電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《通用互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 多路復(fù)用器TMUX1208和TMUX1209數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 17:27:10
0 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)開關(guān)TMUX722x數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 13:49:530 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《現(xiàn)代互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 模擬多路復(fù)用TMUX734xF數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
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2024-03-20 11:14:040 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 開關(guān)TMUX7219M數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
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2024-03-20 10:57:050 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有閂鎖效應(yīng)抑制特性的互補金屬氧化物半導(dǎo)體 (CMOS) 開關(guān)TMUX7236數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費下載
2024-03-20 10:56:000 BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）工藝技術(shù)是將雙極型晶體管、CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）和DMOS（雙擴散金屬氧化物半導(dǎo)體）晶體管技術(shù)組合在單個芯片上的高級制造工藝。
2024-03-18 09:47:41
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領(lǐng)帶，這可是當年半導(dǎo)體弄潮兒的標配。
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仙童(Fairchild)讓你感慨IC業(yè)的歷史
集成電路史上最著名的10個人
于是，第一個半導(dǎo)體時代誕生了——集成器件制造商時代
2024-03-13 16:52:37
想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-03-08 11:07:41160 
共讀好書 張鎏 苑明星 楊小渝 （重慶市聲光電有限公司） 摘 要： 對半導(dǎo)體封裝工藝的研究，先探析半導(dǎo)體工藝概述，能對其工作原理有一定的了解與掌握；再考慮半導(dǎo)體封裝工藝流程，目的是在作業(yè)階段嚴謹
2024-02-25 11:58:10275 
晶圓表面的潔凈度對于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會造成一定程度的影響，最常見的主要污染包括金屬、有機物及顆粒狀粒子的殘留，而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一工藝步驟、特定機臺或是整體工藝中所遭遇的污染程度與種類。
2024-02-23 17:34:23319 
半導(dǎo)體制造廠，也稱為晶圓廠，是集成了高度復(fù)雜工藝流程與尖端技術(shù)之地。這些工藝步驟環(huán)環(huán)相扣，每一步都對最終產(chǎn)品的性能與可靠性起著關(guān)鍵作用。本文以互補金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）制程為例，對芯片制造過程
2024-02-19 13:26:53771 
HI-3182PSX-N、HI-3182PSX-N, HI-3184PSX-N and HI-3185PSX-N總線接口產(chǎn)品是根據(jù)ARINC 429總線規(guī)范設(shè)計的硅柵互補式金屬氧化物半導(dǎo)體器件。除了
2024-02-19 10:30:40
該HI-8585 and HI-8586 是互補式金屬氧化物半導(dǎo)體集成電路，設(shè)計用于在8引腳封裝中直接驅(qū)動ARINC 429總線，兩個邏輯輸入控制輸出引腳之間的差分電壓，產(chǎn)生+10伏1、-10伏零
2024-02-19 09:26:34
