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電子發(fā)燒友網(wǎng)>可編程邏輯>關(guān)于FPGA上HBM 425GB/s內(nèi)存帶寬的實測

關(guān)于FPGA上HBM 425GB/s內(nèi)存帶寬的實測

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諾基亞3:驍龍425+2G+5.2寸,市價不超1000

據(jù)外媒爆料,諾基亞即將推出諾基亞3或者諾基亞5兩款型號,來打開低端手機市場。最有可能的配置是采用一塊5.2寸屏幕,分辨率為720P。硬件方面,諾基亞3或者諾基亞5很有可能采用驍龍425處理器,2GB運行內(nèi)存,32GB存儲,搭載安卓7.0原生系統(tǒng)。據(jù)稱諾基亞3價格約為150美元,折合人民幣900左右。
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小米6真機曝光 8GB運存+256內(nèi)存+滿血驍龍835+安卓7.0 你想要的統(tǒng)統(tǒng)都有

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SK Hynix 確定2018年推出 DDR6 帶寬HBM2 還要高

上來,2017年AMD、NVIDIA雖然都有HBM 2顯存的顯卡上市,但AMD的Vega顯卡帶寬依然維持上代512GB/s的水平。
2017-04-25 01:09:1213003

三星為滿足日益增長的市場需求宣布提高8GB HBM2顯存產(chǎn)能和生產(chǎn)量,為NVIDIA Volta顯卡開始備戰(zhàn)

AMD則是已經(jīng)在不斷宣揚HBM2的優(yōu)勢,并且專門為其設置HBCC主控,具備更加強大內(nèi)存尋址性能。AMD已經(jīng)完全押寶在HBM2上了,HBM3的應用估計也在路上了。不過AMD的HBM2顯存則是由韓國另一家半導體巨頭SK海力士提供,即將發(fā)布的RX Vega顯卡也是采用了2顆8GB HBM2顯存
2017-07-19 09:52:511427

英特爾推出業(yè)界第一款集成高帶寬內(nèi)存并且支持加速的FPGA

在 HPC 環(huán)境中,相比獨立的 FPGA,集成 HBM2 的 FPGA 可對更大規(guī)模的數(shù)據(jù)移動進行壓縮和加速。為高效加速這些工作負載,英特爾 Stratix 10 MX 系列提供基于 FPGA 的新型多功能數(shù)據(jù)加速器。
2017-12-24 11:19:11865

Intel發(fā)布全球首款集成HBM2顯存的FPGA,10倍于獨立DDR2顯存

僅僅是搭配顯卡的顯存。 Intel今天就發(fā)布了全球首款集成HBM2顯存的 FPGA (現(xiàn)場可編程陣列)芯片“Strtix 10 MX”,可提供高達512GB/s的帶寬,相比于獨立DDR2顯存提升了足足10倍。
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HBM2的簡介以及未來發(fā)展 三星押寶HBM2的優(yōu)點解析

HBM2是使用在SoC設計上的下一代內(nèi)存協(xié)定,可達到2Gb/s單一針腳帶寬、最高1024支針腳(PIN),總帶寬256GB/s (Giga Byte per second)。1024針腳的HBM
2018-01-23 14:40:2028389

帶寬暴增10倍,Intel FPGA集成HBM全球領(lǐng)先

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2018-01-26 16:14:001026

三星投產(chǎn)2.4Gbps的HBM2存儲芯片:號稱是業(yè)界最快的DRAM

三星今天宣布,開始生產(chǎn)針腳帶寬2.4Gbps的HBM2顯存,封裝容量8GB,其中,HBM是High Bandwidth Memory高帶寬存儲芯片的簡寫。
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DDR內(nèi)存將死,未來需要高帶寬的產(chǎn)品將轉(zhuǎn)向HBM內(nèi)存

