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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

優(yōu)化SiC MOSFET的柵極驅(qū)動的方法

在高壓開關(guān)電源應(yīng)用中,相較傳統(tǒng)的硅 MOSFET 和 IGBT,碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優(yōu)勢。

2023-05-26 標(biāo)簽：MOSFET 開關(guān)電源 SiC 811 0

晶體制備技術(shù)：碳化硅襯底成本降低的關(guān)鍵路徑

液相法的核心在于使用石墨坩堝作為反應(yīng)器，通過在熔融純硅中加入助溶劑，提高其對碳的溶解度。在坩堝靠近壁面的高溫區(qū)域，碳溶解于熔融硅中

2024-02-20 標(biāo)簽：SiC 半導(dǎo)體器件碳化硅 806 0

金升陽IGBT/SiC MOSFET專用第三代驅(qū)動電源產(chǎn)品優(yōu)勢

基于國內(nèi)外新能源行業(yè)發(fā)展態(tài)勢，半導(dǎo)體應(yīng)用市場持續(xù)擴大；對于新能源充電樁、光伏SVG行業(yè)，IGBT/SiC MOSFET的應(yīng)用廣泛，而驅(qū)動電源作為專為IG...

2023-12-01 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 805 0

最大限度降低SiC FET的EMI的開關(guān)損耗

對高效率、高功率密度和系統(tǒng)簡單性的需求增加，使得碳化硅（SiC） FET 因其快速開關(guān)速度、低 R 而成為電源工程師的有吸引力的選擇DS（開啟）和高壓額定值。

2023-02-21 標(biāo)簽：MOSFET emi SiC 805 0

WBG 器件給柵極驅(qū)動器電源帶來的挑戰(zhàn)

碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 器件的柵極驅(qū)動器電源必須滿足這些寬帶隙半導(dǎo)體的獨特偏置要求。本文將討論在 SiC 和 GaN 應(yīng)用中設(shè)計柵極驅(qū)...

2024-09-27 標(biāo)簽：驅(qū)動器 SiC GaN 799 0

一文詳解SiC的晶體缺陷

SiC晶體中存在各種缺陷，對SiC器件性能有直接的影響。研究清楚各類缺陷的構(gòu)成和生長機制非常重要。本文帶你了解SiC的晶體缺陷及其如何影響SiC器件特性。

2024-11-14 標(biāo)簽：晶體 SiC sic器件 798 0

淺談SiC晶體材料的主流生長技術(shù)

在SiC晶體的擴徑生長上比較困難，比如我們有了4英寸的晶體，想把晶體直徑擴展到6英寸或者8英寸上，需要花費的周期特別長。

2024-03-04 標(biāo)簽：晶體 SiC 碳化硅 797 0

Wolfspeed 的碳化硅 MOSFET 滿足大功率應(yīng)用需求

碳化硅（SiC）技術(shù)的新興機遇是無限的。只要需要高度可靠的電源系統(tǒng)，SiC MOSFET 就能為許多行業(yè)的許多不同應(yīng)用提供高效率，包括那些必須在惡劣環(huán)境...

2023-05-19 標(biāo)簽：二極管 MOSFET SiC 795 0

使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例小結(jié)

此前共用19個篇幅介紹了“使用SiC-MOSFET的隔離型準諧振轉(zhuǎn)換器的設(shè)計案例”，本文將作為該系列的最后一篇進行匯總。該設(shè)計案例中有兩個關(guān)鍵要點。一個...

2023-02-17 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET IC 795 0

開發(fā)基于碳化硅的25 kW快速直流充電樁：方案概述

鑒于所提出的具挑戰(zhàn)的要求和當(dāng)前的市場趨勢，系統(tǒng)工程團隊考慮了幾個替代方案來實現(xiàn)這兩個轉(zhuǎn)換級。，結(jié)論是在AC-DC級利用6開關(guān)有源整流器，在依賴移相調(diào)制的...

2023-06-24 標(biāo)簽：整流器充電器 SiC 791 0

使用Simcenter全面評估SiC 器件的特性——Simcenter為熱瞬態(tài)測試和功率循環(huán)提供全面支持

內(nèi)容摘要傳統(tǒng)的硅金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)具有成熟的技術(shù)和低廉的成本，在中壓和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)高壓功率電子器件中占主導(dǎo)...

2024-05-07 標(biāo)簽：測試半導(dǎo)體 SiC 789 0

第三代半導(dǎo)體器件的機會在哪里

與第一代的Si、Ge和第二代的GaAs、InP相比，GaN和SiC具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、電子遷移率高、熱導(dǎo)電率大、介電常數(shù)小和抗輻射能力強等特...

2023-05-18 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 SiC GaN 788 0

功率模塊銅線鍵合工藝參數(shù)優(yōu)化設(shè)計方案

為了提高功率模塊銅線鍵合性能，采用6因素5水平的正交試驗方法，結(jié)合BP（Back Propaga‐tion）神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)與遺傳算法，提出了一種銅線鍵合工藝參...

2024-01-03 標(biāo)簽：SiC 功率模塊鍵合 786 0

SiC功率元器件特征有哪些

碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導(dǎo)體器件，具有許多獨特的特性，使其在高性能電力電子應(yīng)用中具有優(yōu)勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征：碳化硅（Si...

2024-02-04 標(biāo)簽：功率器件 SiC 碳化硅 786 0

三菱電機1200V級SiC MOSFET技術(shù)解析

1200V級SiC MOSFET是一種能充分發(fā)揮SiC優(yōu)勢的器件，廣泛應(yīng)用于工業(yè)、汽車等領(lǐng)域。目前，1200V級SiC MOSFET被多家器件廠商定位為...

2024-12-04 標(biāo)簽：芯片 MOSFET 三菱電機 784 0

基于碳化硅的解決方案實現(xiàn)公交車的電氣化

像任何其他電動汽車一樣，公共汽車必須克服里程焦慮，因為它們必須能夠在不需要充電的情況下行駛最短的距離。他們還必須能夠找到距離合理的充電站并能夠快速充電。...

2023-05-24 標(biāo)簽：電動汽車充電器 SiC 782 0

Microchip推出一款全新的綜合性混合動力驅(qū)動模塊

設(shè)計多電飛機（MEA）的飛機制造商希望將飛行控制系統(tǒng)從液壓轉(zhuǎn)換為電動，以減輕重量和設(shè)計復(fù)雜性。

2023-02-02 標(biāo)簽：MOSFET 控制系統(tǒng)IGBT 780 0

SiC-SBD與Si-PND的正向電壓比較

二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩(wěn)定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND...

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 PND SBD 780 0

晶圓級立方碳化硅單晶生長研究進展

碳化硅(SiC)具有寬帶隙、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高熱導(dǎo)率等優(yōu)異性能，在新能源汽車、光伏和5G通訊等領(lǐng)域具有重要的應(yīng)用。與目前應(yīng)用廣泛的4H-...

2024-01-16 標(biāo)簽：晶圓晶體管 SiC 779 0

使用SiC FET替代機械斷路器的固態(tài)解決方案

機械斷路器損耗小，但速度很慢，且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題，并且損耗也會持續(xù)降低。

2023-06-12 標(biāo)簽：MOSFET 斷路器 IGBT 779 0

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

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