N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料，它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:18319 
半導(dǎo)體材料是指在溫度較低且電流較小的條件下，電阻率介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。半導(dǎo)體材料在電子器件中具有廣泛的應(yīng)用，如集成電路、太陽能電池、發(fā)光二極管等。其中，硅和二氧化硅是半導(dǎo)體材料中最常見的兩種
2024-01-17 15:25:12508 半導(dǎo)體芯片在作為產(chǎn)品發(fā)布之前要經(jīng)過測試以篩選出有缺陷的產(chǎn)品。每個芯片必須通過的 “封裝”工藝才能成為完美的半導(dǎo)體產(chǎn)品。封裝主要作用是電氣連接和保護半導(dǎo)體芯片免受元件影響。
2024-01-17 10:28:47250 
半導(dǎo)體工藝的歷史可以追溯到20世紀40年代末至50年代初，當時的科學(xué)家們開始使用鍺（Ge）和硅（Si）這類半導(dǎo)體材料來制造晶體管。1947年，貝爾實驗室的威廉·肖克利、約翰·巴丁和沃爾特·布拉頓發(fā)明
2024-01-15 14:02:37204 根據(jù)清洗介質(zhì)的不同，目前半導(dǎo)體清洗技術(shù)主要分為濕法清洗和干法清洗兩種工藝路線
2024-01-12 23:14:23769 
智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷售事業(yè)，10余載研發(fā)歷程，使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設(shè)備，廣泛應(yīng)用于各種高尖端產(chǎn)品領(lǐng)域。
2024-01-12 14:55:23636 氮化鎵半導(dǎo)體并不屬于金屬材料，它屬于半導(dǎo)體材料。為了滿足你的要求，我將詳細介紹氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì)、制備方法、應(yīng)用領(lǐng)域以及未來發(fā)展方向等方面的內(nèi)容。 氮化鎵半導(dǎo)體的性質(zhì) 氮化鎵（GaN）是一種
2024-01-10 09:27:32396 層。例如P型襯底層、N型擴散區(qū)層、氧化膜絕緣層、多晶硅層、金屬連線層等。芯片布圖有多少層，制造完成后的硅晶圓上基本就有多少材料介質(zhì)層。根據(jù)工藝安排，材料介質(zhì)層的層數(shù)也許還會有增加。圖3.芯片布圖中
2024-01-02 17:08:51
選擇合適的靶材在半導(dǎo)體工藝中十分重要。
2023-12-28 16:03:14315 如今，半導(dǎo)體制造工藝快速發(fā)展，每一代新技術(shù)都在減小集成電路(IC)上各層特征的間距和尺寸。晶圓上高密度的電路需要更高的精度以及高度脆弱的先進制造工藝。
2023-12-25 14:50:47174 據(jù)悉，潤鵬半導(dǎo)體是華潤微電子與深圳市合力推出的精于半導(dǎo)體特色工藝的12英寸晶圓制造項目。主要研發(fā)方向包括CMOS、BCD、e-Flash等工藝
2023-12-20 14:13:25214 在本系列第二篇文章中，我們主要了解到半導(dǎo)體封裝的作用。這些封裝的形狀和尺寸各異，保護和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。在這篇文章中，我們將帶您了解半導(dǎo)體封裝的不同分類，包括制造半導(dǎo)體封裝所用材料的類型、半導(dǎo)體封裝的獨特制造工藝，以及半導(dǎo)體封裝的應(yīng)用案例。
2023-12-14 17:16:52442 
【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
，半導(dǎo)體器件在制造和組裝過程中會發(fā)生靜電感應(yīng)，當導(dǎo)線接地時，內(nèi)部電場將發(fā)生巨大變化，放電電流將流過電路，從而導(dǎo)致靜電擊穿。
對于這種靜電損壞的半導(dǎo)體器件非常嚴重，請確保在釋放電流之前，清除這些靜電荷
2023-12-12 17:18:54
教授李清庭做了“GaN基單片電子器件的集成互補金屬氧化物半導(dǎo)體D模和E模高電子遷移率晶體管”的主題報告。
2023-12-09 14:49:03921 
在當今半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，氧化鋁陶瓷片作為一種高性能、高可靠性的材料，被廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。而半導(dǎo)體劃片機的出現(xiàn)，則為氧化鋁陶瓷片的切割提供了新的解決方案，實現(xiàn)了科技與工藝的完美結(jié)合。氧化鋁陶瓷
2023-12-06 19:09:55189 
薄膜沉積技術(shù)主要分為CVD和PVD兩個方向。 PVD主要用來沉積金屬及金屬化合物薄膜,分為蒸鍍和濺射兩大類，目前的主流工藝為濺射。CVD主要用于介質(zhì)/半導(dǎo)體薄膜，廣泛用于層間介質(zhì)層、柵氧化層、鈍化層等工藝。
