### 產品簡介
BSC030N03LS G-VB 是一款采用 DFN8 (5x6) 封裝的單通道 N 溝道 MOSFET，設計用于低電壓、高電流應用。該 MOSFET 的漏極-源極耐壓為 30V，柵極-源極耐壓為 ±20V，柵極閾值電壓為 1.7V。它在 4.5V 的柵極驅動電壓下具有 9mΩ 的導通電阻，在 10V 的柵極驅動電壓下為 7mΩ。最大漏極電流可達 80A，采用先進的 Trench 技術制造，適用于高效率的電源管理和電流開關應用。

### 參數說明
- **型號**: BSC030N03LS G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單通道 N 溝道 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **柵極閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 9mΩ @ VGS = 4.5V
 - 7mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 80A
- **技術**: Trench 技術

### 應用領域
BSC030N03LS G-VB 適用于以下領域和模塊：
- **電源管理**: 在高功率 DC-DC 轉換器中提供高效的電流傳輸和開關控制。
- **計算機和服務器**: 用于電源模塊中，優化電源分配，適應高負載需求。
- **電動汽車**: 作為動力系統中的開關元件，處理電池和電機之間的功率流動。
- **工業設備**: 在高電流應用中提供可靠的開關功能，支持設備穩定運行。