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金剛砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。

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SiC二極管的工作原理和結構

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2023-08-04 標簽：SiC 碳化硅 1110 0

驅動電機絕緣高頻高壓下的耐久性評價總結

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2023-12-05 標簽：IGBT SiC 1105 0

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2024-03-12 標簽：驅動器電磁兼容 IGBT 1103 0

功率系統中SiC MOSFET/Si IGBT柵極參數自動測試與計算新方案

柵極參數設計是通過理論計算或建模仿真，模擬器件的開關狀態，掌握其動態特性。常用的仿真軟件有ANSYS和MATLAB等，其核心還是理論計算。

2024-04-29 標簽：MOSFET IGBT emc 1102 0

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2022-09-20 標簽：轉換器 MOSFET SiC 1097 0

一種基于實際頻率測量的多頻方法來構建復頻率光波

超透鏡Superlenses是由等離子體激元材料和超材料制成的，并在亞衍射尺度上，實現特征成像。

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碳化硅的特性、應用及動態測試

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橋式電路的開關產生的電流和電壓

下面的電路圖是SiC MOSFET橋式結構的同步式boost電路，LS開關導通時的示例。電路圖中包括SiC MOSFET的寄生電容、電感、電阻，HS和L...

2023-02-27 標簽：MOSFET SiC 1088 0

SiC器件如何顛覆不間斷電源設計?

不間斷電源 (UPS) 和其他基于電池的儲能系統可以確保住宅、電信設施、數據中心、工業設備、醫療設備和其他關鍵設備的持續供電。憑借先進的半導體技術，這些...

2023-10-10 標簽：UPS 安森美不間斷電源 1088 0

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SiC器件在光伏發電領域中的作用能否達到降本增效的效果？

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2023-10-07 標簽：濾波器光伏發電 SiC 1086 0

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在數據中心基礎設施要求以盡可能低的成本提供高效、可靠電力的推動下，預計不間斷電源 (UPS) 市場將在未來幾年顯著增長。隨著全球經濟朝著更大的數字化方向...

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SiC MOSFET：柵極-源極電壓的浪涌抑制方法-正電壓浪涌對策

本文的關鍵要點：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導通時的HS誤導通。如果柵極驅動IC沒有驅動米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則...

2023-02-09 標簽：MOSFET 柵極 SiC 1084 0

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隨著寬帶隙半導體技術變得越來越流行，正在執行不同的耐久性測試來評估二極管在高溫和嚴酷電流循環條件下的運行情況。毫無疑問，電力電子在未來幾年內將繼續在基礎...

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雷達電子設備組件金剛石/銅復合材料散熱基板熱性能研究

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2024-01-25 標簽：半導體晶體管功率器件 1083 0

寬帶隙半導體重塑交通運輸行業

作者：Rolf Horn 投稿人：DigiKey 北美編輯整個交通運輸行業正在經歷一場徹底的變革，內燃機 (ICE) 汽車逐漸讓位于污染更少的電動汽車...

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