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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽）等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。

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功率GaN，炙手可熱的并購(gòu)賽道？

? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購(gòu)GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購(gòu)了功率GaN公司Transph...

2024-02-26 標(biāo)簽：英飛凌 ST 瑞薩 2498 0

學(xué)技術(shù) | 世平安森美碳化硅（SiC）MOSFET產(chǎn)品的特性與應(yīng)用

一、第三代半導(dǎo)體介紹：首先簡(jiǎn)單介紹一下第一、二代半導(dǎo)體。在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域中，第一代半導(dǎo)體是「硅」（Si），第二代半導(dǎo)體是「砷化鎵」（GaAs），第三代半...

2022-11-21 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 2494 0

又一大廠確定下一代SiC MOSFET采用溝槽設(shè)計(jì)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/梁浩斌）2024年上半年，安森美發(fā)布了第二代1200V SiC MOSFET產(chǎn)品，在這款產(chǎn)品上采用了最新的面向高開(kāi)關(guān)性能的M3S工...

2025-01-03 標(biāo)簽：SiC 2490 0

全球SiC產(chǎn)業(yè)格局呈現(xiàn)美、歐、日三足鼎立格局，其中美國(guó)一家獨(dú)大

一個(gè)處理物理能源：是信息論在電池電控的應(yīng)用，用信息控智能量，四兩撥千斤的功率半導(dǎo)體，用少量信息處理控制巨量電流，極大的提高能效和控制精度，其背后需要一系...

2020-12-09 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 2480 0

SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)趨勢(shì)，2019 年以來(lái)發(fā)生了什么變化？

11月15日消息根據(jù) Omdia 的《2020 年 SiC 和 GaN 功率半導(dǎo)體報(bào)告》，在混合動(dòng)力及電動(dòng)汽車、電源和光伏逆變器需求的拉動(dòng)下，碳化硅（...

2020-11-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 2464 0

如何去實(shí)現(xiàn)碳化硅集成電路與氮化鎵集成電路呢

碳化硅(SiC）具有較寬的帶隙，已廣泛應(yīng)用在高電壓電力電子器件中，如分立式的功率金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (Power MOSFET)和絕緣柵雙...

2022-09-19 標(biāo)簽：集成電路驅(qū)動(dòng)器 SiC 2449 0

800V碳化硅汽車?yán)^續(xù)火爆！華為、理想等7大廠商將建10+萬(wàn)超充樁

春節(jié)過(guò)后，800V碳化硅汽車?yán)^續(xù)火爆，新增了15款車型（回顧點(diǎn)這里），同時(shí)也迎來(lái)了一波降價(jià)潮——先有極氪007降至20萬(wàn)級(jí)（回顧點(diǎn)這里），昨天小鵬汽車G...

2024-03-05 標(biāo)簽：SiC 功率半導(dǎo)體充電樁 2448 0

汽車電氣化趨勢(shì)下眾企紛紛布局車用SiC市場(chǎng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/李誠(chéng)）隨著科技的不斷迭代更新，汽車領(lǐng)域進(jìn)入了電氣化時(shí)代。電動(dòng)汽車的電力驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)不斷地往輕型化、小型化發(fā)展，快速充電也是眾多電動(dòng)車車...

2021-09-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體電機(jī)控制器 SiC 2443 0

意法半導(dǎo)體將在意大利新建8英寸SiC工廠

全球半導(dǎo)體行業(yè)的領(lǐng)軍企業(yè)意法半導(dǎo)體（簡(jiǎn)稱ST）近日宣布，將在意大利卡塔尼亞建立一座全新的綜合性大型制造基地，專注于8英寸碳化硅（SiC）功率器件和模塊的...

2024-06-07 標(biāo)簽：意法半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 2442 0

碳化硅SiC襯底生產(chǎn)工藝流程與革新方法

HTCVD法能通過(guò)控制源輸入氣體比例可以到達(dá)較為精準(zhǔn)的 Si/C比，進(jìn)而獲得高質(zhì)量、高純凈度的碳化硅晶體，但由于氣體作為原材料晶體生長(zhǎng)的成本很高，該法主...

