色哟哟视频在线观看-色哟哟视频在线-色哟哟欧美15最新在线-色哟哟免费在线观看-国产l精品国产亚洲区在线观看-国产l精品国产亚洲区久久

電子發燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

電子發燒友網>今日頭條>濕法蝕刻工藝的作用:可有效去除金屬氧化物

濕法蝕刻工藝的作用:可有效去除金屬氧化物

收藏

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴

評論

查看更多

相關推薦

蝕刻機遠程監控與智能運維物聯網解決方案

數字化目標。 自動蝕刻機是利用金屬對電解作用的反應,將金屬進行腐蝕刻畫,從而蝕刻出各種圖紋、花紋、幾何形狀,產品精度極高,因此對設備運行穩定的要求也很高。對此,物通博聯提供基于工業智能網關的自動蝕刻機數據采集解
2024-03-20 17:52:39823

通用互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 多路復用器TMUX1208和TMUX1209數據表

電子發燒友網站提供《通用互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 多路復用器TMUX1208和TMUX1209數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 17:27:100

具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體(CMOS)開關TMUX722x數據表

電子發燒友網站提供《具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體(CMOS)開關TMUX722x數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 13:49:530

現代互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 模擬多路復用TMUX734xF數據表

電子發燒友網站提供《現代互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 模擬多路復用TMUX734xF數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 11:27:500

現代互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 模擬多路復用器TMUX7308F和TMUX7309F數據表

電子發燒友網站提供《現代互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 模擬多路復用器TMUX7308F和TMUX7309F數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 11:14:040

具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 開關TMUX7219M數據表

電子發燒友網站提供《具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 開關TMUX7219M數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 11:12:390

互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 多路復用器TMUX4827數據表

電子發燒友網站提供《互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 多路復用器TMUX4827數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 10:57:050

具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 開關TMUX7236數據表

電子發燒友網站提供《具有閂鎖效應抑制特性的互補金屬氧化物半導體 (CMOS) 開關TMUX7236數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 10:56:000

什么是BCD工藝?BCD工藝與CMOS工藝對比

BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)工藝技術是將雙極型晶體管、CMOS(互補金屬氧化物半導體)和DMOS(雙擴散金屬氧化物半導體)晶體管技術組合在單個芯片上的高級制造工藝
2024-03-18 09:47:41178

氧化碳雪清洗技術在芯片制造中的關鍵突破

級的顆粒。與傳統的濕法和干法清洗方法相比,二氧化碳雪清洗具有以下優點:高效清洗:二氧化碳雪清洗能夠通過沖擊和剝離的原理徹底去除晶粒表面的微粒,有效提高清洗效果。無殘
2024-02-27 12:14:4693

Littelfuse宣布推出SM10金屬氧化物壓敏電阻系列

Littelfuse 宣布推出SM10壓敏電阻系列,這是一款革命性的金屬氧化物壓敏電阻 (MOV),旨在為汽車電子器件、電動汽車 (EV) 以及其他各類應用提供卓越的瞬態浪涌保護。
2024-02-20 09:51:23257

HI-3182PSTF-N金屬氧化物半導體器件

HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N總線接口產品是根據ARINC 429總線規范設計的硅柵互補式金屬氧化物半導體器件。除了
2024-02-19 10:30:40

HI-8585PSIF 互補式金屬氧化物半導體集成電路

該HI-8585 and HI-8586 是互補式金屬氧化物半導體集成電路,設計用于在8引腳封裝中直接驅動ARINC 429總線,兩個邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓,產生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34

東京電子新型蝕刻機研發挑戰泛林集團市場領導地位

根據已公開的研究報告,東京電子的新式蝕刻機具備在極低溫環境下進行高速蝕刻的能力。據悉,該機器可在33分鐘內完成10微米的蝕刻工作。此外,設備使用了新開發的激光氣體,搭配氬氣和氟化碳氣體以提升工藝水平。
2024-02-18 15:00:22109