2023-12-05 10:25:18994 ，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機驅(qū)動等功率電子領(lǐng)域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個芯片上，形成一個完整的
2023-12-04 17:00:57682 [半導(dǎo)體前端工藝：第一篇] 計算機、晶體管的問世與半導(dǎo)體
2023-11-29 16:24:59193 
[半導(dǎo)體前端工藝：第二篇] 半導(dǎo)體制程工藝概覽與氧化
2023-11-29 15:14:34541 
[半導(dǎo)體前端工藝：第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制
2023-11-29 11:25:52242 
半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的核心，它是制造電子和計算機芯片的基礎(chǔ)。半導(dǎo)體材料的種類繁多，不同的材料具有不同的特性和用途。本文將介紹現(xiàn)代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中常用的半導(dǎo)體材料。 一、硅(Si) 硅是最常見的半導(dǎo)體
2023-11-29 10:22:17516 
半導(dǎo)體前端工藝：第六篇（完結(jié)篇）：金屬布線 —— 為半導(dǎo)體注入生命的連接
2023-11-27 16:11:35254 【半導(dǎo)體后端工藝：】第一篇了解半導(dǎo)體測試
2023-11-24 16:11:50484 
半導(dǎo)體的外延片和晶圓的區(qū)別？ 半導(dǎo)體的外延片和晶圓都是用于制造集成電路的基礎(chǔ)材料，它們之間有一些區(qū)別和聯(lián)系。在下面的文章中，我將詳細解釋這兩者之間的差異和相關(guān)信息。 首先，讓我們來了解一下半導(dǎo)體
2023-11-22 17:21:252332 美格納半導(dǎo)體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結(jié)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 隨著科技的不斷發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)在全球范圍內(nèi)得到了廣泛應(yīng)用。半導(dǎo)體設(shè)備在制造過程中需要經(jīng)過多個工藝步驟，而每個步驟都需要使用到各種不同的材料和設(shè)備。其中，華林科納的PFA管在半導(dǎo)體清洗工藝中扮演著
2023-10-16 15:34:34258 根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于半導(dǎo)體元件及其制造方法的。半導(dǎo)體器件包括電裝效應(yīng)晶體管。電場效應(yīng)晶體管包括柵極、漏極、源極和氧化物半導(dǎo)體溝道。漏極和源極分別位于氧化物半導(dǎo)體通道的兩端。
2023-10-11 14:23:08417 
半導(dǎo)體封裝技術(shù)的發(fā)展一直都是電子行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的重要驅(qū)動力。隨著集成電路技術(shù)的發(fā)展，半導(dǎo)體封裝技術(shù)也經(jīng)歷了從基礎(chǔ)的封裝到高密度、高性能的封裝的演變。本文將介紹半導(dǎo)體封裝工藝的四個等級，以助讀者更好地理解這一關(guān)鍵技術(shù)。
2023-10-09 09:31:55932 
一、半導(dǎo)體有關(guān)概念 1、半導(dǎo)體 半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種物體。它內(nèi)部運載電荷的粒子有電子載流子(帶負電荷的自由電子)和空穴載流子(帶正電荷的空穴)。硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物
2023-09-26 11:00:331127 
本文檔的主要內(nèi)容詳細介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細資料概述
2023-09-26 08:09:42
在本節(jié)中，我們將逐一闡述半導(dǎo)體發(fā)展的歷史性產(chǎn)品和世界主流半導(dǎo)體制程的代際演進過程。從半導(dǎo)體主要制造階段所需主要材料的準備開始，到最終的產(chǎn)品封裝階段，我們將沿著主流的半導(dǎo)體產(chǎn)品類型，半導(dǎo)體晶體管的制造
2023-09-22 10:35:47370 
半導(dǎo)體制造是現(xiàn)代微電子技術(shù)的核心，涉及一系列精細、復(fù)雜的工藝步驟。下面我們將詳細解析半導(dǎo)體制造的八大關(guān)鍵步驟：
2023-09-22 09:05:191719 
半導(dǎo)體劃片工藝是半導(dǎo)體制造過程中的重要步驟之一，主要用于將大尺寸的晶圓切割成小片，以便進行后續(xù)的制造和封裝過程。以下是一些半導(dǎo)體劃片工藝的應(yīng)用：晶圓劃片：在半導(dǎo)體制造過程中，需要將大尺寸的晶圓切割成
