### 產品簡介

**BSC029N025S G-VB** 是一款單極性N溝道功率MOSFET，采用DFN8(5x6)封裝，設計用于高電流和高效率應用。該MOSFET具有30V的漏源電壓（VDS），支持±20V的柵極源電壓（VGS）。其閾值電壓（Vth）為1.7V，具有低導通電阻2.5mΩ（VGS=4.5V）和1.8mΩ（VGS=10V），可以承受高達160A的漏電流。MOSFET采用溝槽技術，適用于需要高電流和低損耗的電源和負載開關應用。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSC029N025S G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單極性N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵極源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏電流 (ID)**: 160A
- **技術**: 溝槽技術

### 適用領域和模塊

**BSC029N025S G-VB** 功率MOSFET 適用于以下領域和模塊：

1. **電源管理**：在高效電源轉換器和DC-DC轉換器中作為開關元件，適合處理大電流負載，提供高效能量轉換。

2. **電機驅動**：在高電流電機驅動系統中，用于高效開關電流，能夠處理大電流負載并保持低熱損耗。

3. **電池管理系統**：用于電池保護和管理，特別是在需要高電流的應用中，確保系統的穩定性和長壽命。

4. **功率轉換應用**：在各種功率轉換模塊中，如逆變器和電力調節器，用于實現高效的功率轉換和減少功耗。