半導體資料丨氧化鋅、晶體硅/鈣鈦礦、表面化學蝕刻的 MOCVD GaN

蝕刻時間和過氧化氫濃度對ZnO玻璃基板的影響 本研究的目的是確定蝕刻ZnO薄膜的最佳技術。使用射頻濺射設備在玻璃基板上沉積ZnO。為了蝕刻ZnO薄膜,使用10%、20%和30%的過氧化氫(H2O2
2024-02-02 17:56:45306

結型場效應管和金屬氧化物場效應管的分類

,即使不加柵源電壓,也會形成反型層和導電溝道,在此基礎上加負向電壓溝道電阻變小,加正向電壓導電溝道變小,而且正向電壓減小到一定程度反型層消失導電溝道消失。 場效應管分為結型場效應管和金屬氧化物場效應管
2024-01-30 11:38:27

智程半導體完成股權融資,專注半導體濕法工藝設備研發

智程半導體自2009年起致力于半導體濕法工藝設備研究、生產與銷售事業,10余載研發歷程,使得其已成為全球頂尖的半導體濕法設備供應商。業務范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設備,廣泛應用于各種高尖端產品領域。
2024-01-12 14:55:23636

食品包裝用氧化物阻隔透明塑料復合膜水蒸氣透過率測試儀

食品包裝用氧化物阻隔透明塑料復合膜水蒸氣透過率測試儀產品簡介WVTR-C6水蒸氣透過率測試系統,專業、高效、智能的WVTR高端測試系統,適用于塑料薄膜、復合膜等膜、醫療、建筑領域等多種材料的水蒸氣
2024-01-05 16:32:43

一種鋰電池內水去除工藝方法

一種鋰電池內水去除工藝方法
2024-01-04 10:23:47174

三環阻燃型小型金屬氧化膜固定電阻器

阻燃型小型金屬氧化膜固定電阻器以高溫燒結導電膜技術為基礎,通過在氧化鋁陶瓷基體表面精心燒結導電膜層,經過一系列精密工藝步驟制造而成。在制程中,經過壓帽分選、刻槽定值、焊接引出線、涂覆阻燃性外封漆以及標識色碼等工藝步驟,確保產品具備卓越的性能和可靠性。
2023-12-18 17:15:38133

晶振引腳氧化的原因及解決辦法

晶振引腳氧化的原因及解決辦法 晶振引腳的氧化問題可能是由于以下幾個原因造成的: 1. 金屬引腳材料選擇不當:一些晶振引腳采用的是不易氧化金屬材料,如不銹鋼、鍍銀銅腳等,可以有效地防止氧化問題的發生
2023-12-18 14:36:50241

刻工藝的基本步驟 ***的整體結構圖

光照條件的設置、掩模版設計以及光刻膠工藝等因素對分辨率的影響都反映在k?因子中,k?因子也常被用于評估光刻工藝的難度,ASML認為其物理極限在0.25,k?體現了各家晶圓廠運用光刻技術的水平。
2023-12-18 10:53:05326

【器件篇】MEMS氣體傳感器基礎知識詳解

許多氣體傳感器的工作原理是通過將氣體分子吸附到金屬氧化物(MOS)元件的表面,吸附的氣體分子與這種金屬氧化物表面相互作用
2023-12-15 10:55:591971

什么是金屬氧化膜電阻器?金屬氧化膜電阻器的主要特點

金屬氧化膜電阻器是一種廣泛應用于電子電路中的電阻元件,它的主要作用是限制電流的流動。
2023-12-14 13:42:40523

【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)

【科普小貼士】金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)
2023-12-13 14:22:41260

針對氧氣(O2)和三氯化硼(BCl3)等離子體進行原子層蝕刻的研究

技術提供了典型應用。蝕刻工藝對器件特性有著較大的影響,尤其是在精確控制蝕刻深度和較小化等離子體損傷的情況下影響較大。
2023-12-13 09:51:24294

半導體工藝中的蝕刻工藝的選擇性

刻蝕的機制,按發生順序可概分為「反應物接近表面」、「表面氧化」、「表面反應」、「生成物離開表面」等過程。所以整個刻蝕,包含反應物接近、生成物離開的擴散效應,以及化學反應兩部分。
2023-12-11 10:24:18250

