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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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最新SiC市場預測:2030年8英寸滲透率達5成;中國汽車OEM SiC 6成本土供應
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近日,著名咨詢公司麥肯錫發表了一份SiC市場的分析報告,其中電動汽車市場以及SiC市場的最新預測數據值得我們關注。 電動汽...
2023-10-30 標簽:SiC 2229 0
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)近日,有消息稱SK海力士無錫投資公司參與了SiC晶圓廠泰科天潤的D輪融資,成功入股泰科天潤。SK集團本身具備SiC晶圓廠,...
太陽能發電正迅速成為解決電力難題的一個重要方案。大多數人都知道,過去10年來太陽能發電成本驚人地下降了82%。在太陽能選址(太陽能的位置)和共同土地使用...
意法半導體新推出的兩款雙通道電隔離IGBT和碳化硅(SiC) MOSFET柵極驅動器在高壓電力變換和工業應用中節省空間,簡化電路設計。
在碳化硅產業鏈中,碳化硅襯底制造是碳化硅產業鏈技術壁壘最高、價值量最大的環節,是未來碳化硅大規模產業化推進的核心環節。 碳化硅襯底的生產流程包括長晶、...
硅 (Si) 功率器件由于其低成本的批量生產、出色的起始材料質量、易于制造和經過驗證的可靠性而在電力電子領域占據主導地位。盡管硅功率器件不斷改進,但它們...
Power Integration推出高度靈活的門極驅動器系統,適合最新的1.7 kV至4.5 kV IGBT及SiC雙功率模塊
可立即使用的SCALE-iFlex系統輕松支持四個模塊并聯;出廠涂覆三防漆可極大增強可靠性。
ROHM開發出采用4引腳封裝的SiC MOSFET “SCT3xxx xR”系列
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都),開發出6款溝槽柵結構※1)SiC MOSFET “SCT3xxx xR系列”產品(650V/1200...
新一代逆變器採用GaN和SiC等先進開關技術。寬帶隙功率開關,具有更出色的功效、更高的功率密度、更小巧的外形和更輕的重量,通過提高開關頻率來實現。
英飛凌OBC產品戰略路線:明年大規模轉向SiC,GaN要到2025年后
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)車載充電機OBC在新能源汽車上往往承載著慢充的需求,將交流充電樁輸入的交流電轉換成可以直接為動力電池充電的直流電。不過,隨...
電動汽車(EV)車載充電機(OBC)可以根據功率水平和功能采取多種形式,充電功率從電動機車等應用中的不到 2 kW,到高端電動汽車中的 22 kW 不等。
氮化鎵作為一種寬帶隙復合半導體材料,具備禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、開關頻率高,以及抗輻射能力強等優勢。其中,開關頻率高意味著應用電路可以采用尺寸...
根據此前的公告披露,三安光電擬在長沙高新技術產業開發區管理委員會園區成立子公司投資建設包括但不限于碳化硅等化合物第三代半導體的研發及產業化項目,包括長晶...
SiC市場領導者Cree(科銳公司)近期推出了首款能夠突破業界SiC功率器件技術的900V MOSFET平臺。
2015-09-07 標簽:MOSFETSiCC3M0065090J 2108 0
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