2024-02-29 標(biāo)簽：光電器件 SiC 砷化鎵 2439 0

GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)有望在2027年達(dá)45億美元

全球范圍內(nèi)5G技術(shù)的迅猛發(fā)展，為氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商提供新的增長(zhǎng)前景。2020年，GaN和SiC功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模為7億美...

2021-05-21 標(biāo)簽：SiC GaN 功率半導(dǎo)體 2422 0

天睿半導(dǎo)體項(xiàng)目將新建8英寸碳化硅SiC和氮化鎵GaN晶圓廠

2月20日，福州市可持續(xù)發(fā)展暨企業(yè)家大會(huì)召開(kāi)，大會(huì)進(jìn)行了重大項(xiàng)目集中簽約儀式，長(zhǎng)樂(lè)區(qū)簽約落地16個(gè)重大項(xiàng)目，其中之一為天睿半導(dǎo)體項(xiàng)目。

2024-02-23 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 2400 0

董明珠：格力將投資近百億元建設(shè)碳化硅芯片工廠

這是全球第二座、亞洲第一座全自動(dòng)化化合物芯片工廠。

2024-03-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓 SiC 2400 0

格力電器將于6月投產(chǎn)全球第二座SiC全自動(dòng)化化合物芯片工廠

格力電器的董事長(zhǎng)兼總裁董明珠在羊城晚報(bào)兩會(huì)直播間上透露了一個(gè)重要消息：格力正在建設(shè)一家全新的SiC芯片工廠，并計(jì)劃在今年6月正式投產(chǎn)。據(jù)悉，格力在這個(gè)工...

2024-03-12 標(biāo)簽：芯片 SiC 格力電器 2399 0

碳化硅（sic）正被用于多種電力應(yīng)用

碳化硅正被用于多種電力應(yīng)用。ROHM 與意法半導(dǎo)體之間的協(xié)議將增加其在行業(yè)中的廣泛采用。汽車和工業(yè)市場(chǎng)都在加速采用SiC 材料的能源解決方案。制造碳化...

2022-07-28 標(biāo)簽：電力 SiC 能源 2398 0

sic碳化硅電機(jī)

sic碳化硅電機(jī) 碳化硅（SiC）器件損耗小、耐高溫并能高頻運(yùn)行，被公認(rèn)為將推動(dòng)新能源汽車領(lǐng)域產(chǎn)生重大技術(shù)變革。世界各工業(yè)強(qiáng)國(guó)和大型跨國(guó)公司紛紛投入了大...

2023-02-17 標(biāo)簽：SiC 2396 0

Microchip推出AgileSwitch數(shù)字可編程?hào)艠O驅(qū)動(dòng)器和SiC功率模塊套件

在討論SiC的過(guò)程中，人們往往忽略了其用戶可能面臨的負(fù)面二次效應(yīng)。雖然SiC器件提供快速開(kāi)關(guān)，但其結(jié)果可能是由振鈴、過(guò)沖和欠沖造成的噪聲。SiC還容易發(fā)...

2020-09-25 標(biāo)簽：驅(qū)動(dòng)器電路板 SiC 2392 0

羅姆半導(dǎo)體開(kāi)發(fā)出新型碳化硅功率元器件第4代SiC MOSFET

“雙碳時(shí)代”已緩緩拉開(kāi)帷幕，各行各業(yè)都將面臨減排挑戰(zhàn)。在電動(dòng)車領(lǐng)域中，如何開(kāi)發(fā)出小型化、更低功耗、更高性能的電控系統(tǒng)已成為產(chǎn)業(yè)鏈上下共同探索的方向。羅姆...

2022-03-19 標(biāo)簽：元器件 SiC 2371 0

晶盛機(jī)電:12英寸加工設(shè)備的研發(fā)和產(chǎn)業(yè)化正在加速推進(jìn)

近日，晶盛機(jī)電接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司通過(guò)承擔(dān)國(guó)家科技重大02專項(xiàng)“300mm硅單晶直拉生長(zhǎng)裝備的開(kāi)發(fā)”和“8英寸區(qū)熔硅單晶爐國(guó)產(chǎn)設(shè)備研制”兩項(xiàng)課題為基...