一文詳解金屬薄膜沉積工藝金屬

金屬柵極的沉積方法主要由HKMG的整合工藝決定。為了獲得穩定均勻的有效功函數,兩種工藝都對薄膜厚度的均勻性要求較高。另外,先柵極的工藝金屬薄膜沒有臺階覆蓋性的要求,但是后柵極工藝因為需要重新填充原來多晶硅柵極的地方,因此對薄膜的臺階覆蓋 性及其均勻度要求較高。
2023-12-11 09:25:31659

GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管

教授李清庭做了“GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導體D模和E模高電子遷移率晶體管”的主題報告。
2023-12-09 14:49:03921

PCB的蝕刻工藝及過程控制

另外一種工藝方法是整個板子上都鍍銅,感光膜以外的部分僅僅是錫或鉛錫抗蝕層。這種工藝稱為“全板鍍銅工藝“。與圖形電鍍相比,全板鍍銅的缺點是板面各處都要鍍兩次銅而且蝕刻時還必須都把它們腐蝕掉。
2023-12-06 15:03:45261

半導體制造之光刻工藝講解

刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來。利用光刻機發出的光通過具有圖形的光罩對涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見光后會發生性質變化,從而使光罩上得圖形復印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334

在氮化鎵和AlGaN上的濕式數字蝕刻

由于其獨特的材料特性,III族氮化物半導體廣泛應用于電力、高頻電子和固態照明等領域。加熱的四甲基氫氧化銨(TMAH)和KOH3處理的取向相關蝕刻已經被用于去除III族氮化物材料中干法蝕刻引起的損傷,并縮小垂直結構。
2023-11-30 09:01:58166

什么是四探針測量技術? 什么是渦流測量技術?

在半導體芯片等器件工藝中,后道制程中的金屬連接是經過金屬薄膜沉積,圖形化和蝕刻工藝,最后在器件元件之間得到導電連接。
2023-11-29 09:15:31434

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝

三星D1a nm LPDDR5X器件的EUV光刻工藝
2023-11-23 18:13:02579

等離子體基銅蝕刻工藝及可靠性

近年來,銅(Cu)作為互連材料越來越受歡迎,因為它具有低電阻率、不會形成小丘以及對電遷移(EM)故障的高抵抗力。傳統上,化學機械拋光(CMP)方法用于制備銅細線。除了復雜的工藝步驟之外,該方法的一個顯著缺點是需要許多對環境不友好的化學品,例如表面活性劑和強氧化劑。
2023-11-08 09:46:21188

基于金屬氧化物的一氧化碳傳感器的挑戰與發展

的氣敏材料十分豐富,其中金屬氧化物敏感材料由于其良好的電學、光學以及傳感特性被廣泛應用。氣體傳感器性能的改進主要依托于敏感材料的形貌修飾以及不同材料之間的摻雜與復合,以起到“1+1>2”的作用,使之具備更優異的靈敏度和選擇
2023-11-06 09:04:36573

美格納推出第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管

美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473

深入解析鋁及鋁合金的陽極氧化工藝

多孔性 氧化膜具有多孔的蜂窩狀結構,膜層的空隙率決定于電解液的類型和氧化工藝條件。氧化膜的多孔結構,可使膜層對各種有機物、樹脂、地蠟、無機物、染料及油漆等表現出良好的吸附能力,可作為涂鍍層的底層,也可將氧化膜染成各種不同的顏色,提高金屬的裝飾效果。
2023-10-11 15:59:04901

以創新研發引領未來 金屬氧化物面板技術引領行業新潮流

華映科技擁有自主研發的金屬氧化物面板技術,這是目前國內領先的氧化物器件技術。這種技術的突破,使得華映科技在全球顯示行業的地位日益提升。2023年,公司的一款12.6寸金屬氧化物2.5K高刷高靈敏臻彩屏,在第十一屆中國電子信息博覽會上榮獲了顯示創新獎。
2023-10-10 16:57:09456

關于氮化鎵的干蝕刻綜述

GaN及相關合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結果有限,因此人們投入了大量精力來開發干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發一開始集中于臺面結構,其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側壁和不同材料的同等蝕刻
2023-10-07 15:43:56319