見識過HBM的玩家對該技術(shù)肯定印象深刻,那么未來它又該如何發(fā)展呢?HPE(惠普企業(yè)級)公司的Nicolas Dube日前分享了他的一些觀點,在他看來DDR內(nèi)存要走到盡頭了(DDR is Over),特別是一些需求高帶寬的場合中。
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Xilinx 新型FPGA:擁有最高存儲器帶寬,能將存儲器帶寬提升 20 倍

賽靈思公司(Xilinx)宣布,采用HBM和CCIX技術(shù)的新型16nm Virtex UltraScale+ FPGA的細節(jié)。該支持HBMFPGA系列,擁有最高存儲器帶寬,相比DDR4 DIMM
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介紹GPU與FPGA的幾個方面和看法

除了芯片性能外,GPU相對于FPGA還有一個優(yōu)勢就是內(nèi)存接口。GPU的內(nèi)存接口(傳統(tǒng)的GDDR,最近更是用上了HBMHBM2)的帶寬遠好于FPGA的傳統(tǒng)DDR接口,而眾所周知服務器端機器學習算法需要頻繁訪問內(nèi)存
2018-09-15 09:15:00838

HBM帶寬內(nèi)存是什么

帶寬存儲器(High Bandwidth Memory,HBM)是超微半導體和SK Hynix發(fā)起的一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,適用于高存儲器帶寬需求的應用場合,像是圖形處理器、網(wǎng)絡交換及轉(zhuǎn)發(fā)設備(如路由器、交換器)等。
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Xilinx 16nm Virtex UltraScale+ FPGA器件的功能

在本視頻中,了解Xilinx采用高帶寬存儲器(HBM)和CCIX技術(shù)的16nm Virtex UltraScale + FPGA的功能和存儲器帶寬
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Xilinx Virtex UltraScale+ HBM FPGA

該視頻顯示了世界上最大,最快的HBM啟動FPGA在芯片啟動的第一天內(nèi)無錯運行。
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浪潮發(fā)布集成HBM2的FPGA AI加速卡F37X 在軟件生產(chǎn)力上實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍

美國當?shù)貢r間11月14日,在達拉斯舉行的全球超算大會SC18上,浪潮發(fā)布集成HBM2高速緩存的FPGA AI加速卡F37X,可在不到75W典型應用功耗提供28.1TOPS的INT8計算性能和460GB/s的超高數(shù)據(jù)帶寬,實現(xiàn)高性能、高帶寬、低延遲、低功耗的AI計算加速。
2018-11-22 17:15:561659

32GB內(nèi)存玩游戲時性能就一定比8GB內(nèi)存好嗎

。目前來說,主流游戲玩家的內(nèi)存容量就三個選擇——8GB、16GB及32GB,32GB內(nèi)存玩游戲時性能就一定比8GB內(nèi)存好嗎?
2018-12-25 14:53:424692

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AMD Fiji Fury系列顯卡首次商用了新一代高帶寬顯存HBM,大大提升帶寬并縮小空間占用,NVIDIA目前也已在其Tesla系列計算卡、Titan系列開發(fā)卡中應用HBM
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浪潮聯(lián)合Xilinx推出業(yè)界首款集成HBM2的FPGA

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2019-10-02 13:31:00552

手機運行內(nèi)存到底應該選擇多少8GB和6GB到底差距有多大

一般人挑手機更關(guān)注機身內(nèi)存,尤其是愛拍照的女孩子,而關(guān)于手機的運行內(nèi)存卻知之甚少。那么到底手機運行內(nèi)存該選6GB還是8GB,在網(wǎng)上一直有很大的爭論。但是真正懂手機的人都強烈建議直接上12GB,而且認為8GB和6GB的差距非常大,主要有以下三點原因:
2019-12-07 09:47:4815825

英特爾發(fā)布行業(yè)首款集成高帶寬內(nèi)存FPGA

英特爾宣布推出英特爾Stratix 10 MX FPGA,該產(chǎn)品是行業(yè)首款采用集成式高帶寬內(nèi)存DRAM(HBM2)的現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)。
2019-12-12 14:49:37575

