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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術(shù)

碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料，逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導(dǎo)...

2023-12-21 標(biāo)簽：半導(dǎo)體功率器件 SiC 900 0

未來SiC模塊封裝的演進(jìn)趨勢

ASMPT 太平洋科技有限公司是全球領(lǐng)先的先進(jìn)半導(dǎo)體封裝設(shè)備及微電子封裝解決方案的最主要的供應(yīng)商，SilverSAM 銀燒結(jié)設(shè)備具備專利防氧化及均勻壓力...

2024-01-03 標(biāo)簽：MOSFET 散熱器半導(dǎo)體封裝 895 0

SiC MOSFET提高工業(yè)驅(qū)動效率

工業(yè)領(lǐng)域的電力應(yīng)用通常基于強(qiáng)大的電動機(jī)，用于連續(xù)運(yùn)行的風(fēng)扇、泵、伺服驅(qū)動器、壓縮機(jī)、縫紉機(jī)和冰箱。工業(yè)領(lǐng)域最常見的配置是三相電動機(jī)，由適當(dāng)?shù)幕谀孀兤鞯?..

2022-07-26 標(biāo)簽：MOSFET IGBT SiC 891 0

SiC MOSFET柵-源電壓測量：探頭的連接方法

本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?探頭的連接方法會給波形測量結(jié)果帶來很大影響。?如果延長線較長，在柵極引腳和源極引腳與測量夾具之間形成的環(huán)路會導(dǎo)致觀察到的波形與真正的波形...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET 探頭 SiC 881 0

源漏嵌入SiC應(yīng)變技術(shù)簡介

源漏區(qū)嵌入SiC 應(yīng)變技術(shù)被廣泛用于提高90nm 及以下工藝制程 NMOS 的速度，它是通過外延生長技術(shù)在源漏嵌入 SiC 應(yīng)變材料，利用硅和碳晶格常數(shù)...

2024-07-25 標(biāo)簽：NMOS SiC 晶格 880 0

使用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)無底板封裝的碳化硅技術(shù)實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)升級

本文探討了全新的 Wolfspeed WolfPACK 系列無碳化硅無基板功率模塊，并展示了這種多功能且可擴(kuò)展的模塊方法如何實(shí)現(xiàn)當(dāng)前硅（Si）設(shè)計(jì)的...

2023-05-20 標(biāo)簽：SiC 碳化硅 879 0

碳化硅在半導(dǎo)體中有什么好處？

來幾年將看到電子設(shè)備和邏輯板的飛躍式增長。但作為電子產(chǎn)品和半導(dǎo)體滲透到新的行業(yè)和產(chǎn)品，設(shè)計(jì)師和制造商一直在尋找更好、更智能的制造方式這些重要組成部分。

2023-02-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT SiC 876 0

AEC-Q101|SiC功率器件高溫反偏

SiC（碳化硅）功率器件以其耐高溫、耐高壓、低開關(guān)損耗等特性，能有效實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了新能源汽車、光伏發(fā)...

2023-06-09 標(biāo)簽：汽車電子功率器件 SiC 875 0

SiC-SBD與Si-PND的反向恢復(fù)特性比較

下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結(jié)構(gòu)開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特...

2023-02-08 標(biāo)簽：二極管 PND SBD 875 0

近日，韓國企業(yè)EQ TechPlus宣布，他們開發(fā)了一種下一代氧化膜沉積設(shè)備，用于大規(guī)模生產(chǎn)SiC功率半導(dǎo)體，與采用傳統(tǒng)高溫?zé)嵫趸O(shè)備相比，該設(shè)備可以將...

2023-06-13 標(biāo)簽：MOSFET SiC 功率半導(dǎo)體 871 0

高可靠性1700V全SiC功率模塊BSM250D17P2E004介紹

ROHM面向以戶外發(fā)電系統(tǒng)和充放電測試儀等評估裝置為首的工業(yè)設(shè)備用電源的逆變器和轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出實(shí)現(xiàn)行業(yè)領(lǐng)先*可靠性的、額定值保證1700V/250A的全...

2023-02-09 標(biāo)簽：MOSFET 功率 SiC 870 0

使用SiC-SBD的優(yōu)勢

SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導(dǎo)體SiC與金屬相接合（肖特基結(jié)）。結(jié)構(gòu)與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型...