降低半導體金屬線電阻的沉積和蝕刻技術

銅的電阻率取決于其晶體結構、空隙體積、晶界和材料界面失配,這在較小的尺度上變得更加重要。傳統上,銅(Cu)線的形成是通過使用溝槽蝕刻工藝在低k二氧化硅中蝕刻溝槽圖案,然后通過鑲嵌流用Cu填充溝槽來完成的。
2023-09-22 09:57:23281

PCB線路板的蝕刻工藝需要注意哪些細節問題

一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中,在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層,保留在板外層,即電路的圖形部分,然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕,稱為蝕刻
2023-09-18 11:06:30669

銳族 2000w手持式光纖激光除銹機 激光清洗機去除金屬表面銹蝕

;激光除銹機產品特點 高效性:激光除銹機可以快速、高效地去除各種金屬表面的氧化層、銹蝕層、油污等污染。精度高:激光除銹機可以精確控制激光束的能量和焦點
2023-09-15 09:56:53

淺談PCB蝕刻質量及先期存在的問題

要注意的是,蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的,其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍,其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。
2023-09-07 14:41:12474

pcb蝕刻是什么意思

 在印制板外層電路的加工工藝中,還有另外一種方法,就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內層蝕刻工藝,可以參閱內層制作工藝中的蝕刻
2023-09-06 09:36:57811

微弧氧化工藝是什么?微弧氧化技術工藝流程及參數要求

微弧氧化技術工藝流程 主要包含三部分:鋁基材料的前處理,微弧氧化,后處理三部分 其工藝流程如下:鋁基工件→化學除油→清洗→微弧氧化→清洗→后處理→成品檢驗。
2023-09-01 10:50:341235

蝕刻對鈦醫藥材料納米形態表面特性及活化能的影響

金屬具有較高的比強度和生物相容性,并且由于在金屬表面自發形成的鈍化膜而具有優異的抗蝕刻性。這種薄氧化膜在空氣中容易形成,保護內部活性鈦金屬免受侵蝕性介質的影響。二氧化鈦具有很寬的帶隙,因此鈦經常被用于各種應用,包括光催化劑、化學傳感器和醫療植入物。
2023-09-01 10:18:07187

110kV金屬氧化物避雷器的停電預防性試驗(MOA的結構原理)

本課程介紹了110kV金屬氧化物避雷器的停電預防性試驗。首先介紹了MOA的結構原理及M0A預防目的意義。 在電力線上如安裝氧化鋅避雷器后,當雷擊時,雷電波的高電壓使壓敏電阻擊穿,雷電流通過壓敏電阻流入大地,使電源線上的電壓控制在安全范圍內,從而保護了電器設備的安全。
2023-09-01 10:14:06732

半導體工藝里的濕法化學腐蝕

濕法腐蝕在半導體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705

半導體制造工藝之光刻工藝詳解

半導體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221

使用各向同性濕蝕刻和低損耗線波導制造與蝕刻材料對非晶硅進行納米級厚度控制

粗糙度 用硅材料制成的光波導部分取代全球金屬布線,有望在大規模集成器件中實現更快的信號傳輸和更大的節能。硅材料由于其高折射率和互補金屬氧化物半導體(CMOS)工藝兼容性,使得能夠低成本制造尺寸與布線電路相當的超小型光學電路。在硅材
2023-08-22 16:06:56239

帶熱脫扣的金屬氧化物壓敏電阻的優點

帶熱脫扣的金屬氧化物壓敏電阻的優點
2023-08-22 14:56:05499

可持續濕法工藝解決方案

來源:《半導體芯科技》雜志 綠色目標。黃色解決方案。 憑借二十年在批量噴涂及其硬件方面的經驗,Siconnex已成長為可持續濕法工藝設備的領先供應商。可持續發展和環境健康是我們的基因
2023-08-18 17:56:34320

石墨烯負載金屬氧化物催化劑的制備方法

石墨烯作為一種特殊的二維材料,具有高導電性、 高比表面積以及優異的化學和機械穩定性,金屬氧化物納米顆粒與石墨烯結合制備獲得的復合催化劑材料,可增強催化劑體系的導電性、分散性、ORR活性以及穩定性
2023-08-11 10:45:39364

如何實現PCB蝕刻工藝中的均勻性呢?有哪些方法?

