### 產品簡介

BUK661R8-30C-VB 是一款高性能單 N 溝道 MOSFET，采用 TO263 封裝。這款 MOSFET 基于先進的溝槽技術，具備極低的導通電阻和超高的電流處理能力，非常適合在高功率、高效率的應用中使用。其優異的性能和高電流能力使其成為許多高功率電子電路中的理想選擇。

### 詳細參數說明

- **型號**: BUK661R8-30C-VB
- **封裝**: TO263
- **配置**: 單 N 溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **柵閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導通電阻 (RDS(ON))**:
 - 3.2mΩ @ VGS = 4.5V
 - 2.3mΩ @ VGS = 10V
- **漏極電流 (ID)**: 150A
- **技術**: Trench

### 應用領域和模塊示例

1. **高效開關電源**：由于其超低的導通電阻和高電流能力，BUK661R8-30C-VB 是開關電源 (SMPS) 的理想選擇。它能夠顯著提高電源的轉換效率，并減少功耗，適用于各種高功率電源應用。

2. **電機驅動系統**：該 MOSFET 能夠處理高達 150A 的電流，非常適合用于電機驅動模塊，如工業自動化設備和電動工具，提供穩定和高效的電流控制。

3. **電池管理系統**：在電池管理系統中，BUK661R8-30C-VB 的低導通電阻可以優化電池充放電過程，提高系統效率和可靠性，尤其適合用于電動汽車和大容量儲能系統。

4. **光伏逆變器**：這款 MOSFET 的高電流處理能力和低導通電阻使其成為光伏逆變器中的優選元件，能夠提高光伏系統的整體效率和可靠性。

5. **高功率開關應用**：由于其優秀的開關性能，BUK661R8-30C-VB 適用于高功率開關應用，如大功率 DC-DC 轉換器和高頻開關設備，能夠減少功耗并提升系統性能。