2023-02-23 標(biāo)簽：二極管半導(dǎo)體 SiC 868 0

利用C2000實(shí)時MCU提高GaN數(shù)字電源設(shè)計(jì)實(shí)用性

與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比，氮化鎵 (GaN) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 可顯著降低開關(guān)損耗和提高功率密度。這些特性對于數(shù)字電源轉(zhuǎn)換...

2023-03-20 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換器晶體管 861 0

深度了解SiC材料的物理特性

與Si材料相比，SiC半導(dǎo)體材料在物理特性上優(yōu)勢明顯，比如擊穿電場強(qiáng)度高、耐高溫、熱傳導(dǎo)性好等，使其適合于制造高耐壓、低損耗功率器件。本篇章帶你詳細(xì)了解...

2024-11-14 標(biāo)簽：半導(dǎo)體材料功率器件 858 0

高耐壓氧化鎵功率器件研制進(jìn)展與思考

以金剛石、氧化鎵、氮化硼為代表的超寬禁帶半導(dǎo)體禁帶寬度、化學(xué)穩(wěn)定性、擊穿場強(qiáng)等優(yōu)勢，是國際半導(dǎo)體領(lǐng)域的研究熱點(diǎn)。

2023-08-09 標(biāo)簽：二極管 MOSFET 電阻器 856 0

SiC-MOSFET和功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較

近年來超級結(jié)（Super Junction）結(jié)構(gòu)的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應(yīng)用越來越廣泛。關(guān)于SiC-MOSFET，ROHM已經(jīng)開...

2023-02-08 標(biāo)簽：MOSFET 晶體管 SiC 852 0

內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET的AC-DC轉(zhuǎn)換器IC助推工廠智能化

各行各業(yè)的工廠都在擴(kuò)大生產(chǎn)線的智能化程度，在生產(chǎn)線上的裝置和設(shè)備旁邊導(dǎo)入先進(jìn)信息通信設(shè)備的工廠越來越多。

2024-02-21 標(biāo)簽：轉(zhuǎn)換器 MOSFET SiC 852 0

為什么選擇SiC作為下一個雙向板載充電器設(shè)計(jì)呢？

硅（Si）基電力電子器件長期以來一直主導(dǎo)著電力電子行業(yè)，因?yàn)樗鼈兊募夹g(shù)成熟度和相對容易獲得。

2023-03-07 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動器充電器 851 0

碳化硅技術(shù)的挑戰(zhàn)與應(yīng)用

碳化硅（SiC）是一種由硅和碳組成的半導(dǎo)體材料，用于制造電動汽車（EV）、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。與IGBT和MOSFET等傳統(tǒng)...

2023-12-05 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體功率器件 851 0

采用碳化硅SiC技術(shù)封裝設(shè)計(jì)的SA111

SA111采用碳化硅（SiC）技術(shù)和領(lǐng)先的封裝設(shè)計(jì)，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。

2023-01-30 標(biāo)簽：MOSFET 直流轉(zhuǎn)換器 PFC 851 0

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尼吉康

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trinamic

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TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運(yùn)動控制產(chǎn)品的設(shè)計(jì)與研發(fā)（步進(jìn)和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
無線供電

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無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負(fù)載。實(shí)際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
寧德時代

