--- 產品參數 ---
- 封裝 DFN8(5X6)
- 溝道 Single-N
--- 數據手冊 ---
--- 產品詳情 ---
### 產品簡介
**BSC022N03S G-VB** 是一款單N溝道MOSFET,采用Trench技術制造,專為高效能應用設計。其封裝為DFN8 (5x6),具有高電流承載能力和低導通電阻,適合用于電源管理和高開關頻率的電路。該MOSFET具有30V的漏源電壓(VDS)和最大20V的柵源電壓(VGS),使其在多種應用中表現出色。
### 參數說明
- **型號**: BSC022N03S G-VB
- **封裝**: DFN8 (5x6)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓(VDS)**: 30V
- **柵源電壓(VGS)**: ±20V
- **閾值電壓(Vth)**: 1.7V
- **導通電阻(RDS(ON))**:
- 2.5mΩ @ VGS = 4.5V
- 1.8mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏極電流(ID)**: 160A
- **技術**: Trench
### 應用領域和模塊
**BSC022N03S G-VB** 主要適用于以下領域和模塊:
1. **電源管理**: 在高效能電源轉換器和DC-DC轉換器中使用,其低導通電阻有助于降低功率損耗,提高系統效率。
2. **開關電路**: 用于高開關頻率的開關電路,如逆變器和功率放大器,提供穩定的開關性能和低導通損耗。
3. **電機驅動**: 在電機驅動系統中應用,能夠處理高電流,確保電機運行的穩定性和效率。
4. **汽車電子**: 適合用于汽車電子系統,如電動助力轉向系統,提供可靠的電流控制和高效能傳輸。
這些應用場景利用了該MOSFET的高電流承載能力和低導通電阻,提升了系統的整體性能和效率。
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