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金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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摘要 – 在未來幾年投入使用SiC技術(shù)來應(yīng)對汽車電子技術(shù)挑戰(zhàn)是ECSEL JU 的WInSiC4AP項目所要達到的目標之一。ECSEL JU和ESI協(xié)同...
碳化硅(SiC)功率器件在新能源汽車中的深入應(yīng)用解析
采用多芯片并聯(lián)的SiC功率模塊,會產(chǎn)生較嚴重的電磁干擾和額外損耗,無法發(fā)揮SiC器件的優(yōu)良性能;SiC功率模塊雜散參數(shù)較大,可靠性不高。 (2)SiC功...
國產(chǎn)碳化硅上車首先是技術(shù)過硬,目前,多家國產(chǎn)企業(yè)的SiC MOSFET技術(shù)實力已經(jīng)是實現(xiàn)領(lǐng)先。以愛仕特為例,據(jù)李潤華介紹,愛仕特自主設(shè)計的第三代6英寸S...
UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個SiC FET
碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布,已經(jīng)為UJ3C(通用型)和UF3C(硬開關(guān)型)系列650V SiC...
瞻芯電子推出第二代650V車規(guī)級TO263-7封裝助力高效高密應(yīng)用
近日,瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規(guī)級可靠性認證,該產(chǎn)品采用...
群創(chuàng)光電InnoLED引領(lǐng)Esports電競螢?zāi)籣環(huán)旭電子預(yù)計在2022量產(chǎn)IGBT與SiC電源模塊
群創(chuàng)新一代「InnoLED技術(shù)」業(yè)界首發(fā)27吋 1440p IGZO 300hz miniLED 電競面板,搭配NVIDIA創(chuàng)新Esports 規(guī)格,并...
本文以金鑒自研發(fā)的顯微紅外定位系統(tǒng)來定位漏電失效的SiC MOSFET芯片,并與OBIRCH對比定位效果,然后用FIB做定點截面切割,觀察到金屬化薄膜鋁...
新應(yīng)用的出現(xiàn)將推動碳化硅電力電子器件市場的發(fā)展
雖然SiC 可以通過人工制成,但加工過程卻極其困難,因此sic功率元器件如何量產(chǎn)一直是業(yè)界的難題。羅姆在這方面已經(jīng)擁有近30年經(jīng)驗,2012年3月就開始...
在電力電子應(yīng)用中,為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求,功率密度正在成為關(guān)鍵的指標之一。
碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅SiC與傳統(tǒng)半導(dǎo)體對比
碳化硅SiC制造工藝詳解 碳化硅(SiC)作為一種高性能的半導(dǎo)體材料,其制造工藝涉及多個復(fù)雜步驟,以下是對SiC制造工藝的詳細介紹: 原材料選擇與預(yù)處理...
2023年,電動汽車行業(yè)的快速增長不僅推動了寬帶隙功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展,還促進了電池管理系統(tǒng)和充電技術(shù)的創(chuàng)新。這些進步為電動汽車的性能提升和用戶體驗的改...
簡要介紹篩選后器件經(jīng)過馬拉松(Marathon)實驗的典型結(jié)果
目前針對SiC的研究已相當深入,仍有不少人關(guān)注SiC材料的柵氧能力,本文對此再做一個簡要介紹。如圖1所示,相較于Si基材料,SiC與SiO2柵氧層界面缺...
光隔離探頭在第三代半導(dǎo)體雙脈沖測試的應(yīng)用
日前,基于SiC和GaN的第三代半導(dǎo)體技術(shù)蓬勃發(fā)展,其對應(yīng)的分立器件性能測試需求也隨之而來。其較高的dv/dt與di/dt給性能測試帶了不少困難。泰克的...
國揚公司成功通過江蘇省專精特新中小企業(yè)和市級企業(yè)技術(shù)中心的認定
日前,江蘇省工信廳公布了江蘇省2022年專精特新中小企業(yè)名單(第二批),揚州國揚電子有限公司成功入選;同時,國揚公司也順利通過了揚州市級企業(yè)技術(shù)中心的認...
英飛凌推出光伏發(fā)電逆變器耐壓1200V SiC型FET
德國英飛凌科技(Infineon Technologies AG)開發(fā)出了適用于光伏發(fā)電用逆變器等的耐壓為1200V的SiC型FET(JFET)“Coo...
過去幾年來,碳化硅(SiC)型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長,成為各界仰賴的革命性發(fā)展。推動此項市場發(fā)展的力量包括下列趨勢:節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整...
2016-11-14 標簽:igbtSiC功率半導(dǎo)體 1938 0
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