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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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基于以日本、美國和歐洲為中心對生長、材料特性和器件加工技術的廣泛研究,SiC SBD和金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的生產已經開始。然而,...
碳化硅長絲的制造過程是將聚硅烷在400℃以上,發生熱轉位反應,使側鏈上的甲基以亞甲基的形式,導入主鏈的硅-硅間,形成聚碳硅烷,然后通過干法紡絲或熔體紡絲...
嘉興斯達半導體股份有限公司(以下簡稱“斯達半導”)發布2021年度非公開發行A股股票預案,公司擬定增不超35億元,投建SiC芯片/功率半導體模塊等項目。
電子發燒友網報道(文/程文智)PCIM Asia自2002年進入中國市場后,到今年已經有20年了,以前該展會都是在上海舉辦,今年首次來到了深圳。一直以來...
UnitedSiC發布四款全新UF3C SiC FET器件,其RDS(ON)值低至7mΩ
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET,其RDS(ON)值可低至7mΩ,并可提供前所未有的性能和高效率,適用于電動汽車(EV)逆變器、高功率D...
國內的晟光硅研(Lasic)成立于2021年2月,是航天基地科技成果就地轉化項目,技術團隊包括來自西安電子科技大學、中國工程物理研究院、山東大學、西北工...
1999年從摩托羅拉分拆出來,分拆初時,它只擁有一大堆4英寸的小廠,兩座6英寸工廠。此后20年間,它經過一系列并購不斷發展壯大,漸漸成為如今位列前20名...
onsemi TPFC:NCP1681 和 LLC:NCP4390 高密度3 kW SiC 電源解決方案
我們提出了一種高密度3kW電源解決方案,移除輸入整流二極管,使用圖騰極PFC電路和650VSiCMOSFET和以及次級側控制LLC帶同步整流功能的轉換器...
本實驗通過以自主研發的由c軸偏向<11-20>方向4°的6英寸4H-SiC襯底作為籽晶和擴徑生長的起始點,采用物理氣相傳輸(physical...
為了使汽車行得更遠,更安全和智能,以提升駕乘體驗,安森美一直在創新之路前行,以先進的碳化硅(SiC)、超級結MOSFET、模塊封裝技術等智能電源技術推動...
美高森美750W GaN on SiC RF功率晶體管 為航空應用提供無與倫比的高功率性能
半導體技術產品的領先供應商美高森美公司推出新型750W RF晶體管擴展其基于碳化硅(silicon carbide,SiC)襯底氮化鎵(gallium ...
寬帶隙 (WBG) 半導體極大地影響了使用它們的設備的可能性。材料的帶隙是指電子從半導體價帶的最高占據態移動到導帶的最低未占據態所需的能量。
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