HBM2e顯存到底有什么優(yōu)勢

相比GDDR顯存,HBM技術(shù)的顯存在帶寬、性能及能效上遙遙領(lǐng)先,前不久JEDEC又推出了HBM2e規(guī)范,三星搶先推出容量可達96GBHBM2e顯存。
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FPGA封裝中的存儲器一般是在高密度、高帶寬、高帶寬、高成本的技術(shù)中實現(xiàn),比如HBM。由于我們是通過芯片外的方式來實現(xiàn)。
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環(huán)球儀器旗下的FuzionSC半導體貼片機系列,能以表面貼裝速度實現(xiàn)半導體封裝的精準技術(shù)。FuzionSC貼片機之所以能精確高組裝HBM內(nèi)存,皆因配備以下神器:
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16GB/stack的容量。 HBM2E對HBM2標準型進行了一些更新來提升性能,作為中代產(chǎn)品,能提供更高的時鐘速度,更高的密度(12層,最高可達24GB)。三星是第一個將16GB/satck
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為了給人工智能和機器學習等新興應用提供足夠的內(nèi)存帶寬HBM2E和GDDR6已經(jīng)成為了設計者的兩個首選方案。
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臺積電:可集成192GB內(nèi)存在芯片內(nèi)部

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關(guān)于帶寬存儲器的競逐賽已悄然打響

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HBM2 內(nèi)存技術(shù),而這次的 HBM-PIM 則是在 HBM 芯片上集成了 AI 處理器的功能,這也是業(yè)界第一個高帶寬內(nèi)存HBM)集成人工智能(AI)處理能力的芯片。 三星關(guān)于 HBM
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三星推出集成AI處理器的HBM2內(nèi)存

三星宣布新的HBM2內(nèi)存集成了AI處理器,最高可提供1.2 TFLOPS嵌入式計算能力,使內(nèi)存芯片本身可以執(zhí)行CPU、GPU、ASIC或FPGA的操作。
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2月23日消息,據(jù)國外媒體報道,三星電子表示,它已開發(fā)出一款集成了人工智能(AI)處理能力的高帶寬存儲器(HBM),稱為HBM-PIM。 HBM-PIM(高帶寬存儲器-PIM)是指,HBM(高帶寬
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最新HBM3內(nèi)存技術(shù)速率可達8.4Gbps

出貨將會專供于人工智能領(lǐng)域。在AI/ML當中,內(nèi)存和I/O帶寬是影響系統(tǒng)性能至關(guān)重要的因素,這又促進業(yè)界不斷提供最新的技術(shù),去滿足內(nèi)存和I/O的帶寬性能需求。 在英偉達、AMD的GPU/CPU芯片封裝中,已經(jīng)應用到了HBM內(nèi)存技術(shù),通過在一個2.5D封裝中將
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SK海力士成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM 內(nèi)存芯片

韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一款HBM3 DRAM內(nèi)存芯片,可以實現(xiàn)24GB的業(yè)界最大的容量。HBM3 DRAM內(nèi)存芯片帶來了更高的帶寬,每秒處理819GB的數(shù)據(jù),相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055

新思科技推出業(yè)界首個完整HBM3 IP和驗證解決方案,加速多裸晶芯片設計

HBM3 IP解決方案可為高性能計算、AI和圖形SoC提供高達921GB/s的內(nèi)存帶寬
2021-10-22 09:46:363104

什么是HBM3 為什么HBM很重要

點擊藍字關(guān)注我們 從高性能計算到人工智能訓練、游戲和汽車應用,對帶寬的需求正在推動下一代高帶寬內(nèi)存的發(fā)展。 HBM3將帶來2X的帶寬和容量,除此之外還有其他一些好處。雖然它曾經(jīng)被認為是一種
2021-11-01 14:30:506492

英特爾發(fā)布最快的FPGA 復旦微電FPGA有望持續(xù)高增長

英特爾剛剛推出了Agilex M系列FPGA,支持PCIe Gen5、Optane持久內(nèi)存、CXL和高速以太網(wǎng)。Agilex M系列中的一些FPGA還集成了HBM(高帶寬內(nèi)存)DRAM堆棧。
2022-04-09 11:06:245769