2023-09-18 17:06:19393 
我們可以根據(jù)材料導(dǎo)電性的強弱將材料分為三類：導(dǎo)體，絕緣體和半導(dǎo)體。
2023-09-15 10:28:451526 
▌峰會簡介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會即將啟程，現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場，直擊智能熱點，共享前沿資訊，通過意法半導(dǎo)體核心技術(shù)，推動加快可持續(xù)發(fā)展計劃，實現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報名鏈接：https
2023-09-11 15:43:36
意法半導(dǎo)體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計簡單性、可靠性、經(jīng)驗…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
濕法腐蝕在半導(dǎo)體工藝里面占有很重要的一塊。不懂化學(xué)的芯片工程師是做不好芯片工藝的。
2023-08-30 10:09:041705 
半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)垂直化分工格局，上游包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體制造設(shè)備等；中游為半導(dǎo)體生產(chǎn)，具體可劃分為芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試；半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下 游為各類終端應(yīng)用。
2023-08-29 16:24:59761 
半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)垂直化分工格局，上游包括半導(dǎo)體材料、半導(dǎo)體制造設(shè)備等；中游為半導(dǎo)體生產(chǎn)，具體可劃分為芯片設(shè)計、晶圓制造、封裝測試；半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)下 游為各類終端應(yīng)用。
2023-08-29 09:48:351809 
半導(dǎo)體有良好的導(dǎo)電性嗎? 半導(dǎo)體是指一類具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間的電學(xué)特性的物質(zhì)，其導(dǎo)電性介于金屬導(dǎo)體和非金屬絕緣體之間。半導(dǎo)體材料通常是由含有補償雜質(zhì)的純凈晶體構(gòu)成的，補償雜質(zhì)通過摻雜的方式來改變
2023-08-27 16:05:291031 半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
半導(dǎo)體技術(shù)一直是現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)的核心。其中，硅（Si）作為最常用的半導(dǎo)體材料，有著不可替代的地位。但在制造芯片或其他半導(dǎo)體器件時，我們不僅僅使用純硅，而是要經(jīng)過一系列復(fù)雜的工藝流程，其中一個關(guān)鍵步驟是對硅進行表面氧化處理，制得硅二氧化（SiO2）。為什么這一步驟如此重要？讓我們來深入探討。
2023-08-23 09:36:13878 
半導(dǎo)體技術(shù)在當今社會已成為高科技產(chǎn)品的核心，而在半導(dǎo)體制造的各個環(huán)節(jié)中，銅憑借其出色的性能特點，已成為眾多工藝應(yīng)用的關(guān)鍵材料。在半導(dǎo)體領(lǐng)域中，銅主要被用于制造互連線路。在傳統(tǒng)的互連制造中，銅通常被用作通過化學(xué)氣相淀積（CVD）或物理氣相沉積（PVD）技術(shù)沉積在金屬膜上。
2023-08-19 11:41:15738 半導(dǎo)體材料作為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈上游的重要環(huán)節(jié)，在芯片的生產(chǎn)制造過程中起到關(guān)鍵性作用。根據(jù)芯片制造過程劃分，半導(dǎo)體材料主要分為基體材料、制造材料和封裝材料。其中，基體材料主要用來制造硅晶圓或化合物半導(dǎo)體
2023-08-14 11:31:471207 先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
隨著晶體管尺寸的不斷微縮，晶圓制造工藝日益復(fù)雜，對半導(dǎo)體濕法清洗技術(shù)的要求也越來越高。
2023-08-01 10:01:561639 
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609 