PCB蝕刻工藝中的“水池效應”現象,通常發生在頂部,這種現象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質量。
2023-08-10 18:25:431013

構建提高酸性水氧化催化劑穩定性的氧擴散路徑

將活性組分Ir催化劑錨定在金屬氧化物載體上,能有效解決Ir基酸性電解水(OER)催化劑成本高昂的問題,同時易于觸發晶格氧氧化機制(LOM)提升Ir基催化劑的活性。
2023-08-02 17:09:53499

刻蝕工藝流程和步驟 酸性蝕刻和堿性蝕刻的區別

刻蝕和蝕刻實質上是同一過程的不同稱呼,常常用來描述在材料表面上進行化學或物理腐蝕以去除或改變材料的特定部分的過程。在半導體制造中,這個過程常常用于雕刻芯片上的細微結構。
2023-07-28 15:16:594140

半導體光刻工藝 光刻—半導體電路的繪制

金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609

污水處理電解電源,電絮凝脈沖電源,電催化氧化整流電源

一:產品簡介  污水電解脈沖電源利用電的解離作用,在化學凝聚劑的協助下,除去廢水中的污染或把有毒物轉化為無毒物。  反應原理是以鋁、鐵等金屬為陽極,在直流電的作用下,陽極被溶蝕
2023-07-19 17:07:17

700V微弧氧化脈沖電源設備

發明以來一直受到人們的青睞。鎂合金汽車輪轂微弧氧化處理1、工藝特點鎂合金微弧氧化處理是有色金屬表面生長氧化物陶瓷的一種新技術。鎂及其合金材料采用微弧氧化技術進行表面
2023-07-17 11:46:45

深度解讀硅微納技術之的蝕刻技術

蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-14 11:13:32183

深度解讀硅微納技術之蝕刻技術

蝕刻是一種從材料上去除的過程。基片表面上的一種薄膜基片。當掩碼層用于保護特定區域時在晶片表面,蝕刻的目的是“精確”移除未覆蓋的材料戴著面具。
2023-07-12 09:26:03190

建議收藏!表面處理工藝大匯總

微弧氧化又稱微等離子體氧化,是通過電解液與相應電參數的組合,在鋁、鎂、鈦及其合金表面依靠弧光放電產生的瞬時高溫高壓作用,生長出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。
2023-07-11 11:40:36339

淺談半導體制造中的光刻工藝

在之前的文章里,我們介紹了晶圓制造、氧化過程和集成電路的部分發展史。現在,讓我們繼續了解光刻工藝,通過該過程將電子電路圖形轉移到晶圓上。光刻過程與使用膠片相機拍照非常相似。但是具體是怎么實現的呢?
2023-06-28 10:07:472427

淺談半導體制造中的刻蝕工藝

在上一篇文章,我們介紹了光刻工藝,即利用光罩(掩膜)把設計好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步,將在晶圓上進行刻蝕工藝,以去除不必要的材料,只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843

鋁等離子體蝕刻率的限制

都使用Cl基蝕刻化學物質。當在等離子體放電中分解時,CCl為還原物質提供了來源,并用于去除表面氧化物和Cl,與下面的Al反應。
2023-06-27 13:24:11318

鍺、硅、SiNx薄膜的各向同性等離子體蝕刻

CMOS和MEMS制造技術,允許相對于其他薄膜選擇性地去除薄膜,在器件集成中一直具有很高的實用性。這種化學性質非常有用,但是當存在其他材料并且也已知在HF中蝕刻時,這就成了問題。由于器件的靜摩擦、緩慢的蝕刻速率以及橫向或分層膜的蝕刻速率降低,濕法化學也會有問題。
2023-06-26 13:32:441053