英特爾? Agilex? M系列滿足不斷增加的內(nèi)存帶寬需求

英特爾? Agilex? M 系列 FPGA 具有多種獨特的功能,可以滿足不斷增加的內(nèi)存帶寬和計算效率需求。它支持包括 HBM2e、DDR5、LPDDR5 和英特爾? 傲騰? 持久內(nèi)存在內(nèi)的多種高性能內(nèi)存協(xié)議,因此形成了廣泛的內(nèi)存層次,可以滿足各種系統(tǒng)要求。
2022-04-24 14:34:171292

HBM的基本情況

HBM(High Bandwidth Memory,高帶寬存儲)已成為現(xiàn)代高端FPGA的一個重要標志和組成部分,尤其是在對帶寬要求越來越高的現(xiàn)如今,DDR已經(jīng)完全跟不上節(jié)奏。本篇將分享學習一下HBM的基本情況。
2022-07-08 09:58:099715

為 AI 黃金時段做好準備的高帶寬內(nèi)存HBM2e 與 GDDR6

SoC 設計人員和系統(tǒng)工程師在內(nèi)存帶寬、容量和內(nèi)存使用均衡方面面臨著與深度學習計算元素相關(guān)的巨大挑戰(zhàn)。 下一代 AI 應用面臨的挑戰(zhàn)包括是選擇高帶寬內(nèi)存第 2 代增強型 (HBM2e) 還是圖形雙倍數(shù)據(jù)速率 6 (GDDR6) DRAM。對于某些 AI 應用程序,每種應用程序都有其自身的優(yōu)點,但
2022-07-30 11:53:501804

介紹HBM3標準的一些關(guān)鍵功能

HBM2E標準的每個裸片的最大容量為2GB,每個堆棧可以放置12層裸片,從而可實現(xiàn)24GB的最大容量。雖然標準是允許的,但我們尚未看到市場上出現(xiàn)任何 12 層的 HBM2E 堆棧。
2022-08-17 14:20:343376

內(nèi)存帶寬瓶頸如何破?

內(nèi)存帶寬是當下阻礙某些應用程序性能的亟需解決的問題,現(xiàn)在你可以通過地選擇芯片來調(diào)整 CPU 內(nèi)核與內(nèi)存帶寬的比率,并且您可以依靠芯片制造商和系統(tǒng)構(gòu)建商進一步推動它。
2023-02-06 14:09:161483

ChatGPT帶旺HBM存儲

據(jù)韓媒報道,自今年年初以來,三星電子和SK海力士的高帶寬存儲器(HBM)訂單激增。盡管HBM具有優(yōu)異的性能,但其應用比一般DRAM少。這是因為HBM的平均售價(ASP)至少是DRAM的三倍。HBM
2023-02-15 15:14:444689

大算力模型,HBM、Chiplet和CPO等技術(shù)打破技術(shù)瓶頸

HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實現(xiàn)高帶寬,完美解決傳統(tǒng)存儲效率低的問題。HBM 的核心原理和普通的 DDR、GDDR 完全一樣,但是 HBM 使用多根數(shù)據(jù)線實現(xiàn)了高帶寬HBM/HBM2 使用 1024 根數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)
2023-04-16 10:42:243539

HBM3:用于解決高密度和復雜計算問題的下一代內(nèi)存標準

在這個技術(shù)革命的時代,人工智能應用程序、高端服務器和圖形等領(lǐng)域都在不斷發(fā)展。這些應用需要快速處理和高密度來存儲數(shù)據(jù),其中高帶寬內(nèi)存HBM) 提供了最可行的內(nèi)存技術(shù)解決方案。
2023-05-25 16:39:333399