半導(dǎo)體激光焊接機通過光纖輸出焊接，實現(xiàn)非接觸遠距離操作，方便與自動化生產(chǎn)線集成；激光器有電流反饋閉環(huán)控制，實時監(jiān)測調(diào)節(jié)輸出激光，保證輸出激光的穩(wěn)定；光束能量分布均勻，光斑較大，焊接金屬時，焊縫表面光滑美觀。下面來看看半導(dǎo)體激光焊接技術(shù)的工藝應(yīng)用。
2023-07-26 16:08:24319 半導(dǎo)體制作工藝可分為前端和后端：前端主要是晶圓制作和光刻（在晶圓上繪制電路）；后端主要是芯片的封裝。
2023-07-24 15:46:05905 
半導(dǎo)體后封裝工藝及設(shè)備介紹
2023-07-13 11:43:208 在半導(dǎo)體制造過程中，每個半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個制造過程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點多，操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:552889 
簡介：蘇州鐳拓激光科技有限公司智能化一站式激光設(shè)備供應(yīng)商，多款高精度塑料半導(dǎo)體激光焊接機，咨詢塑料激光焊接機多少錢，歡迎聯(lián)系蘇州鐳拓激光！產(chǎn)品描述：品名：塑料半導(dǎo)體激光焊接機品牌：鐳拓
2023-07-06 16:24:04
半導(dǎo)體同時具有“導(dǎo)體”的特性，因此允許電流通過，而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中，使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。 重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會在
2023-07-03 10:21:572170 
在前幾篇文章（點擊查看），我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說到，為制作巧克力夾心，需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分，然后倒入巧克力糖漿，再蓋上一層餅干層。“倒入巧克力糖漿”和“蓋上餅干層”的過程在半導(dǎo)體制程中就相當于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830 
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
優(yōu)恩半導(dǎo)體34S系列瞬態(tài)浪涌抑制器是工業(yè)高能量金屬氧化物壓敏電阻(MOVs)。它們設(shè)計用于在建筑物的室外和服務(wù)入口環(huán)境(配電板)中提供二次浪涌保護，也用于石油鉆探，采礦和運輸領(lǐng)域的電機控制和電源
2023-06-14 10:44:32
金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的革命，讓我們可以在相同面積的晶圓上同時制造出更多晶體管。MOSFET體積越小，單個 MOSFET的耗電量就越少，還可以制造出更多的晶體管，讓其發(fā)揮作用，可謂是一舉多得。
2023-06-13 12:29:09596 
晶圓表面的潔凈度對于后續(xù)半導(dǎo)體工藝以及產(chǎn)品合格率會造成一定程度的影響，最常見的主要污染包括金屬、有機物及顆粒狀粒子的殘留，而污染分析的結(jié)果可用以反應(yīng)某一工藝步驟、特定機臺或是整體工藝中所遭遇的污染
2023-06-06 10:29:151093 
根據(jù)中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書數(shù)據(jù)來看，目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右，人才缺口仍有30w之 巨 。在國內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當下，定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來長期發(fā)展的基石。
那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23
詳解半導(dǎo)體封裝測試工藝
2023-05-31 09:42:18997 
MOSFET 等類型；從技術(shù)發(fā)展趨勢看，采用制程復(fù)雜芯片工藝以及采用氮化鎵等新型材料和與之相匹配的封裝工藝制造具有優(yōu)異性能參數(shù)產(chǎn)品是場效應(yīng)管生產(chǎn)廠商不斷追蹤的熱點。
廣東友臺半導(dǎo)體有限公司(簡稱
2023-05-26 14:24:29
摘 要：針對半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度，分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢，重點介紹集成電路工藝設(shè)備、分立器件工藝設(shè)備等細分領(lǐng)域的技術(shù)發(fā)展態(tài)勢和主要技術(shù)挑戰(zhàn)。
