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      sic

      sic

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      金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

      文章：2503個 瀏覽：62816次 帖子：124個

      sic資訊

      SiC MOSFET 的優勢和用例是什么？

      SiC MOSFET 的優勢和用例是什么？

      SiC MOSFET 的優勢和用例是什么？

      2022-12-28 標簽：MOSFETSiC 1711 0

      關于未來之星SiC產業鏈研究

      SiC是半導體領域最具成長力的材料，預計到2028年市場增長5倍。 來源：ST SiC目前有兩大應用市場，一是電動車逆變器、充電樁、太陽能發電、直流電網...

      2020-12-04 標簽：電動車半導體SiC 1707 0

      瞻芯電子榮登投中2023“銳公司100榜單”

      近兩年來，瞻芯電子快速推出了過百款產品，其中既有高品質、高可靠的車規級碳化硅MOSFET，也有成為業界創新標桿的碳化硅專用驅動芯片和模擬PFC控制芯片，...

      2023-12-10 標簽：SiC碳化硅瞻芯電子 1704 0

      影響第三代半導體SiC MOS閾值電壓不穩定的因素有哪些？如何應對？

      影響第三代半導體SiC MOS閾值電壓不穩定的因素有哪些？如何應對？

      由于SiC MOSFET與Si MOSFET特性的不同，SiC MOSFET的閾值電壓具有不穩定性，在器件測試過程中閾值電壓會有明顯漂移，導致其電性能測...

      2023-05-09 標簽：半導體MOSSiC 1703 0

      AEC---SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

      AEC---SiC MOSFET 高溫柵氧可靠性研究

      摘要：碳化硅（SiC）由于其優異的電學及熱學特性而成為一種很有發展前途的寬禁帶半導體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領域中使用，高溫...

      2023-04-04 標簽：MOSFETSiC 1698 0

      SiC MOSFET在汽車應用動力系統逆變器中的優勢

      SiC MOSFET在汽車應用動力系統逆變器中的優勢

      化硅器件可以在更高的溫度下運行，并且可以采用降低的熱設計進行設計。因此，它們為汽車領域提供了理想的解決方案。使用 SiC 帶來的其他好處如下： 功率損耗...

      2022-08-09 標簽：MOSFET逆變器SiC 1697 0

      基于晶圓級高導熱異質集成襯底實現最高截止頻率氧化鎵射頻器件

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      氧化鎵是超寬禁帶半導體材料的優異代表，由于其禁帶寬度和擊穿場強遠高于GaN，不僅可在更高場強、更高工作電壓下工作，大幅度提升輸出功率密度，還可以實現在高...

      2023-11-15 標簽：晶圓SiC射頻器件 1697 0

      “新一輪產業升級，全球進入第三代半導體時代“

      碳化硅，作為發展的最成熟的第三代半導體材料，其寬禁帶，高臨界擊穿電場等優勢，是制造高壓高溫功率半導體器件的優質半導體材料。

      2020-09-02 標簽：物聯網SiC半導體器件 1689 0

      新硅聚合實現6英寸光學級硅基高均勻性鈮酸鋰薄膜的工程化制備

      新硅聚合實現6英寸光學級硅基高均勻性鈮酸鋰薄膜的工程化制備

      上海微系統所異質集成XOI課題組孵化的上海新硅聚合半導體有限公司（簡稱：新硅聚合）近期實現了6英寸的光學級硅基高均勻性鈮酸鋰薄膜（LNOI）的工程化制備。

      2023-06-09 標簽：濾波器諧振器SiC 1685 0

      碳化硅芯片已裝載百萬輛新能源車

      別小看這些長寬僅有2毫米左右的芯片，它可是新能源車車載充電機的“心臟”，有了它，新能源車充電效率大大提高，而且能節省電力，實現減碳降耗。就是這小小的芯片...

      2023-04-14 標簽：芯片新能源車SiC 1682 0

      五家半導體公司今年凈利潤增長超50%

      近一個月來，伴隨三季報的陸續披露，機構扎堆調研半導體企業的現象重現。據wind統計，十月共計12家半導體公司獲機構調研，其中卓勝微、晶豐明源、思瑞浦、新...

      2020-11-09 標簽：芯片半導體WIFI 1679 0

      未來十年將是GaN和SiC功率半導體市場，將以18%速度增長

      在未來十年，受電源、光伏（PV）逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。據有...

      2013-04-26 標簽：SiCGaN功率半導體 1664 0

      如何消除SiC MOSFET——柵極電路設計中的錯誤及其對穩健性的影響

      如何消除SiC MOSFET——柵極電路設計中的錯誤及其對穩健性的影響

      為什么需要關注 SiC MOSFET 柵極？盡管具有傳統的 SiO 2柵極氧化物，但該氧化物的性能比傳統 Si 基半導體中的經典 Si-SiO 2界面更...

      2022-08-04 標簽：電容器二極管MOSFET 1660 0

      瞻芯電子獲評高新技術企業，展現SiC MOSFET研發創新水平

      日前，上海瞻芯電子有限公司（簡稱“瞻芯電子”）榮獲上海市科學技術委員會、上海市財政局、國家稅務總局上海市稅務局聯合頒發的高新技術企業證書，正式邁入中國高...

      2023-03-31 標簽：MOSFETSiC瞻芯電子 1656 0

      5種羅姆常用的SiC功率器件介紹（上）

      汽車日漸走向智能化、聯網化與電動化的趨勢，加上5G商用在即，這些將帶動第三代半導體材料碳化硅(SiC)與氮化鎵(GaN)的發展。根據拓墣產業研究院估計，...

      2023-02-02 標簽：二極管MOSFET功率 1652 0

      利用SiC寬禁帶功率器件設計寬帶高功率放大器的流程概述

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      隨著現代技術的發展， 功率放大器已成為無線通信系統中一個不可或缺的部分， 特別是寬帶大功率產生技術已成為現代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化...

      2020-01-19 標簽：放大器SiC 1652 0

      高壓快充充電樁產業 碳化硅材料模塊或成必由之路

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      為適應未來大功率高壓快充發展趨勢，主流車企及充電運營商已經開始布局大功率快充樁。但高壓快充對充電樁的高效性和安全性都提出了更高的要求，在設備方面亟需采用...

      2024-01-17 標簽：SiC充電樁碳化硅 1650 0

      2021年將是氮化鎵+碳化硅PD爆發元年

      氮化鎵+碳化硅PD 方案的批量與國產氮化鎵和碳化硅SIC技術成熟密不可分，據悉采用碳化硅SIC做PFC管的方案產品體積更小，散熱更好，效率比超快恢復管提...

      2021-04-01 標簽：封裝SiC碳化硅 1644 1

      英飛凌與日本圓晶制造商簽供應合同 確保芯片基材碳化硅供應安全

      5月7日消息 日前，據外媒報道，英飛凌科技股份有限公司（Infineon Technologies AG）與日本晶圓制造商昭和電工（Showa Denk...

      2021-05-07 標簽：英飛凌晶圓SiC 1640 0

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      天岳先進、天科合達、三安光電等公司紛紛增加碳化硅晶圓/襯底的產能。目前，這些中國企業的總產能約為每月6萬片。隨著各公司產能的逐步釋放，預計到2024年，...

      2023-11-20 標簽：晶圓SiC碳化硅 1639 0

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