隨著電動汽車持續(xù)快速增長，充電樁市場空間正在逐漸打開，產(chǎn)業(yè)鏈巨頭搶先布局。

日前，聞泰科技旗下安世半導體(Nexperia)宣布推出其首款碳化硅(SiC)MOSFET，并發(fā)布兩款采用3引腳TO-247封裝的1200V分立器件，RDS(on)分別為40 mΩ和80 mΩ。這兩款產(chǎn)品聚焦電動汽車(EV)充電樁等市場，現(xiàn)已投入大批量生產(chǎn)。

據(jù)介紹，NSF040120L3A0和NSF080120L3A0是安世半導體SiC MOSFET產(chǎn)品組合中首批發(fā)布的產(chǎn)品，隨后安世半導體將持續(xù)擴大產(chǎn)品陣容，推出多款具有不同RDS(on)的器件，并提供通孔封裝和表面貼裝封裝供選擇。安世半導體指出，這次推出的兩款器件可用性高，可滿足電動汽車(EV)充電樁、不間斷電源(UPS)以及太陽能和儲能系統(tǒng)(ESS)逆變器等汽車和工業(yè)應用對高性能SiC MOSFET的需求。

安世半導體高級總監(jiān)兼SiC產(chǎn)品部主管Katrin Feurle表示：“Nexperia和三菱電機希望通過這兩款首發(fā)產(chǎn)品為市場帶來真正的創(chuàng)新，這個市場一直渴望更多的寬禁帶器件供應商。Nexperia現(xiàn)可提供SiC MOSFET器件，這些器件在多個參數(shù)上都具有一流的性能，例如超高的RDS(on)溫度穩(wěn)定性、較低的體二極管壓降、嚴格的閾值電壓規(guī)格以及極其均衡的柵極電荷比，能夠安全可靠地防止寄生導通。這是我們與三菱電機承諾合作生產(chǎn)高質(zhì)量SiC MOSFET的開篇之作。毫無疑問，在未來幾年里，我們將共同推動SiC器件性能的發(fā)展。”

三菱電機半導體與器件部功率器件業(yè)務高級總經(jīng)理Toru Iwagami表示：“我們很高興與Nexperia攜手推出這些新型SiC MOSFET，這也是我們合作推出的首批產(chǎn)品。三菱電機在SiC功率半導體方面積累了豐富的專業(yè)知識，我們的器件實現(xiàn)了多方面特性的出色平衡。”

11月13日，安世半導體與三菱電機共同宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)SiC MOSFET分立產(chǎn)品，標志著安世半導體在碳化硅技術領域取得了重大進展。如今，雙方合作的開篇之作NSF040120L3A0和NSF080120L3A0現(xiàn)已批量供貨，安世半導體未來還計劃發(fā)布車規(guī)級 MOSFET。

此外，安世半導體還于11月10日宣布與總部位于奧地利的汽車電子元件制造商KYOCERA AVX Components (Salzburg) GmbH將深化現(xiàn)有長期合作關系，共同生產(chǎn)新型650V、20ASiC整流器模塊，預計將于2024年第一季度推出樣品。

值得注意是，該SiC整流器模塊適用于3kW至11kW功率堆棧設計的高頻電源應用，目標應用也同樣瞄準了工業(yè)電源、電動汽車(EV)充電站、車載充電器等市場。