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標(biāo)簽 > hbm
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高帶寬存儲器(High Bandwidth Memory,HBM)是超微半導(dǎo)體和SK Hynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲...
ESD按照發(fā)生階段主要分為兩類:1.發(fā)生在芯片上PCB板前的過程中(生產(chǎn) 、封裝、運(yùn)輸、銷售、上板)這類ESD事件完全需要由芯片自己承受。
2023-05-16 標(biāo)簽:ESDPCB板IC設(shè)計(jì) 1.5萬 0
HBM技術(shù)是一種基于3D堆疊工藝的高性能DRAM,它可以為高性能計(jì)算、人工智能、數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域提供高帶寬、高容量、低延遲和低功耗的存儲解決方案。本文將介...
2023-11-09 標(biāo)簽:DRAM數(shù)據(jù)傳輸HBM 1.5萬 0
半導(dǎo)體封裝的四個(gè)主要作用,包括機(jī)械保護(hù)、電氣連接、機(jī)械連接和散熱。封裝的形狀和尺寸各異,保護(hù)和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。
2023-11-20 標(biāo)簽:晶圓半導(dǎo)體封裝WLCSP封裝 1.4萬 0
HBM PHY的作用 以及驗(yàn)證方面的一些難點(diǎn)介紹
由于制造技術(shù)的進(jìn)步,存儲系統(tǒng)在過去幾年中發(fā)展了很多。高帶寬存儲器(HBM)是最新類型的存儲器芯片的一個(gè)例子,它可以支持低功耗,超寬通信通道和堆疊配置。 ...
2019-08-07 標(biāo)簽:PCB打樣華強(qiáng)PCBHBM 1.2萬 0
高性能計(jì)算、人工智能和 5G 移動通信等高性能需求的出現(xiàn)驅(qū)使封裝技術(shù)向更高密度集成、更高速、低延時(shí)和更低能耗方向發(fā)展。
HBM3:用于解決高密度和復(fù)雜計(jì)算問題的下一代內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)
在這個(gè)技術(shù)革命的時(shí)代,人工智能應(yīng)用程序、高端服務(wù)器和圖形等領(lǐng)域都在不斷發(fā)展。這些應(yīng)用需要快速處理和高密度來存儲數(shù)據(jù),其中高帶寬內(nèi)存 (HBM) 提供了最...
一文詳解基于以太網(wǎng)的GPU Scale-UP網(wǎng)絡(luò)
最近Intel Gaudi-3的發(fā)布,基于RoCE的Scale-UP互聯(lián),再加上Jim Keller也在談用以太網(wǎng)替代NVLink。
HBM(Human Body Model) 驗(yàn)證測試已經(jīng)成為IC 防靜電等級的必測項(xiàng)目,一般是直接委外第三方實(shí)驗(yàn)室進(jìn)行驗(yàn)證,但卻不知道自己的IC用的靜電...
AI算力需求的暴增,HBM和GDDR SDRAM成為AI芯片新的內(nèi)存方案
然而在此過程中,我們除了看到AI對算力的要求以外,內(nèi)存帶寬也是限制AI芯片發(fā)展的另一個(gè)關(guān)鍵要HBM2E成為了AI芯片的一個(gè)優(yōu)先選擇,這也是英偉達(dá)在Tes...
2020-11-09 標(biāo)簽:摩爾定律人工智能機(jī)器學(xué)習(xí) 2821 0
什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核
Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進(jìn)行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓(xùn)練提供了最大的性能和靈活性。
BEV+Transformer對智能駕駛硬件系統(tǒng)有著什么樣的影響?
BEV+Transformer是目前智能駕駛領(lǐng)域最火熱的話題,沒有之一,這也是無人駕駛低迷期唯一的亮點(diǎn),BEV+Transformer徹底終結(jié)了2D直視...
2.5D封裝是傳統(tǒng)2D IC封裝技術(shù)的進(jìn)展,可實(shí)現(xiàn)更精細(xì)的線路與空間利用。在2.5D封裝中,裸晶堆棧或并排放置在具有硅通孔(TSV)的中介層(inter...
介紹一款自適應(yīng)調(diào)整、數(shù)字輸出的旋轉(zhuǎn)位置齒輪傳感器MLX90217
MLX90217 是一款自適應(yīng)調(diào)整、數(shù)字輸出的旋轉(zhuǎn)位置齒輪傳感器,可應(yīng)用于汽車凸輪軸傳感器以及其它速度傳感器。
2022-10-19 標(biāo)簽:ESDAD轉(zhuǎn)換器速度傳感器 1923 0
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