SiC上沉積的GaN最新技術

為什么GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，GaN這一材料技術，大大提升了效率和功率密度。

2011-12-01 標簽：SiCGaN 1625 0

SiC FET性能和優勢及起源和發展介紹

高頻開關等寬帶隙半導體是實現更高功率轉換效率的助力。SiC FET就是一個例子，它由一個SiC JFET和一個硅MOSFET以共源共柵方式構成。本文追溯...

2022-11-11 標簽：半導體晶體管SiC 1623 0

車規級SiC供應商桑德斯與世強硬創平臺達成協議

桑德斯微電子器件(南京)有限公司與世強硬創平臺達成協議，授權世強代理旗下碳化硅(SiC)、二級管等產品代理。

2022-02-24 標簽：晶圓SiC碳化硅 1621 0

SiC集成功率模塊NXH40B120MNQ，高集成度應用廣泛

碳化硅是現在比較火的一種半導體材料，近幾年碳化硅的發展特別快，在很多方面都有應用，滲透在人們生活的方方面面。用碳化硅取代傳統的硅材料應用于逆變器，作用更...

2020-11-05 標簽：半導體SiC 1617 0

一種單步無掩膜線形脈沖激光光刻技術

在激光亞波長圖案化納米制造方面，大面積無拼接超衍射極限圖案化納米制造在半導體及光學微納器件等領域具有至關重要的作用，開發低成本、高效率制備技術及配套設備...

2023-01-30 標簽：SiC激光脈沖應變傳感器 1608 0

三安半導體首發8英寸碳化硅襯底，國內8英寸加速布局！

從產能來看，湖南三安現有SiC產能15,000片/月，較2022年底新增3,000片/月，提升25%；GaN-on-Si（硅基氮化鎵）產能2,000片/...

2023-09-14 標簽：SiC氮化鎵碳化硅 1606 0

SiC功率元件憑借電動車發展擴大應用 成本問題為主要考量

受惠于電動車市場需求提升，為因應高電壓、高頻率及低耗損的技術需求，SiC（碳化硅）功率元件被視為接替高電壓IGBT的產品，可分為：SiC-SBD（SiC...

2019-05-22 標簽：電動車SiC 1600 0

「芝·解車」蔚來汽車SiC電驅動系統拆解

電機控制器整體重量低于7.5kg，厚度76mm，功率密度為34kW/kg，SiC用在車用逆變器上，可以使開關損耗降低75％（芯片溫度為150°C）。在相...

2023-03-30 標簽：驅動系統電機控制器SiC 1600 0

晶盛機電成功發布6英寸雙片式SiC碳化硅外延設備

晶盛機電戰略定位先進材料、先進裝備市場，圍繞硅、藍寶石、碳化硅三大主要半導體材料開發一系列關鍵設備，業務同時延伸至化合物半導體材料領域。

2023-02-27 標簽：SiC碳化硅第三代半導體 1594 0

高溫熔融沉積結合反應燒結制備SiC陶瓷新方法

碳化硅(SiC)陶瓷由于其低密度、高剛度、低熱膨脹、高光學質量和優良的尺寸穩定性，廣泛應用于航空航天、石油化工、集成電路等領域。但碳化硅陶瓷的硬度高、脆...

2022-07-10 標簽：集成電路SiC碳化硅 1592 0

基于碳化硅(SiC)的MOSFET可實現更高效率水平

相比基于硅(Si)的MOSFET，基于碳化硅(SiC)的MOSFET器件可實現更高的效率水平，但有時難以輕易決定這項技術是否更好的選擇。本文將闡述需要考...

2022-12-01 標簽：MOSFETSiC 1588 0

SiC功率器件加持，羅姆閃耀慕尼黑上海電子展

作為業內極具代表性的電子展之一，3月中旬在滬舉辦的慕尼黑上海電子展吸引了海內外眾多半導體廠商的關注。日本的知名廠商羅姆（ROHM）半導體也攜帶了其最新的...

2016-03-23 標簽：電源管理模擬電源功率器件 1585 0

2家SiC材料廠完成數億元新一輪融資

去年7月，超芯星6英寸SiC襯底進入美國一流器件廠商，由此成功打入美國市場；同年，超芯星成功研制出8英寸SiC襯底；今年7月，超芯星在官微宣布，公司已與...

2023-12-15 標簽：半導體SiC碳化硅 1581 0