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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產(chǎn)綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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sic技術

GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術挑戰(zhàn)

　SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

2023-08-09 標簽：驅動器 SiC 氮化鎵 1078 0

聊聊SiC在電動汽車上的應用

上期EV焦點欄目我們聊了聊電動汽車為什么要上800V，也大致了解了SiC和800V互相成就的關系。今天這期，我們相對放大一下，聊聊SiC在電動汽車上的應用。

2024-01-02 標簽：電動汽車 MOSFET 電池充電 1078 0

碳化硅功率模塊最大限度提高有源前端效率

本文解決了這些問題，并通過并行比較，證明了碳化硅（SiC）是迄今為止在高功率應用中優(yōu)于硅基器件的選擇。該演示使用 UPS 和充電器系統(tǒng)的一個重要部分，即...

2023-05-20 標簽：UPS IGBT SiC 1071 0

追求盡善盡美–電動車中的SiC半導體

本文探討了SiC FET共源共柵結構是如何提供最佳性能和一系列其他好處的。

2021-05-12 標簽：轉換器電動車 SiC 1069 0

測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法

SiC MOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：...

2023-05-08 標簽：MOSFET 柵極 SiC 1068 0

APEX微技術發(fā)布碳化硅SiC半橋集成電源模塊：SA111

SA111采用碳化硅（SiC）技術和領先的封裝設計，突破了模擬模塊的熱效率和功率密度的上限。

2023-04-27 標簽：MOSFET 電源模塊 SiC 1065 0

在正確的比較中了解SiC FET導通電阻隨溫度產(chǎn)生的變化

比較SiC開關的數(shù)據(jù)資料并非易事。由于導通電阻的溫度系數(shù)較低，SiC MOSFET似乎占據(jù)了優(yōu)勢，但是這一指標也代表著與UnitedSiC FET相比，...

2022-11-14 標簽：MOSFET FET SiC 1065 0

大面積燒結的進步提高了功率模塊的性能

以碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導體可在功率轉換應用中實現(xiàn)更快的開關速度、更低的損耗和更高的功率密度。隨著功率半導體效率的提高，碳化...

2023-11-21 標簽：SiC 氮化鎵功率模塊 1065 0

全SiC功率模塊的開關損耗

全SiC功率模塊與現(xiàn)有的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著這兩大優(yōu)勢。

2023-02-08 標簽：IGBT SiC 功率模塊 1063 0

SiC-MOSFET與IGBT的區(qū)別

IGBT的低Vd（或低Id）范圍（在本例中是Vd到1V左右的范圍），在IGBT中是可忽略不計的范圍。這在高電壓大電流應用中不會構成問題，但當用電設備的電...

2023-02-23 標簽：MOSFET IGBT SiC 1062 0

基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進展

近期，美國南卡羅來納大學報道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導體異質(zhì)結場效應晶...

2023-05-25 標簽：充電器晶體管場效應晶體管 1061 0

碳化硅在電力電子器件中的優(yōu)勢和應用

碳化硅（SiC）是一種寬禁帶半導體材料，由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能，在電力電子行業(yè)中越來越受歡迎。

2023-11-08 標簽：半導體電力電子器件 SiC 1060 0

【當代材料電學測試】系列之四：寬禁帶材料測試

隨著電子電力的發(fā)展，功率器件的使用越來越多，SiC、GaN等被廣泛應用于射頻與超高壓等領域。

2021-03-26 標簽：萬用表 SiC GaN 1060 0

茂睿芯MD18011X單通道隔離型柵極驅動器簡介

MD18011X，光耦兼容的單通道隔離型柵極驅動器系列，是茂睿芯功率驅動產(chǎn)品推出的新型產(chǎn)品系列，可廣泛應用于工業(yè)電源、光伏逆變器、伺服、變頻器等系統(tǒng)。它...

2023-10-26 標簽：MOSFET 驅動器 IGBT 1053 0

SiC MOSFET柵-源電壓測量方法

本文的關鍵要點?如果將延長電纜與DUT引腳焊接并連接電壓探頭進行測量，在開關速度較快時，觀察到的波形會發(fā)生明顯變化。?受測量時所裝的延長電纜的影響，觀察...

2023-02-09 標簽：MOSFET SiC 電壓測量 1045 0

柵極誤導通的處理方法

使用評估電路來確認柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅動電路示例，柵極驅動L為負電壓驅動。CN1和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅動器的電源...

2023-02-27 標簽：電源驅動器 SiC 1044 0

DTS技術提高功率模塊可靠性方面發(fā)揮的關鍵作用

派恩杰半導體，中國第三代半導體功率器件的領先品牌，主營碳化硅MOSFET、碳化硅SBD和氮化鎵HEMT等功率器件產(chǎn)品。在新能源汽車、光伏儲能、白色家電、...

2024-08-12 標簽：半導體功率器件 SiC 1044 0

1200V耐壓、400A/600A的全SiC功率模塊BSM400D12P3G002和BSM600D12P3G001

ROHM面向工業(yè)設備用電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉換器，開發(fā)出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D1...

2023-02-10 標簽：電源模塊 SiC 1043 0

新型SBD和MOSFET封裝大幅縮減尺寸，提升功率密度

與硅相比，寬禁帶半導體技術，如 Wolfspeed 的碳化硅（SiC）MOSFET 和肖特基勢壘二極管（SBD）可為電源設計人員帶來諸多優(yōu)勢。更低的傳導...

2023-05-24 標簽：MOSFET 半導體 SiC 1040 0

碳化硅技術助力綠色環(huán)保替代方案進入良性循環(huán)

大幅提高可再生能源（尤其是太陽能和風能）的投資回報率（ROI），意味著需要提升儲能系統(tǒng)（ESS）的效率、容量、功率密度和成本效益。由于不斷增長的電動汽車...

2023-05-19 標簽：太陽能 SiC 可再生能源 1039 0

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