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英偉達HBM3e 驗證計劃2024 Q1完成

HBM4 預(yù)計將于 2026 年推出，具有針對英偉達和其他 CSP 未來產(chǎn)品量身定制的增強規(guī)格和性能。在更高速度的推動下，HBM4 將標(biāo)志著其最底部邏輯...

2023-11-28 標(biāo)簽：存儲芯片 Nand flash 英偉達 566 0

三星效仿SK海力士，采用競爭對手主導(dǎo)的芯片封裝工藝

就此，知情人士指出，三星此舉體現(xiàn)出該公司提升HBM良率的決心。對此，一家行業(yè)分析機構(gòu)表示，考慮到AI行業(yè)對HBM3及HBM3E芯片需求日益增長，三星有必...

2024-03-13 標(biāo)簽：AI HBM 三星 554 0

三星電子存儲部門醞釀重組

三星電子近日宣布，其存儲半導(dǎo)體部門將在下半年進行重大重組。這一決定是在新任設(shè)備解決方案（DS）部門負(fù)責(zé)人全永鉉上任后迅速做出的，顯示出公司對優(yōu)化業(yè)務(wù)結(jié)構(gòu)...

2024-06-21 標(biāo)簽：三星電子存儲 HBM 551 0

SK海力士將開發(fā)性能高30倍HBM

在人工智能浪潮的推動下，SK海力士再次展現(xiàn)其技術(shù)前瞻性與創(chuàng)新實力。公司副社長柳成洙（Ryu Seong-su）近日宣布了一項重大研發(fā)計劃，旨在打造一款性...

2024-08-21 標(biāo)簽：人工智能 SK海力士 HBM 551 0

預(yù)期HBM供應(yīng)將大幅增長，驅(qū)動DRAM產(chǎn)業(yè)發(fā)展

擔(dān)任分析師職務(wù)的人員對于HBM的面貌做出解釋，指出與同等容量和制程的 DDR5比較，HBM雖然能提供更大的尺寸儲存空間，然而其良品率卻相對較低，普遍低2...

2024-03-18 標(biāo)簽：DRAM HBM DDR5 550 0

三星HBM芯片遇阻英偉達測試

近日，三星電子最新的高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在英偉達測試中遭遇挫折。據(jù)知情人士透露，芯片因發(fā)熱和功耗問題未能達標(biāo)，影響到了其HBM3及下一代HBM3E芯片。

2024-05-24 標(biāo)簽：芯片三星電子 HBM 548 0

三星HBM3e芯片量產(chǎn)在即，營收貢獻將飆升

三星電子公司近日宣布了一項重要計劃，即今年將全面啟動其第五代高帶寬存儲器（HBM）芯片HBM3e的量產(chǎn)工作，并預(yù)期這一先進產(chǎn)品將顯著提升公司的營收貢獻。...

2024-08-02 標(biāo)簽：三星電子存儲器 HBM 544 0

韓華精密機械向SK海力士提供HBM設(shè)備

　韓華精密機械公司正式宣告，已成功向SK海力士提供了高帶寬存儲器（HBM）生產(chǎn)中的核心設(shè)備——TC鍵合測試設(shè)備。　　針對10月16日部分媒體所報...

2024-10-18 標(biāo)簽：測試 SK海力士 HBM 544 0

集邦咨詢：先進封裝產(chǎn)能供應(yīng)緊張有望緩解

在先進封裝領(lǐng)域，三星正積極研發(fā)HBM技術(shù)，并與臺積電攜手合作，助推CoWoS工藝發(fā)展，從而擴大HBM3產(chǎn)品的銷售版圖。此外，三星于2022年加入臺積電O...

2023-12-12 標(biāo)簽：CoWoS HBM 先進封裝 543 0

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計劃至2025年

SK海力士宣布，計劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品，而16層堆疊版本的推出將會稍后。根據(jù)該公司上月與臺積電簽署的HBM基...

2024-05-06 標(biāo)簽：DRAM SK海力士 HBM 539 0

三星HBM芯片因發(fā)熱和功耗問題影響測試，與英偉達合作暫時擱淺

這是三星首次公開承認(rèn)未能通過英偉達測試的原因。三星在聲明中表示，HBM是定制化存儲產(chǎn)品，需“依據(jù)客戶需求進行優(yōu)化”，并強調(diào)正與客戶緊密合作以提升產(chǎn)品性能...

2024-05-24 標(biāo)簽：英偉達 HBM 三星 539 0

今日看點丨三星、SK海力士探索激光解鍵合技術(shù) 或用于HBM4；小鵬 P7+ 汽車官圖首次亮相

1. AMD 砸 6.65 億美元收購芬蘭初創(chuàng)公司 Silo AI ，與英偉達競爭 ? 根據(jù)英國業(yè)界周三（7月10日）消息，AMD將以6.65億美元收購...

2024-07-11 標(biāo)簽：SK海力士 HBM 三星 529 0

三星電子考慮采用1c nm DRAM裸片生產(chǎn)HBM4內(nèi)存

早前在Memcon 2024行業(yè)會議上，三星電子代表曾表示，該公司計劃在年底前實現(xiàn)對1c納米制程的大規(guī)模生產(chǎn)；而關(guān)于HBM4，他們預(yù)見在明年會完成研發(fā)，...