HBM性能驗證變得簡單

HBM2E(高帶寬內(nèi)存)是一種高性能 3D 堆疊 DRAM,用于高性能計算和圖形加速器。它使用更少的功率,但比依賴DDR4或GDDR5內(nèi)存的顯卡提供更高的帶寬。由于 SoC 及其附屬子系統(tǒng)(如內(nèi)存子系統(tǒng)、互連總線和處理器)結(jié)構(gòu)復雜,驗證內(nèi)存的性能和利用率對用戶來說是一個巨大的挑戰(zhàn)。
2023-05-26 10:24:38437

Rambus提升GDDR6帶寬,以應對邊緣計算挑戰(zhàn)

HBM(高帶寬內(nèi)存)于 2013 年推出,是一種高性能 3D 堆疊 SDRAM架構(gòu)。如其名稱所述,HBM最重要的是帶寬更高,盡管HBM內(nèi)存都以相對較低的數(shù)據(jù)速率運行,但其通道數(shù)更多。例如,以3.6
2023-05-29 09:34:57312

HBM內(nèi)存:韓國人的游戲

HBM技術(shù)之下,DRAM芯片從2D轉(zhuǎn)變?yōu)?D,可以在很小的物理空間里實現(xiàn)高容量、高帶寬、低延時與低功耗,因而HBM被業(yè)界視為新一代內(nèi)存解決方案。
2023-06-30 16:31:33626

預計未來兩年HBM供應仍將緊張

據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,隨著人工智能(AI)服務器需求的激增,高帶寬內(nèi)存(HBM)的價格開始上漲。
2023-07-07 12:23:41388

大模型市場,不止帶火HBM

近日,HBM成為芯片行業(yè)的火熱話題。據(jù)TrendForce預測,2023年高帶寬內(nèi)存HBM)比特量預計將達到2.9億GB,同比增長約60%,2024年預計將進一步增長30%。
2023-07-11 18:25:08702

美光推出業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存

Micron Technology Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業(yè)界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內(nèi)存,其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40535

美光推出性能更出色的大容量高帶寬內(nèi)存 (HBM) 助力生成式人工智能創(chuàng)新

(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)今日宣布,公司已開始出樣業(yè)界首款8層堆疊的24GB容量第二代HBM3內(nèi)存,其帶寬超過1.2TB/s,引腳速率超過9.2Gb/s,比當前市面上現(xiàn)有的HBM3解決方案
2023-08-01 15:38:21489

英偉達的破綻

比如LPDDR和HBM卷成本,如果考慮的是$/GB,那LPDDR確實有優(yōu)勢,但如果考慮的是$/GBps,HBM還是最具性價比的選擇。而LLM雖然對內(nèi)存容量有比較大的需求,但對于內(nèi)存帶寬同樣有巨大的需求。
2023-08-03 15:43:36391

業(yè)界最快、容量最高的HBM

容量HBM3 Gen2內(nèi)存樣品,其帶寬超過1.2TB/s,引腳速度超過9.2Gb/s,相比目前出貨的HBM3解決方案提高了50%。美光的HBM3 Gen2產(chǎn)品的每瓦性能是前幾代產(chǎn)品的2.5倍,據(jù)稱
2023-08-07 17:38:07587

SK海力士推全球最高性能HBM3E內(nèi)存

HBM3E內(nèi)存(也可以說是顯存)主要面向AI應用,是HBM3規(guī)范的擴展,它有著當前最好的性能,而且在容量、散熱及用戶友好性上全面針對AI優(yōu)化。
2023-08-22 16:28:07559

HBM芯片市場前景可期,三星2023年訂單同比增長一倍以上

sk海力士負責市場營銷的管理人員表示:“一臺ai服務器至少需要500gbhbm帶寬內(nèi)存和2tb的ddr5內(nèi)存。人工智能是拉動內(nèi)存需求的強大力量。”sk海力士預測,到2027年,隨著人工智能的發(fā)達,hbm市場將綜合年均增長82%。
2023-09-12 11:32:59566