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艾德克斯

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ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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目前手機(jī)快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實(shí)。
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國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準(zhǔn)，將該標(biāo)準(zhǔn)引入中國。
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Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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A4WP由三星與Qualcomm創(chuàng)立的無線充電聯(lián)盟，英特爾已加入該組織，并成為董事成員。
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　BMS電池系統(tǒng)俗稱之為電池保姆或電池管家，主要就是為了智能化管理及維護(hù)各個電池單元，防止電池出現(xiàn)過充電和過放電，延長電池的使用壽命，監(jiān)控電池的狀態(tài)。
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MAX660 單片電荷泵電壓逆變器將+1.5V 至+5.5V 輸入轉(zhuǎn)換為相應(yīng)的-1.5V 至-5.5V 輸出。僅使用兩個低成本電容器，電荷泵的 100mA 輸出取代了開關(guān)穩(wěn)壓器，消除了電感器及其相關(guān)成本、尺寸和 EMI。
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采用可靠、經(jīng)濟(jì)、集成、低碳、環(huán)保的設(shè)備與設(shè)計(jì)，以全站信息數(shù)字化、通信平臺網(wǎng)絡(luò)化、信息共享標(biāo)準(zhǔn)化、系統(tǒng)功能集成化、結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)緊湊化、高壓設(shè)備智能化和運(yùn)行狀態(tài)可視化等為基本要求，能夠支持電網(wǎng)實(shí)時在線分析和控制決策，進(jìn)而提高整個電網(wǎng)運(yùn)行可靠性及經(jīng)濟(jì)性的變電站。
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逆變器將直流電轉(zhuǎn)化為交流電，若直流電壓較低，則通過交流變壓器升壓，即得到標(biāo)準(zhǔn)交流電壓和頻率。對大容量的逆變器，由于直流母線電壓較高，交流輸出一般不需要變壓器升壓即能達(dá)到220V，在中、小容量的逆變器中，由于直流電壓較低，如12V、24V，就必須設(shè)計(jì)升壓電路。
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Navitas 成立于 2014 年，開發(fā)的超高效氮化鎵（GaN）半導(dǎo)體在效率、性能、尺寸、成本和可持續(xù)性方面正在徹底改變電力電子領(lǐng)域。Navitas 這個名字來源于拉丁語中的能源，它不僅體現(xiàn)了我們對開發(fā)技術(shù)以改善和更可持續(xù)的能源使用的關(guān)注，還體現(xiàn)了我們到 2026 年為估計(jì) 13B 美元的功率半導(dǎo)體市場帶來的能源。
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脈沖寬度調(diào)制是一種模擬控制方式，根據(jù)相應(yīng)載荷的變化來調(diào)制晶體管基極或MOS管柵極的偏置，來實(shí)現(xiàn)晶體管或MOS管導(dǎo)通時間的改變，從而實(shí)現(xiàn)開關(guān)穩(wěn)壓電源輸出的改變。這種方式能使電源的輸出電壓在工作條件變化時保持恒定，是利用微處理器的數(shù)字信號對模擬電路進(jìn)行控制的一種非常有效的技術(shù)。
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DC/DC表示的是將某一電壓等級的直流電源變換其他電壓等級直流電源的裝置。DC/DC按電壓等級變換關(guān)系分升壓電源和降壓電源兩類，按輸入輸出關(guān)系分隔離電源和無隔離電源兩類。例如車載直流電源上接的DC/DC變換器是把高壓的直流電變換為低壓的直流電。
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共享充電寶是指企業(yè)提供的充電租賃設(shè)備，用戶使用移動設(shè)備掃描設(shè)備屏幕上的二維碼交付押金，即可租借一個充電寶，充電寶成功歸還后，押金可隨時提現(xiàn)并退回賬戶。2021年4月，研究機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示，2020年全國在線共享充電寶設(shè)備量已超過440萬，用戶規(guī)模超過2億人。隨著用戶規(guī)模與落地場景的激增，消費(fèi)者對共享充電寶的價格變得越來越敏感。
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UCD3138

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董明珠

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董明珠，出生于江蘇南京，企業(yè)家，先后畢業(yè)于安徽蕪湖職業(yè)技術(shù)學(xué)院、中南財經(jīng)政法大學(xué)EMBA2008級、中國社會科學(xué)院經(jīng)濟(jì)學(xué)系研究生班、中歐國際工商學(xué)院EMBA 。　　1990年進(jìn)入格力做業(yè)務(wù)經(jīng)理。 1994年開始相繼任珠海格力電器股份有限公司經(jīng)營部部長、副總經(jīng)理、副董事長。并在2012年5月，被任命為格力集團(tuán)董事長。連任第十屆、第十一屆和第十二屆全國人大代表，擔(dān)任民建中央常委、廣東省女企業(yè)家協(xié)會副會長、珠海市紅十字會榮譽(yù)會長等職務(wù) 。2004年3月，當(dāng)選人民日報《中國經(jīng)濟(jì)周刊》評選的2003-2004年度“中國十大女性經(jīng)濟(jì)人物”。2004年6月被評為“受MBA尊敬的十大創(chuàng)新企業(yè)家”和2004年11月被評為“2004年度中國十大營銷人物”

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