2024-05-17 標(biāo)簽：三星電子納米制程 HBM 521 0

HBM4為何備受存儲行業(yè)關(guān)注？

當(dāng)前，生成式人工智能已經(jīng)成為推動DRAM市場增長的關(guān)鍵因素，與處理器一起處理數(shù)據(jù)的HBM的需求也必將增長。未來，隨著AI技術(shù)不斷演進，HBM將成為數(shù)據(jù)中...

2023-12-02 標(biāo)簽：DRAM gpu 內(nèi)存 516 0

在機遇與挑戰(zhàn)并存的AI時代，三星如何在DRAM領(lǐng)域開拓創(chuàng)新？

2024-05-09 標(biāo)簽：DRAM 存儲 AI 513 0

英偉達加速Rubin平臺AI芯片推出,SK海力士提前交付HBM4存儲器

日，英偉達（NVIDIA）的主要高帶寬存儲器（HBM）供應(yīng)商南韓SK集團會長崔泰源透露，英偉達執(zhí)行長黃仁勛已要求SK海力士提前六個月交付用于英偉達下一代...

2024-11-05 標(biāo)簽：存儲英偉達 HBM 512 0

SK海力士投建全球最大三層晶圓廠，預(yù)計2046年完工

早在2019年，SK海力士便宣布了這一宏偉計劃，然而因許可等問題，開發(fā)工作曾遭遇延誤。2022年，經(jīng)過與中央及地方政府以及企業(yè)的協(xié)商，項目方略獲得重大突破。

2024-03-25 標(biāo)簽：NAND閃存 SK海力士 HBM 505 0

三星電子重組架構(gòu)，加速HBM技術(shù)創(chuàng)新

在半導(dǎo)體技術(shù)日新月異的今天，三星電子再次展現(xiàn)了其作為行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者的前瞻視野與戰(zhàn)略布局。據(jù)韓國媒體最新報道，三星電子已正式啟動了組織重組計劃，旨在通過整合與...

2024-07-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體三星電子 HBM 503 0

SK海力士明年HBM產(chǎn)能基本售罄

SK海力士近日宣布，其高帶寬內(nèi)存（HBM）芯片在2025年的產(chǎn)能已經(jīng)基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能（AI）技術(shù)的蓬勃發(fā)展，極大地推動了市場對HBM芯片的需

2024-05-07 標(biāo)簽：芯片 SK海力士 HBM 501 0

SK海力士力挫三星，穩(wěn)坐HBM行業(yè)領(lǐng)軍地位

值得注意的是，早年對HBM技術(shù)表現(xiàn)出濃厚興趣的三星，與英偉達共同研發(fā)了HBM及HBM2系列產(chǎn)品，然而銷售初期市場反應(yīng)冷淡，導(dǎo)致持續(xù)虧損。

2024-05-29 標(biāo)簽：英偉達 HBM 三星 500 0

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IoT是Internet of Things的縮寫，字面翻譯是“物體組成的因特網(wǎng)”，準(zhǔn)確的翻譯應(yīng)該為“物聯(lián)網(wǎng)”。物聯(lián)網(wǎng)（Internet of Things）又稱傳感網(wǎng)，簡要講就是互聯(lián)網(wǎng)從人向物的延伸。
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加速度傳感器是一種能夠測量加速度的傳感器。通常由質(zhì)量塊、阻尼器、彈性元件、敏感元件和適調(diào)電路等部分組成。
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TMS320F28335是一款TI高性能TMS320C28x系列32位浮點DSP處理器
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為防止靜電積累所引起的人身電擊、火災(zāi)和爆炸、電子器件失效和損壞，以及對生產(chǎn)的不良影響而采取的防范措施。其防范原則主要是抑制靜電的產(chǎn)生，加速靜電泄漏，進行靜電中和等。
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　　SDK一般指軟件開發(fā)工具包，軟件開發(fā)工具包一般都是一些軟件工程師為特定的軟件包、軟件框架、硬件平臺、操作系統(tǒng)等建立應(yīng)用軟件時的開發(fā)工具的集合。軟件開發(fā)工具廣義上指輔助開發(fā)某一類軟件的相關(guān)文檔、范例和工具的集合。
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OBD是英文On-Board Diagnostic的縮寫，中文翻譯為“車載診斷系統(tǒng)”。這個系統(tǒng)隨時監(jiān)控發(fā)動機的運行狀況和尾氣后處理系統(tǒng)的工作狀態(tài)，一旦發(fā)現(xiàn)有可能引起排放超標(biāo)的情況，會馬上發(fā)出警示。

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