HBM3E明年商業(yè)出貨,兼具高速和低成本優(yōu)點

,skjmnft同時已經(jīng)向英偉達等用戶ERP交付樣品。 該公司的HBM3E內(nèi)存采用 eight-tier 布局,每個堆棧為24 GB,采用1β 技術(shù)生產(chǎn),具備出色的性能。Multiable萬達寶ERP具備數(shù)字化管理各個業(yè)務板塊,提升
2023-10-10 10:25:46400

1.1TB HBM3e內(nèi)存!NVIDIA奉上全球第一GPU:可惜無緣中國

NVIDIA H200的一大特點就是首發(fā)新一代HBM3e高帶寬內(nèi)存(疑似來自SK海力士),單顆容量就多達141GB(原始容量144GB但為提高良率屏蔽了一點點),同時帶寬多達4.8TB/s。
2023-11-15 16:28:13361

Rambus通過9.6 Gbps HBM3內(nèi)存控制器IP大幅提升AI性能

為增強AI/ML及其他高級數(shù)據(jù)中心工作負載打造的 Rambus 高性能內(nèi)存 IP產(chǎn)品組合 高達9.6 Gbps的數(shù)據(jù)速率,支持HBM3內(nèi)存標準的未來演進 實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的1.2 TB/s以上內(nèi)存吞吐量
2023-12-07 11:01:13115

大模型時代必備存儲之HBM進入汽車領(lǐng)域

大模型時代AI芯片必備HBM內(nèi)存已是業(yè)內(nèi)共識,存儲帶寬也成為AI芯片僅次于算力的第二關(guān)健指標,甚至某些場合超越算力,是最關(guān)鍵的性能指標,而汽車行業(yè)也開始出現(xiàn)HBM內(nèi)存
2023-12-12 10:38:11221

AI大模型不斷拉高上限,內(nèi)存控制器IP提早部署,力拱HBM3E的到來

數(shù)據(jù)量、復雜度在增加,HBM內(nèi)存被徹底帶火。這種高帶寬高速的內(nèi)存十分適合于AI訓練場景。最近,內(nèi)存芯片廠商已經(jīng)不約而同地切入HBM3E競爭當中。內(nèi)存控制器IP廠商Rambus也率先發(fā)布HBM3內(nèi)存
2023-12-13 15:33:48885

英偉達大量訂購HBM3E內(nèi)存,搶占市場先機

英偉達(NVIDIA)近日宣布,已向SK海力士、美光等公司訂購大量HBM3E內(nèi)存,為其AI領(lǐng)域的下一代產(chǎn)品做準備。也預示著內(nèi)存市場將新一輪競爭。
2023-12-29 16:32:50586

英偉達斥資預購HBM3內(nèi)存,為H200及超級芯片儲備產(chǎn)能

據(jù)最新傳聞,英偉達正在籌劃發(fā)布兩款搭載HBM3E內(nèi)存的新品——包括141GB HBM3E的H200 GPU及GH200超級芯片,這也進一步說明了對于HBM內(nèi)存的大量需求。
2024-01-02 09:27:04231

AMD發(fā)布HBM3e AI加速器升級版,2025年推新款I(lǐng)nstinct MI

目前,只有英偉達的Hopper GH200芯片配備了HBM3e內(nèi)存。與現(xiàn)有的HBM3相比,HBM3e的速度提升了50%,單個平臺可以達到10TB/s的帶寬,單顆芯片能夠?qū)崿F(xiàn)5TB/s的傳輸速率,內(nèi)存容量高達141GB
2024-02-25 11:22:42121

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM,帶寬高達1280GB/s,容量達36G

“隨著AI行業(yè)對大容量HBM的需求日益增大,我們的新產(chǎn)品HBM3E 12H應運而生,”三星電子內(nèi)存規(guī)劃部門Yongcheol Bae解釋道,“這個存儲方案是我們在人人工智能時代所推崇的HBM核心技術(shù)、以及創(chuàng)新堆疊技術(shù)的成果展示。”
2024-02-27 10:36:25204

