下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19
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有使用過SIC MOSFET 的大佬嗎 想請教一下驅動電路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
在SIC JFET 驅動電路中要求輸入一個-25V電壓，有什么方法可以產生負的電壓？
2016-12-12 11:10:34
SIC403 - microBUCK SiC403 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with Programmable LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SIC413 - microBUCK SiC413 4-A, 26-V Integrated Synchronous Buck Regulator - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SIC414DB - microBUCK SiC414 6 A, 28 V Integrated Buck Regulator with 5 V LDO - Vishay Siliconix
2022-11-04 17:22:44
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
SIC789CD-T1-GE3
2023-03-28 13:48:55
`請問：圖片中的紅色白色藍色模塊是什么東西？芯片屏蔽罩嗎？為什么加這個東西？抗干擾或散熱嗎？這是個SiC MOSFET DC-DC電源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
的穩健性、可靠性、高頻應用中的瞬時振蕩以及故障處理等問題。這就需要工程師深入了解SiC MOSFET的工作特征及其對系統設計的影響。如圖1所示，與同類型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
效率，并實現了全球節能。事實上，有人估計的IGBT幫助阻止750000億磅的CO 2排放量在過去25年。 就像二十世紀八十年代的IGBT革命一樣，今天寬帶隙半導體碳化硅（SiC）再次顯示出為電力
2023-02-27 13:48:12
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發背景和優點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
1. 器件結構和特征 Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。 IGBT
2023-02-07 16:40:49
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-04-09 04:58:00
研究開發法人科學技術振興機構合作開發，在CEATEC 2014、TECHNO-FRONTIER2015展出的產品。?超高壓脈沖電源特征?超高耐壓偽N通道SiC MOSFET?低導通電阻（以往產品的1
2018-11-27 16:38:39
）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在包括車載在內的各種應用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當前的SiC-SBD?反向恢復
2019-03-27 06:20:11
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優異的高速性還同時實現了高
2018-11-29 14:35:50
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的，所以在此匯總一下SiC
2018-11-30 11:51:17
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些優異的設計？SiC46x的主要應用領域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
1. 器件結構和特征Si材料中越是高耐壓器件，單位面積的導通電阻也越大（以耐壓值的約2~2.5次方的比例增加），因此600V以上的電壓中主要采用IGBT（絕緣柵極雙極型晶體管）。IGBT通過
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬范圍內控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
速度和寄生電容的特征。開關速度：與IGBT的比較下圖是開關導通時和開關關斷時的dV/dt、即開關速度與IGBT模塊的比較。SiC模塊的開關導通時的dV/dt與IGBT模塊幾乎相同，依賴于外置的柵極電阻
2018-11-30 11:31:17
與硅相比，SiC有哪些優勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
WInSiC4AP的主要目標是什么？SiC技術在WInSiC4AP中有什么應用？
2021-07-15 07:18:06
半導體的關鍵特性是能帶隙，能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙（WBG）可以實現更高功率，更高開關速度的晶體管，WBG器件包括氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
、SiC 和 Si 功率器件概述 2、SiC 功率器件的特征 3、SiC 功率器件的注意點，可靠性 4、SiC 功率器件的活用（動作、回路、實驗例
2018-07-27 17:20:31
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
引言：前段時間，Tesla Model3的拆解分析在行業內確實很火，現在我們結合最新的市場進展，針對其中使用的碳化硅SiC器件，來了解一下SiC器件的未來需求。我們從前一段時間的報道了解到：目前
2021-09-15 07:42:00
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模塊與現有的功率模塊相比具有SiC與生俱來的優異性能。本文將對開關損耗進行介紹，開關損耗也可以說是傳統功率模塊所要解決的重大課題。全SiC功率模塊的開關損耗全SiC功率模塊與現有
2018-11-27 16:37:30
與制冷劑熱物性標準圖表進行比較，表明其精度高，能滿足制冷空調系統仿真的需要。關鍵詞：制冷；仿真；制冷劑；熱力性質[hide] [/hide]
2010-03-18 22:27:49
包括車載在內的各種應用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。當前的SiC-SBD?反向恢復時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發揮
2018-12-04 10:26:52
建筑物性能的計算機仿真計算
2012-08-20 10:28:58
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
本章將介紹最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供應的SiC-MOSFET的相關信息。獨有的雙溝槽結構SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不斷發展的進程中，ROHM于世界首家實現了溝槽柵極
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅電力電子器件研究中最受關注的器件。成果比較突出的就是美國的Cree公司和日本的ROHM公司。在國內雖有幾家在持續投入，但還處于開發階段, 且技術尚不完全成熟。從國內
2019-09-17 09:05:05
