### 產品簡介

**BSC024N025S G-VB** 是一款單通道 N 型 MOSFET，采用 DFN8(5x6) 封裝，設計用于高電流和低電壓應用。其具備極低的 RDS(ON)（1.8mΩ @ VGS=10V），可以有效減少功耗和熱量。該器件最大漏極電流為 160A，適合處理高負載電流。其閾值電壓為 1.7V，柵極-源極耐壓為 ±20V，確保了在復雜工作環境下的穩定性和可靠性。

### 詳細參數說明

- **型號**: BSC024N025S G-VB
- **封裝**: DFN8(5x6)
- **配置**: 單通道 N 型 MOSFET
- **漏極-源極耐壓 (VDS)**: 30V
- **柵極-源極耐壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **RDS(ON)**: 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **RDS(ON)**: 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流 (ID)**: 160A
- **技術**: 溝道工藝 (Trench)

### 應用領域和模塊

**BSC024N025S G-VB** 適用于以下領域和模塊：

1. **電源管理系統**：其低 RDS(ON) 和高電流能力使其非常適合用于高效電源管理模塊和 DC-DC 轉換器，減少能量損失。
2. **電機驅動**：能夠處理高電流，在電機驅動電路中提供穩定的開關控制，適用于電動工具和工業應用。
3. **汽車電子**：在汽車電子系統中處理高電流負載，例如電動窗戶和座椅調節系統。
4. **充電系統**：用于電池充電器中，提供高效的開關控制，優化充電過程并延長電池壽命。
5. **數據中心**：在數據中心電源模塊中實現高效的功率轉換和管理，滿足高性能計算的需求。