液氮恒溫器在氧化物界面的新應用

? 錦正茂的液氮恒溫器在氧化物界面處的二維電子體系(2DES)做為一個獨特的平臺,將典型復合氧化物、強電子相關的低溫物理特性以及由2DES有限厚度引起的量子限域集成于一體。
2023-06-19 11:14:56204

利用氧化和“轉化-蝕刻”機制對富鍺SiGe的熱原子層蝕刻 引言

器件尺寸的不斷縮小促使半導體工業開發先進的工藝技術。近年來,原子層沉積(ALD)和原子層蝕刻(ALE)已經成為小型化的重要加工技術。ALD是一種沉積技術,它基于連續的、自限性的表面反應。ALE是一種蝕刻技術,允許以逐層的方式從表面去除材料。ALE可以基于利用表面改性和去除步驟的等離子體或熱連續反應。
2023-06-15 11:05:05526

遠程等離子體選擇性蝕刻的新途徑

為了提供更優良的靜電完整性,三維(3D)設計(如全圍柵(GAA)場電子晶體管(FET ))預計將在互補金屬氧化物半導體技術中被采用。3D MOS架構為蝕刻應用帶來了一系列挑戰。雖然平面設備更多地依賴于各向異性蝕刻,但是3D設備在不同材料之間具有高選擇性,需要更多的各向異性蝕刻能力。
2023-06-14 11:03:531779

半導體制造光刻工藝制作流程

金屬-氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。MOSFET體積越小,單個 MOSFET的耗電量就越少,還可以制造出更多的晶體管,讓其發揮作用,可謂是一舉多得。
2023-06-13 12:29:09596

電鍍對印制PCB電路板的重要性有哪些?

不可預測的偏差。氧化膜可以保護電路免受侵蝕,但它卻不能保持焊接性。電鍍或金屬涂敷工藝是確保焊接性和保護電路避免侵蝕的標準操作,在單面、雙面和多層印制電路板的制造中扮演著重要的角色。特別是在印制線上鍍一層
2023-06-09 14:19:07

重點闡述濕法刻蝕

刻工藝后,在硅片或晶圓上形成了光刻膠的圖形,下一步就是刻蝕。
2023-06-08 10:52:353320

抓出半導體工藝中的魔鬼-晶圓表面金屬污染

晶圓表面的潔凈度對于后續半導體工藝以及產品合格率會造成一定程度的影響,最常見的主要污染包括金屬、有機物及顆粒狀粒子的殘留,而污染分析的結果可用以反應某一工藝步驟、特定機臺或是整體工藝中所遭遇的污染
2023-06-06 10:29:151093

針對去離子水在晶片表面處理的應用的研究

隨著半導體科技的發展,在固態微電子器件制造中,人們對清潔基底表面越來越重視。濕法清洗一般使用無機酸、堿和氧化劑,以達到去除光阻劑、顆粒、輕有機物、金屬污染物以及硅片表面上的天然氧化物的目的。然而,隨著硅電路和器件結構規模的不斷減小,英思特仍在專注于探索有效可靠的清潔方法以實現更好的清潔晶圓表面。
2023-06-05 17:18:50437

一文了解DPC陶瓷基板工藝流程

直接鍍銅陶瓷基板(Direct Plating Copper, DPC)是在陶瓷薄膜工藝加工基礎上發展起來的陶瓷電路加工工藝。以氮化鋁/氧化鋁陶瓷作為線路的基板,采用濺鍍工藝于基板表面復合金屬層,并以電鍍和光刻工藝形成電路。
2023-05-31 10:32:021587

淺談蝕刻工藝開發的三個階段

納米片工藝流程中最關鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的,并使用氟化化學。優化內部間隔蝕刻(壓痕)和通道釋放步驟,以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071

硅在氫氧化鈉和四甲基氫氧化銨中的溫度依賴性蝕刻

過去利用堿氫氧化物水溶液研究了硅的取向依賴蝕刻,這是制造硅中微結構的一種非常有用的技術。以10M氫氧化鉀(KOH)為蝕刻劑,研究了單晶硅球和晶片的各向異性蝕刻過程,測量了沿多個矢量方向的蝕刻速率,用單晶球發現了最慢的蝕刻面。英思特利用這些數據,提出了一種預測不同方向表面的傾角的方法
2023-05-29 09:42:40618

基于氧化鋁陶瓷基板工藝原理

使用DBC基板作為芯片的承載體,可有效的將芯片與模塊散熱底板隔離開,DBC基板中間的Al2O3陶瓷層或者AlN陶瓷層可有效提高模塊的絕緣能力(陶瓷層絕緣耐壓>2.5KV)。
2023-05-26 15:04:022077

如何在蝕刻工藝中實施控制?

蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝,因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩定,蝕刻率就會變化,因而影響產品質量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學,以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31575

PCB常見的五種蝕刻方式

一般適用于多層印制板的外層電路圖形的制作或微波印制板陰板法直接蝕刻圖形的制作抗蝕刻 圖形電鍍之金屬抗蝕層如鍍覆金、鎳、錫鉛合金
2023-05-18 16:23:484917

高速硅濕式各向異性蝕刻技術在批量微加工中的應用

蝕刻是微結構制造中采用的主要工藝之一。它分為兩類:濕法蝕刻和干法蝕刻濕法蝕刻進一步細分為兩部分,即各向異性和各向同性蝕刻。硅濕法各向異性蝕刻廣泛用于制造微機電系統(MEMS)的硅體微加工和太陽能電池應用的表面紋理化。
2023-05-18 09:13:12700

壓敏電阻(MOV)的參數及工作原理

MOV(Metal Oxide Varistors)即金屬氧化物壓敏電阻,以氧化鋅為主體,摻雜多種金 屬氧化物,采用典型的電子陶瓷工藝制成的多晶半導體陶瓷元器件。
2023-05-15 12:25:543236

集成電路制造工藝有哪幾種?

早期的硅基集成電路工藝以 **雙極型工藝為主** ,不久之后,則以更易大規模集成的 **平面金屬氧化物半導體(MOS)工藝為主流** 。MOSFET由于具有高輸入阻抗、較低的靜態功耗等優異性能,以及
2023-05-06 10:38:414054

硬硬的干貨,21種表面處理工藝

微弧氧化又稱微等離子體氧化,是通過電解液與相應電參數的組合,在鋁、鎂、鈦及其合金表面依靠弧光放電產生的瞬時高溫高壓作用,生長出以基體金屬氧化物為主的陶瓷膜層。
2023-04-25 11:27:59545

半導體工藝金屬布線工藝介紹

本篇要講的金屬布線工藝,與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導體制程中,光刻、刻蝕等工藝,其實是為了金屬布線才進行的。在金屬布線過程中,會采用很多與之前的電子元器件層性質不同的配線材料(金屬)。
2023-04-25 10:38:49986

《炬豐科技-半導體工藝》單晶的濕法蝕刻和紅外吸收

書籍:《炬豐科技-半導體工藝》 文章:單晶的濕法蝕刻和紅外吸收 編號:JFKJ-21-206 作者:炬豐科技 摘要 采用濕法腐蝕、x射線衍射和紅外吸收等方法研究了物理氣相色譜法生長AlN單晶的缺陷
2023-04-23 11:15:00118

印制電路板PCB的制作及檢驗

進行的。  ①全板電鍍方法可用于制造寬度和間距要求不太嚴格的印制電路板。全板電鍍的工藝流程如下:  化學鍍銅→活化→電鍍銅→防氧化處理→水沖洗→干燥→刷板→印制負相抗蝕圖象→修版→電鍍抗蝕金屬→水沖洗→去除抗蝕劑
2023-04-20 15:25:28

《炬豐科技-半導體工藝金屬氧化物半導體的制造

書籍:《炬豐科技-半導體工藝》 文章:金屬氧化物半導體的制造 編號:JFKJ-21-207 作者:炬豐科技 概述 CMOS制造工藝概述 ? CMOS制造工藝流程 ? 設計規則 ? 互補金屬氧化物
2023-04-20 11:16:00247