2020-11-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC 硅片 2364 0

意法半導(dǎo)體收購(gòu)Norstel 55%股權(quán) SiC成巨頭布局熱點(diǎn)

SiC功率器件大勢(shì)所趨，國(guó)際巨頭競(jìng)相布局，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體擬通過(guò)并購(gòu)整合進(jìn)一步擴(kuò)大SiC產(chǎn)業(yè)規(guī)模。日前，意法半導(dǎo)體宣布，公司已簽署協(xié)議，...

2019-04-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體技術(shù)SiC 2343 0

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快充技術(shù)

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尼吉康

尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國(guó)漢堡，經(jīng)過(guò)近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個(gè)神話，主要致力與運(yùn)動(dòng)控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無(wú)刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
閾值電壓

閾值電壓

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　　閾值電壓（Threshold voltage）：通常將傳輸特性曲線中輸出電流隨輸入電壓改變而急劇變化轉(zhuǎn)折區(qū)的中點(diǎn)對(duì)應(yīng)的輸入電壓稱為閾值電壓。在描述不同的器件時(shí)具有不同的參數(shù)。如描述場(chǎng)發(fā)射的特性時(shí)，電流達(dá)到10mA時(shí)的電壓被稱為閾值電壓。
無(wú)線供電

無(wú)線供電

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無(wú)線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無(wú)需任何物理上的連接，電能可以近距離無(wú)接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無(wú)線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無(wú)線供電。
寧德時(shí)代

寧德時(shí)代

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艾德克斯

艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測(cè)試解決方案的研究，通過(guò)不斷深入了解各個(gè)行業(yè)的測(cè)試需求，持續(xù)提供給客戶具有競(jìng)爭(zhēng)力的測(cè)試方案。
快充

快充

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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動(dòng)汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動(dòng)車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時(shí)快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
Qi標(biāo)準(zhǔn)

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國(guó)際無(wú)線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚(yú)臺(tái)國(guó)賓館發(fā)布Qi無(wú)線充電國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國(guó)。
Pebble

Pebble

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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時(shí)就籌到了 100 萬(wàn)美元。
WPC

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手機(jī)快充

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手機(jī)快充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。
A4WP

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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無(wú)線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
電池系統(tǒng)

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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個(gè)電池單元，防止電池出現(xiàn)過(guò)充電和過(guò)放電，延長(zhǎng)電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
MAX660

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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個(gè)低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
智能變電站

智能變電站

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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺(tái)網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時(shí)在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個(gè)電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
USB PD

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太陽(yáng)能充電

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PSR

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光伏并網(wǎng)逆變器

光伏并網(wǎng)逆變器

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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過(guò)交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對(duì)大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
浪涌抑制器

浪涌抑制器

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USB-PD

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納微半導(dǎo)體

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Navitas 成立于 2014 年，開(kāi)發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個(gè)名字來(lái)源于拉丁語(yǔ)中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對(duì)開(kāi)發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場(chǎng)帶來(lái)的能源。
PWM信號(hào)

PWM信號(hào)

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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來(lái)調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來(lái)實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時(shí)間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時(shí)保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號(hào)對(duì)模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
醫(yī)療電源

醫(yī)療電源

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系統(tǒng)電源

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DCDC電源

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DC/DC表示的是將某一電壓等級(jí)的直流電源變換其他電壓等級(jí)直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級(jí)變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無(wú)隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
共享充電寶

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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動(dòng)設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個(gè)充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時(shí)提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國(guó)在線共享充電寶設(shè)備量已超過(guò)440萬(wàn)，用戶規(guī)模超過(guò)2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場(chǎng)景的激增，消費(fèi)者對(duì)共享充電寶的價(jià)格變得越來(lái)越敏感。
LT8705

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