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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。
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Lattice Parameters：晶格參數。確保襯底的晶格常數與將要生長的外延層相匹配，以減少缺陷和應力。
以碳化硅為代表的第三代寬禁帶半導體，可在更高溫度、電壓及頻率環境正常工作，同時消耗電力更少，持久性和可靠性更強，將為下一代更小體積、更快速度、更低成本、...
日前，Power Integrations（PI）舉辦新品媒體線上溝通會，公司資深技術培訓經理Jason Yan介紹了在美國APEC展（國際電力電子應用...
一種新型3.6-kV/400-A SiC IPM可提升電源應用的性能
高能效對于多種大電流電源應用至關重要，包括工業電機驅動器、可再生能源系統和固態變壓器。盡管硅長期以來一直是這些應用中使用的主要半導體，但由于SiC提供的...
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇...
SiC作為第三代半導體材料具有優越的性能，相比于前兩代半導體材料，碳化硅具有禁帶寬度大、擊穿電場強度高、熱導率高、電子飽和速率高以及抗輻射能力強等特點，...
GaN（氮化鎵）晶體管和SiC（碳化硅）晶體管作為兩種先進的功率半導體器件，在電力電子、高頻通信及高溫高壓應用等領域展現出了顯著的優勢。然而，它們在材料...
SiC是由硅（Si）和碳（C）按1:1的化學計量比組成的晶體，因其內部結構堆積順序的不同，形成不同的SiC多型體，本篇章帶你了解SiC的晶體結構及其可能...
650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強...
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。 不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內...
近年來，使用“功率元器件”或“功率半導體”等說法，以大功率低損耗為目的二極管和晶體管等分立（分立半導體）元器件備受矚目。這是因為，為了應對全球共通的“節...
首先，讓我們簡要介紹一下碳化硅到底是什么，以及它與傳統硅的一些不同之處。關于SiC的一個有趣的事實是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物質。事實上，碳化...
碳化硅(SiC)作為第三代半導體材料, 具有高擊穿場強、高飽和電子漂移速率、高熱導率、強化學穩定性等優良特性
SiC（碳化硅）是由硅和碳化物組成的化合物半導體。與硅相比，SiC具有許多優勢，包括10倍的擊穿電場強度，3倍的帶隙，以及實現器件結構所需的更廣泛的p型...
SiC（碳化硅）器件在電源中的應用日益廣泛，其獨特的物理和化學特性使得SiC成為提升電源效率、可靠性及高溫、高頻性能的關鍵材料。以下將詳細探討SiC器件...
本文我們將重點介紹第三代半導體中的碳化硅（SiC），與下文氮化鎵（GaN）的形式統一如何助力軌道交通完成“碳達峰”目標，并為大家推薦貿澤電子在售的領先的...
1. 器件結構和特征 SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因...
SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數產品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，G...
碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能，碳化硅在電力電子、微波射頻、光...
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