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各大制造商開(kāi)始引進(jìn)高帶寬存儲(chǔ)器 它將成為新一代HBM DRAM產(chǎn)品

半導(dǎo)體動(dòng)態(tài) ? 來(lái)源:wv ? 作者:SK海力士 ? 2019-10-29 16:12 ? 次閱讀

比爾·蓋茨(Bill Gates)在1999年出版的《未來(lái)時(shí)速》(Business @ the Speed of Thought)一書(shū)中描繪了一種“數(shù)字神經(jīng)系統(tǒng)(Digital Nervous System)”,并把它比作為一個(gè)跨越時(shí)空界限的互聯(lián)世界。基于“數(shù)字神經(jīng)系統(tǒng)”這一必要條件,他又提出了如何以思維速度(Speed of Thoughts)經(jīng)營(yíng)企業(yè)的想法。這在當(dāng)時(shí)看來(lái)似乎是不可能的事,但如今科技的快速進(jìn)步已經(jīng)讓這個(gè)預(yù)言成為可能。超高速存儲(chǔ)器半導(dǎo)體的時(shí)代已經(jīng)來(lái)臨,IT技術(shù)正向人類(lèi)大腦的思考速度發(fā)起挑戰(zhàn)。

TSV技術(shù):解鎖HBM無(wú)可比擬的“容量和速度”

各大制造商已經(jīng)紛紛引進(jìn)了高帶寬存儲(chǔ)器 (High Bandwidth Memory, 簡(jiǎn)稱(chēng)HBM),采用硅通孔(Through Silicon Via, 簡(jiǎn)稱(chēng)TSV)技術(shù)進(jìn)行芯片堆疊,以增加吞吐量并克服單一封裝內(nèi)帶寬(Bandwidth)的限制。在這一趨勢(shì)下,SK海力士早在2013年便率先開(kāi)始了HBM的研發(fā),以嘗試提高容量和數(shù)據(jù)傳輸速率。SK海力士現(xiàn)已充分發(fā)揮了最新HBM2E的潛能,通過(guò)TSV將8個(gè)16Gb芯片縱向連接,從而實(shí)現(xiàn)了16GB傳輸速率。

TSV由一個(gè)電路芯片和一個(gè)“Interposer”(即位于電路板和芯片之間的功能包)上方的多層DRAM組成。簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō),TSV可以比喻成一幢公寓式建筑結(jié)構(gòu),建筑地基(Interposer)上方是社區(qū)活動(dòng)中心(邏輯芯片),再往上是層層疊加的公寓房間(DRAM)。與傳統(tǒng)方法不同,TSV技術(shù)就好比在芯片上鉆孔,然后一個(gè)一個(gè)地堆疊起來(lái)。作為一種封裝技術(shù),它通過(guò)這些孔內(nèi)的導(dǎo)電電極連接芯片,由此數(shù)據(jù)可以垂直移動(dòng),仿佛安裝了一臺(tái)數(shù)據(jù)電梯。與傳統(tǒng)的采用金線鍵合技術(shù)生產(chǎn)的芯片相比,這種技術(shù)連接更短,因而信號(hào)路徑更短,具有更低功耗的高速性能。另外,與傳統(tǒng)方法相比,穿透芯片可以在芯片之間形成更多通道。

從HBM到HBM2E的進(jìn)化

相比依賴(lài)于有線處理的DRAM封裝技術(shù),HBM在數(shù)據(jù)處理速度方面顯示出了高度的改良。不同于金線縫合的方式,通過(guò)TSV技術(shù),HBM可將超過(guò)5,000個(gè)孔鉆入相互縱向連接的DRAM芯片中。在這樣一個(gè)快速崛起的行業(yè)趨勢(shì)下,SK海力士于2019年8月開(kāi)發(fā)出了具有超高速性能的HBM2E。這是目前行業(yè)中擁有最高性能的一項(xiàng)技術(shù)。與之前的HBM2標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比,HBM2E將提高50%的數(shù)據(jù)處理速度。由于這一高度改良,它將成為新一代HBM DRAM產(chǎn)品

不同于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)采用模塊形式封裝存儲(chǔ)芯片并在系統(tǒng)板上進(jìn)行連接,HBM芯片與芯片與圖像處理器(Graphics Processing Unit, 簡(jiǎn)稱(chēng)GPU)和邏輯芯片等處理器緊密地相互連接。在這樣一個(gè)僅有幾微米單元的距離下,數(shù)據(jù)可被更快地進(jìn)行傳輸。這種全新的結(jié)構(gòu)在芯片之間創(chuàng)造了更短的路徑,從而更進(jìn)一步加快了數(shù)據(jù)處理速度。

隨著數(shù)據(jù)不斷增加,對(duì)于高性能存儲(chǔ)器的需求將在第四次工業(yè)革命中持續(xù)增長(zhǎng)。HBM已經(jīng)在GPU中被使用。HBM2E或?qū)⒊蔀榘ㄐ乱淮鶪PU、高性能計(jì)算機(jī)處理、云計(jì)算、計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)、以及超級(jí)計(jì)算機(jī)在內(nèi)等高性能裝置中的一種高端存儲(chǔ)器半導(dǎo)體,以滿足這些裝置對(duì)于超高速運(yùn)作這一特性的要求。除此之外,HBM2E也將在一些高科技行業(yè)中扮演重要角色,例如機(jī)器學(xué)習(xí)AI系統(tǒng)等。另外,隨著游戲產(chǎn)業(yè)中對(duì)圖形應(yīng)用的日益擴(kuò)大,HBM技術(shù)的采用也相應(yīng)增加,以此可以處理大屏幕下更多像素的需求。通過(guò)更高的計(jì)算機(jī)處理速度,HBM也為高端游戲提供了更好的穩(wěn)定性。

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