三星發(fā)布首款12層堆疊HBM3E DRAM

近日,三星電子宣布,已成功發(fā)布其首款12層堆疊的高帶寬內(nèi)存HBM3E)產(chǎn)品——HBM3E 12H,再次鞏固了其在半導體技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。據(jù)了解,HBM3E 12H不僅是三星迄今為止容量最大的HBM產(chǎn)品,其性能也實現(xiàn)了質(zhì)的飛躍。
2024-02-27 14:28:21330

美光搶灘市場,HBM3E量產(chǎn)掀起技術(shù)浪潮

除了GPU,另一個受益匪淺的市場就是HBM了。HBM是一種高性能的內(nèi)存技術(shù),能夠提供比傳統(tǒng)DRAM更高的帶寬和更低的延遲,這使得其在需要大量數(shù)據(jù)傳輸和處理的人工智能應用中具有顯著優(yōu)勢。
2024-02-29 09:43:0598

美光開始量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的 HBM3E 解決方案,加速人工智能發(fā)展

HBM3E 高帶寬內(nèi)存 解決方案。英偉達 H200 Tensor Core GPU?將采用美光 8 層堆疊的 24GB?容量 HBM3E?內(nèi)存,并于 2024?年第二季度開始出貨。美光通過這一
2024-03-04 14:51:51550

美光量產(chǎn)行業(yè)領(lǐng)先的HBM3E解決方案,加速人工智能發(fā)展

2024 年 3?月 4?日全球內(nèi)存與存儲解決方案領(lǐng)先供應商 Micron Technology, Inc.(美光科技股份有限公司,納斯達克股票代碼:MU)近日宣布已開始量產(chǎn)其 HBM3E 高帶寬
2024-03-04 18:51:41750

美光科技開始量產(chǎn)HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案

美光科技股份有限公司(Micron Technology, Inc.)是全球內(nèi)存與存儲解決方案的領(lǐng)先供應商,近日宣布已經(jīng)開始量產(chǎn)其HBM3E高帶寬內(nèi)存解決方案。這一重要的里程碑式進展再次證明了美光在內(nèi)存技術(shù)領(lǐng)域的行業(yè)領(lǐng)先地位。
2024-03-05 09:16:28312

四川長虹回應幫華為代工 HBM芯片備受關(guān)注

的CPU/GPU內(nèi)存芯片因為AI而全面爆發(fā),多家存儲企業(yè)的產(chǎn)能都已經(jīng)跟不上。HBM英文全稱High Bandwidth Memory,翻譯過來即是高帶寬內(nèi)存HBM具有更高帶寬、更多I/O數(shù)量、更低功耗、更小尺寸的優(yōu)勢。不但能夠減少組件占用空間和外部存儲器要求;而且能夠提供更快
2024-03-18 18:42:552387

什么是HBM3E內(nèi)存?Rambus HBM3E/3內(nèi)存控制器內(nèi)核

Rambus HBM3E/3 內(nèi)存控制器內(nèi)核針對高帶寬和低延遲進行了優(yōu)化,以緊湊的外形和高能效的封裝為人工智能訓練提供了最大的性能和靈活性。
2024-03-20 14:12:37110

英偉達CEO贊譽三星HBM內(nèi)存,計劃采購

 提及此前有人預測英偉達可能向三星購買HBM3或HBM3E等內(nèi)存,黃仁勛在會上直接認可三星實力,稱其為“極具價值的公司”。他透露目前已對三星HBM內(nèi)存進行測試,未來可能增加采購量。
2024-03-20 16:17:24354

英偉達、微軟、亞馬遜等排隊求購SK海力士HBM芯片,這些國產(chǎn)設備廠迎機遇

電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/李彎彎)據(jù)報道,繼英偉達之后,全球多個科技巨頭都在競購SK海力士的第五代高帶寬內(nèi)存HBM3E。半導體行業(yè)知情人士稱,各大科技巨頭都已經(jīng)在向SK海力士請求獲取HBM3E樣本,包括
2023-07-06 09:06:312126

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