光子晶體用硅中圓柱形納米孔的深反應離子蝕刻

反應離子蝕刻 (RIE)是一種干法蝕刻工藝,與半導體工業中使用的互補金屬氧化物半導體(CMOS)方法兼容。
2023-04-14 14:26:161253

干法蝕刻濕法蝕刻-差異和應用

干法蝕刻濕法蝕刻之間的爭論是微電子制造商在項目開始時必須解決的首要問題之一。必須考慮許多因素來決定應在晶圓上使用哪種類型的蝕刻劑來制作電子芯片,是液體(濕法蝕刻)還是氣體(干法蝕刻
2023-04-12 14:54:331004

華佳彩12.6”金屬氧化物2.5K高刷高靈敏臻彩屏榮獲CITE創新獎

專業人士的關注與討論。在本次展會上,福建華佳彩有限公司推出的全新“12.6寸金屬氧化物2.5K高刷高靈敏臻彩屏”榮獲創新獎,成為備受矚目的焦點之一。 01 ? 華佳彩成立于2015年6月,坐落于福建省莆田市國家高新技術產業開發區,是福建省電子信
2023-04-11 15:30:41931

從頭到尾的半導體技術

濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉化為液體化合物。選擇性非常高
2023-04-10 17:26:10453

濕式半導體工藝中的案例研究

半導體行業的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非常活潑的氣體的化學氣相沉積或干法蝕刻,所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下,對于濕法化學工藝,使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
2023-04-06 09:26:48408

多晶硅蝕刻工藝講解

了革命性的變化,這種布局完全不同于90nm節點。從45nm節點后,雙重圖形化技術已經應用在柵圖形化工藝中。隨著技術節點的繼續縮小,MOSFET柵極關鍵尺寸CD繼續縮小遇到了困難,IC設計人員開始減少柵極之間的間距。
2023-04-03 09:39:402452

氮化鋁單晶的濕法化學蝕刻

清洗過程在半導體制造過程中,在技術上和經濟上都起著重要的作用。超薄晶片表面必須實現無顆粒、無金屬雜質、無有機、無水分、無天然氧化物、無表面微粗糙度、無充電、無氫。硅片表面的主要容器可分為顆粒、金屬雜質和有機物三類。
2023-03-31 10:56:19314

氧化鋅壓敏電阻的原理是什么?有何特點?

氧化鋅壓敏電阻以氧化鋅(ZnO)為基料,加入Bi2O3、Co2O3、MnCO3等多種金屬氧化物混合,經過高溫燒結、焊接、包封等多重工序制成的電阻器
2023-03-30 10:26:261973

PCB加工的蝕刻工藝

印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應的過程,本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07886

B72214S511K101

SIOV金屬氧化物壓敏電阻
2023-03-28 18:12:42

已全部加載完成

主站蜘蛛池模板: 日本调教网站| 国内精品伊人久久久久| 99国产精品久久久久久久日本竹| 777午夜精品久久AV蜜臀| 99久久精品久久久久久清纯| 小小水蜜桃视频高清在线播放| 羞羞麻豆国产精品1区2区3区| 亚洲春色AV无码专区456| 一本道久在线综合色姐| 中文字幕网站在线观看| 99re精品视频在线播放视频| xxx日本hd| 国产精品免费久久久久影院| 国产在线观看网址你懂得| 久久婷五月综合色啪首页| 欧美兽交YOYO| 美女被日出水| 亚洲欧美日本国产在线观18| 么么哒日本影院| 欧美97色伦综合网| 快播电影频道| 国产麻豆剧看黄在线观看| 精品视频免费在线| 奶头好翘是不是想要了| 色婷婷我要去我去也| 亚洲三级视频在线观看| 9277在线观看免费高清完整版| 成人无码精品一区二区在线观看| 国产午夜视频在线| 快播h动漫网站| 色综合伊人色综合网站| 一区二区三区国产| 99午夜高清在线视频在观看| 国产跪地吃黄金喝圣水合集| 久久不射视频| 骚妇BB双飞插| 在线 | 果冻国产传媒61国产免费| yellow视频免费观看| 护士日本xx厕所| 青青娱乐网| 嫩草影院永久在线一二三四|