的輸出控制等領域。 IGBT晶體管是由BJT（雙極型晶體或雙極性晶體管，俗稱三極管）和MOSFET（絕緣
2021-02-03 17:37:15
11198 柵型場效應晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
絕緣柵雙極晶體管也簡稱為IGBT ，是傳統雙極結型晶體管(BJT) 和場效應晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導體開關器件。
2023-09-06 15:12:291491 
意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 2023 年 9 月 11 日，中國 – 意法半導體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設計余量、耐變性能和更長久的可靠性。
2023-09-12 10:39:11595 如何去識別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢？ IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導體器件，結合了雙極型晶體管（BJT）和場效應晶體管（FET）的特點。IGBT通常用于高電壓和高電流應用，例如工業
2024-01-12 11:18:10350
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