2023-05-23 15:23:47974 
半導(dǎo)體器件的制造流程包含數(shù)個截然不同的精密步驟。無論是前道工藝還是后道工藝，半導(dǎo)體制造設(shè)備的電源都非常重要。
2023-05-19 15:39:04478 
在半導(dǎo)體科學(xué)技術(shù)的發(fā)展中，氣相外延發(fā)揮了重要作用，該技術(shù)已廣泛用于Si半導(dǎo)體器件和集成電路的工業(yè)化生產(chǎn)。
2023-05-19 09:06:462464 
所謂“半導(dǎo)體”，是一種導(dǎo)電性能介于“導(dǎo)體”和“絕緣體”之間的物質(zhì)總稱。導(dǎo)體能導(dǎo)電，比如鐵銅銀等金屬，絕緣體不導(dǎo)電，比如橡膠。芯片的制作為什么要用半導(dǎo)體？
2023-05-15 14:50:164221 
早期的硅基集成電路工藝以 **雙極型工藝為主** ，不久之后，則以更易大規(guī)模集成的 **平面金屬氧化物半導(dǎo)體（MOS）工藝為主流** 。MOSFET由于具有高輸入阻抗、較低的靜態(tài)功耗等優(yōu)異性能，以及
2023-05-06 10:38:414053 經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝，晶圓表面會形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容（Capacitor）；
2023-04-28 10:04:52532 
本篇要講的金屬布線工藝，與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中，光刻、刻蝕等工藝，其實是為了金屬布線才進行的。在金屬布線過程中，會采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料（金屬）。
2023-04-25 10:38:49986 
試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負的？
2023-04-23 11:27:04
本文涉及一種用于制造半導(dǎo)體元件的滴氣室及利用其的滴氣工藝；晶片內(nèi)側(cè)加載的腔室，安裝在艙內(nèi)側(cè)，包括通過加熱晶片激活晶片上殘存雜質(zhì)的加熱手段、通過將晶片上激活的雜質(zhì)吸入真空以使晶片上激活的雜質(zhì)排出外部的真空吸入部、以及通過向通過加熱手段加熱的艙提供氫氣以去除晶片上金屬氧化膜的氫氣供給部
2023-04-23 10:22:02337 
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V的光子學(xué)特性 編號：JFKJ-21-215 作者：炬豐科技 摘要 ? ???III-V型半導(dǎo)體納米線已顯示出巨大的潛力光學(xué)、光電和電子器件的構(gòu)建
2023-04-19 10:03:0093 
技術(shù)及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間較大。從中長期看，國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測，到2026年分立器件的市場需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 16:00:28
技術(shù)及工藝的先進性，還較大程度上依賴進口，未來進口替代空間較大。從中長期看，國內(nèi)功率半導(dǎo)體需求將持續(xù)快速增長。根據(jù)前瞻產(chǎn)業(yè)研究院預(yù)測，到2026年分立器件的市場需求將超過3,700億元。近年來物聯(lián)網(wǎng)
2023-04-14 13:46:39
半導(dǎo)體行業(yè)的許多工藝步驟都會排放有害廢氣。對于使用非常活潑的氣體的化學(xué)氣相沉積或干法蝕刻，所謂的靠近源頭的廢氣使用點處理是常見的做法。相比之下，對于濕法化學(xué)工藝，使用中央濕式洗滌器處理廢氣是一種公認
2023-04-06 09:26:48408 
電商“華秋商城”、PCBA制造平臺“華秋智造”等服務(wù)平臺，全面打通產(chǎn)業(yè)上、中、下游，形成電子產(chǎn)業(yè)鏈閉環(huán)生態(tài)，給行業(yè)帶來“高品質(zhì)，短交期，高性價比”的一站式服務(wù)平臺，為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)新與發(fā)展提供助力。
2023-04-03 15:28:32
針對半導(dǎo)體制造工藝的UV-LED光源需求，虹科提供高功率的紫外光源解決方案，可適配步進器和掩膜版設(shè)備，更換傳統(tǒng)工具中的傳統(tǒng)燈箱，實現(xiàn)高質(zhì)量的半導(dǎo)體質(zhì)量控制。
2023-03-29 10:35:41710 
金屬氧化物半導(dǎo)體 四路2輸入與非門 施密特觸發(fā)器
2023-03-24 14:03:17
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