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盡管面對AI熱潮及HBM需求的飆升,三星電子仍未與英偉達達成HBM芯片供應協議。分析指出,其堅持使用熱壓非導電薄膜(TC NCF)制程,可能導致產能問題。
據知情人士透露,全球知名的半導體企業美光科技正積極布局高帶寬存儲器(HBM)市場。該公司不僅在美國本土建設了先進的高帶寬存儲器測試生產線,還計劃擴建位于...
SK海力士正全力開發HBM4E存儲設備,意欲打造集計算、緩存和網絡存儲于一身的新型HBM產品,進而提升性能與數據傳輸速率。
7月12日,隨著人工智能技術的日新月異,作為其核心技術支撐的高頻寬存儲器(HBM)正成為市場關注的焦點,供不應求的態勢愈發明顯。面對這一挑戰,存儲器行業...
三星澄清:未采用MR-MUF工藝,持續創新引領HBM芯片技術
近期,針對三星是否在其高帶寬內存(HBM)芯片生產中采用了MR-MUF(Magnetic RAM based Multi-Level Unified M...
在人工智能與大數據驅動的時代浪潮中,SK海力士正以前所未有的速度調整戰略,全力擁抱高帶寬內存(HBM)市場的蓬勃機遇。據韓國權威媒體最新報道,SK海力士...
具體而言,現有的DRAM設計團隊將負責HBM3E內存的進一步研發,而三月份新成立的HBM產能質量提升團隊則專注于開發下一代HBM內存——HBM4。
TrendForce預測2025年DRAM與NAND閃存產業營收將創歷史新高
根據市場調研公司TrendForce最新公布的一份深入詳盡的研究報告,得益于對位元需求持續攀升,市場供求狀況得到顯著改善從而帶動產品價格穩步上升,再加上...
在全球科技產業的快速發展浪潮中,存儲器產業正迎來前所未有的繁榮期。據知名研究機構TrendForce集邦咨詢最新發布的存儲器產業分析報告顯示,受多重利好...
據市調機構TrendForce估算,市場對HBM需求呈現高速增長,加上HBM利潤高,故三星、SK海力士及美光國際三大原廠將增加資金投入與產能投片
據媒體報道,摩根士丹利(大摩)的分析指出,三星電子預計將于2026年將其HBM4基底技術的生產外包給臺積電,并計劃采用12nm至6nm的先進制程技術。同...
隨著當前AI應用,云機算成為各大科技巨頭必爭之地,帶火了硬件行業,HBM因而水漲船高。
2025年DRAM展望:位元產出大增25%,HBM成新增長極但供應緊張
經歷2024年前三個季度的庫存消化和價格回升后,DRAM產業在第四季度的價格動能開始減弱。TrendForce集邦咨詢的資深研究副總吳雅婷指出,由于部分...
SK海力士HBM4E內存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產
值得注意的是,目前全球三大內存制造商都還未開始量產1c nm(第六代10+nm級)制程DRAM內存顆粒。早前報道,三星電子與SK海力士預計今年內實現1c...
人工智能(AI)與機器學習(ML)正以前所未有的速度蓬勃發展,驅動著各行各業的革新。隨著模型復雜度與數據量的激增,實時處理海量數據的需求對底層硬件基礎設...
近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續布線工藝(BEO...
2024年,AI應用市場的持續升溫推動了存儲器需求的不斷攀升,高性能HBM和大容量閃存產品備受市場青睞。然而,與此同時,全球經濟發展形勢仍不明朗,消費電...
依照測試結果,三星認為MUF并不適應于HBM,但對于3DS RDIMM卻具有極高的適用性。目前,3DS RDIMM使用的是硅通孔(TSV)技術,主要服務...
美光科技適度調整了2024年的資本開支預估,加大對高帶寬存儲(HBM)半導體生產線的投入力度,以迎合人工智能(AI)領域日益旺盛的需求。
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