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
深愛全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范圍SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都
2018-11-29 14:43:52
改善，并進一步降低了第2代達成的低VF。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅
2019-07-10 04:20:13
本半導體制造商羅姆面向工業設備和太陽能發電功率調節器等的逆變器、轉換器，開發出耐壓高達1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此產品損耗
2019-03-18 23:16:12
在未來幾年投入使用SiC技術來應對汽車電子技術挑戰是ECSEL JU的WInSiC4AP專案所要達成的目標之一。ECSEL JU和ESI攜手為該專案提供資金支援，實現具有重大經濟和社會影響的優勢互補
2019-06-27 04:20:26
項目名稱： 工業食品物性檢測 &
2013-11-08 16:22:20
瞬態法材料熱物性參數測量系統: 本文介紹一種瞬態法材料熱物性參數測量系統的工作原理、硬件結構、軟件組成及特點。詳細分析了其誤差并探索了提高測量準確度的方法。實
2009-06-02 08:06:43
20 鋰錳電池的結構及物性
2009-11-13 14:29:031758 SiC,SiC是什么意思
SiC是一種Ⅳ－Ⅳ族化合物半導體材料，具有多種同素異構類型。其典型結構可分為兩類：一類是閃鋅礦結構的立方SiC晶型，稱為3C
2010-03-04 13:25:266541 藥物性肝損傷（Drug-Induced Liver Injury， 簡稱DILI）是指應用治療劑量的藥物時，肝臟藥物毒性損害或發生過敏反應引起的疾病。據世界衛生組織統計，藥物性肝損傷已上升為全球死亡原因
2012-10-22 11:48:43957 
質構儀（物性分析儀）的基本構造及原理 質構儀也叫物性分析儀，是一種物性分析儀器，廣泛應用于食品、園藝、畜牧、水產、林業、農業、化妝品、化工、醫藥等領域，測定的參數包括硬度、粘性、彈性、咀嚼性、回復
2017-09-15 14:32:3910 在流量計測量和計算中，要使用到一些流體的物理性質(流體物性)，它們對流量測量的準確度及流量計的選用都有很大影響。
2018-06-11 15:57:197575 各種多種晶型，它們的物性值也各不相同。其中，4H-SiC最合適用于功率器件制作。另外，SiC是唯一能夠熱氧化形成SiO2的化合物半導體，所以適合制備MOS型功率器件。
2018-07-15 11:05:419257 
各種多種晶型，它們的物性值也各不相同。其中，4H-SiC最合適用于功率器件制作。另外，SiC是唯一能夠熱氧化形成SiO2的化合物半導體，所以適合制備MOS型功率器件。
2018-09-29 09:08:008115 ?熱物性測量設備主要是為了測量分析復合材料的“熱擴散率問題”，從多方面確認散熱材料的性能，從而發揮其輔助散熱的作用，確保應用產品的安全正常使用。樣品上鍍金屬薄膜，再通過加熱用激光進行循環加熱，金屬
2019-03-22 15:30:21326 的 3 倍，而且在器件制造時可以在較寬的范圍內實現必要的 P 型、N 型控制，所以被認為是一種超越 Si 極限的用于制造功率器件的材料。SiC 存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。最適合于制造功率器件的是 4H-SiC，現在 4inch～6inch 的單晶晶圓已經實現了量產。
2021-04-20 16:43:0957 上海保圣酒醅物性測定儀產品介紹
2022-01-17 15:16:105 如何選擇米制品物性測定探頭
2022-01-17 15:20:452 面制品物性測定探頭要怎么選擇
2022-01-17 15:26:511 上海保圣土壤黏性測定儀—物性測定儀資料
2022-01-17 15:49:085 物性測定儀關于微針新型透皮技術應用效果力學評價
2022-01-17 15:56:167 寬帶隙半導體是高效功率轉換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進行了對比。
2022-10-31 09:03:23666 一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 以碳化硅(silicon carbide，SiC)為代表的寬禁帶半導體器件，受到了廣泛的關注。SiC中存在各種多型體(結晶多系)，它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適。
2023-02-04 14:25:251014 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。
2023-02-06 14:39:51645 
1. 器件結構和特征 SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速
2023-02-07 16:46:27501 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。一開始，我們先來了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征：SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都非常穩定。
2023-02-08 13:42:083923 
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。
2023-02-08 13:43:18705 
繼前篇結束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關的內容介紹。功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
近年來超級結（Super Junction）結構的MOSFET（以下簡稱“SJ-MOSFET”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
碳化硅（SiC）是比較新的半導體材料。一開始，了解一下它的物理特性和特征。
SiC是由硅(Si)和碳(C)組成的化合物半導體材料。其結合力非常強，在熱、化學、機械方面都非常穩定。SiC存在各種
2023-02-20 16:08:520 前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30346 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:27492 
功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。SiC功率元器件半導體的優勢前面已經介紹過，如低損耗、高速開關、高溫工作等，顯而易見這些優勢是非常有用的。本章將通過其他功率晶體管的比較，進一步加深對SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203 
導讀：近日英國普洛帝分析側集團公司向國際石油化工行業發布石油物性及化學性能標準物質平臺，石油儀器生產廠家、第三方檢測計量機構及石油儀器用戶等均可向其訂購石油物性及化學性能標準物質。關鍵詞：石油物性
2022-02-09 09:14:47200 
我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 
一、什么是SiC半導體？1.SiC材料的物性和特征SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。不僅絕緣擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，而且在器件制作時可以在較寬
2023-08-21 17:14:581145 
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