dram知識(shí)

• 南亞科技與補(bǔ)丁科技攜手開(kāi)發(fā)定制超高帶寬內(nèi)存

  近日，臺(tái)灣地區(qū)知名的DRAM內(nèi)存制造商南亞科技宣布，已與專業(yè)DRAM設(shè)計(jì)公司補(bǔ)丁科技達(dá)成戰(zhàn)略合作，共同致力于定制超高帶寬

  2024-12-20 標(biāo)簽： DRAM 帶寬 內(nèi)存 86 0

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  DRAM的基本構(gòu)造與工作原理

  本文介紹了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取器DRAM的基本結(jié)構(gòu)與工作原理，以及其在器件縮小過(guò)程中面臨的挑戰(zhàn)。 DRAM的歷史背景與發(fā)展 動(dòng)態(tài)

  2024-12-17 標(biāo)簽： DRAM 存儲(chǔ)器 250 0

• iPhone的DRAM封裝，有變！

  來(lái)源： thelec 三星已經(jīng)開(kāi)始研究改變iPhone所用低功耗雙倍數(shù)據(jù)速率DRAM的封裝方法。 消息人士稱，這家韓國(guó)科

  2024-12-09 標(biāo)簽： DRAM iPhone 封裝 110 0

• SK 海力士新設(shè)AI芯片開(kāi)發(fā)和量產(chǎn)部門(mén)，任命首席開(kāi)發(fā)官及首席生產(chǎn)官

  據(jù) Businesses Korea 報(bào)道，SK 海力士宣布完成 2025 年的高管任命和組織架構(gòu)優(yōu)化。本次調(diào)整任命了

  2024-12-06 標(biāo)簽： DRAM SK海力士 HBM 218 0

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  AI時(shí)代核心存力HBM(上)

  ? 一、HBM 是什么？ 1、HBM 是 AI 時(shí)代的必需品作為行業(yè)主流存儲(chǔ)產(chǎn)品的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 DRAM 針對(duì)不同

  2024-11-16 標(biāo)簽： DRAM 存儲(chǔ) HBM 546 0

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  AI時(shí)代核心存力HBM(中)

  HBM 對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的影響1. HBM 的核心工藝在于硅通孔技術(shù)（TSV）和堆疊鍵合技術(shù) 硅通孔：TSV（Throug

  2024-11-16 標(biāo)簽： 芯片 DRAM HBM 315 0

• 2025年DRAM展望:位元產(chǎn)出大增25%,HBM成新增長(zhǎng)極但供應(yīng)緊張

  經(jīng)歷2024年前三個(gè)季度的庫(kù)存消化和價(jià)格回升后，DRAM產(chǎn)業(yè)在第四季度的價(jià)格動(dòng)能開(kāi)始減弱。TrendForce集邦咨詢的

  2024-11-07 標(biāo)簽： DRAM 存儲(chǔ)器 HBM 467 0

• 三星電子計(jì)劃在2026年前推出400層V-NAND閃存芯片

  全球領(lǐng)先的存儲(chǔ)芯片制造商三星電子正積極籌備在2026年前推出劃時(shí)代的400層V-NAND閃存芯片，旨在把握人工智能（AI

  2024-11-01 標(biāo)簽： DRAM 三星電子 NAND閃存 588 0

• FormFactor發(fā)布2024財(cái)年第三季度財(cái)報(bào),收入創(chuàng)歷史新高

  FormFactor公司于10月30日公布了其截至2024年9月28日的2024財(cái)年第三季度財(cái)務(wù)報(bào)告。報(bào)告顯示，F(xiàn)orm

  2024-11-01 標(biāo)簽： DRAM FormFactor DDR5 503 0

• 存儲(chǔ)市場(chǎng)面臨多重挑戰(zhàn),NAND與DRAM價(jià)格承壓

  從需求端審視，通貨膨脹的壓力以及AI個(gè)人電腦應(yīng)用場(chǎng)景的匱乏，共同制約了大規(guī)模升級(jí)周期的到來(lái)。在供應(yīng)端，主要制造商在第三季

  2024-10-28 標(biāo)簽： DRAM NAND 存儲(chǔ) 369 0

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