了光刻劑。但重大挑戰(zhàn)仍然存在，部分原因是去除率不足以首先在半導(dǎo)體制造業(yè)中使用微氣泡。因此，我們需要通過(guò)明確了解微氣泡去除光刻抗蝕劑層的功能機(jī)制，來(lái)提高微氣泡的去除能力。本研究的目的是闡明微氣泡對(duì)光刻膠層表面的影響。
2022-01-10 11:37:13
1396 
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過(guò)氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進(jìn)環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ)，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-04-19 11:22:57918 
在未來(lái)幾代器件中，光刻膠(PR)和殘留物的去除變得非常關(guān)鍵。在前端制程(FEOL)離子注入后(源極/漏極、擴(kuò)展、haIos、深阱)，使用PR封閉部分電路導(dǎo)致PR實(shí)質(zhì)上硬化且難以去除。在后段制程
2022-07-04 17:04:087175 
光刻膠為何要謀求國(guó)產(chǎn)替代？中國(guó)國(guó)產(chǎn)光刻膠企業(yè)的市場(chǎng)發(fā)展機(jī)會(huì)和挑戰(zhàn)如何？光刻膠企業(yè)發(fā)展要具備哪些核心競(jìng)爭(zhēng)力？在南京半導(dǎo)體大會(huì)期間，徐州博康公司董事長(zhǎng)傅志偉和研發(fā)總監(jiān)潘新剛給我們帶來(lái)前沿觀點(diǎn)和獨(dú)家分析。
2022-08-29 15:02:235918 
在上一篇文章，我們介紹了光刻工藝，即利用光罩(掩膜)把設(shè)計(jì)好的電路圖形繪制在涂覆了光刻膠的晶圓表面上。下一步，將在晶圓上進(jìn)行刻蝕工藝，以去除不必要的材料，只保留所需的圖形。
2023-06-28 10:04:58843 
光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光，光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化，從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上，從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241335 
電子發(fā)燒友原創(chuàng) 章鷹 ? 近日，全球半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模增長(zhǎng)帶動(dòng)了上游半導(dǎo)體材料旺盛需求，“光刻膠”的突破也成為國(guó)內(nèi)關(guān)注焦點(diǎn)。正當(dāng)日本光刻膠企業(yè)JSR、東京應(yīng)化和美國(guó)Lam Research在EUV光刻膠
2022-08-31 07:45:002718 。正性光刻膠在半導(dǎo)體制造中使用得最多，因其可以達(dá)到更高的分辨率，從而讓它成為光刻階段更好的選擇。現(xiàn)在世界上有不少公司生產(chǎn)用于半導(dǎo)體制造的光刻膠。 光刻光刻在芯片制造過(guò)程中至關(guān)重要，因?yàn)樗鼪Q定了芯片上的晶體管
2022-04-08 15:12:41
一、光刻膠的選擇光刻膠包括兩種基本的類(lèi)型：正性光刻和負(fù)性光刻，區(qū)別如下
2021-01-12 10:17:47
的厚膜圖形；它還具有良好的力學(xué)性能、抗化學(xué)腐蝕性和熱穩(wěn)定性；在受到紫外輻射后發(fā)生交聯(lián)，是一種化學(xué)擴(kuò)大負(fù)性膠，可以形成臺(tái)階等結(jié)構(gòu)復(fù)雜的圖形；在電鍍時(shí)可以直接作為絕緣體使用。 SU-8光刻膠的優(yōu)點(diǎn)：1
2018-07-12 11:57:08
]。光刻膠涂覆在半導(dǎo)體、導(dǎo)體和絕緣體上，經(jīng)曝光顯影后留下的部分對(duì)底層起保護(hù)作用，然后采用超凈高純?cè)噭┻M(jìn)行蝕刻，從而完成了將掩膜版圖形轉(zhuǎn)移到底層上的圖形轉(zhuǎn)移過(guò)程。一個(gè)IC的制造一般需要經(jīng)過(guò)10多次圖形轉(zhuǎn)移
2018-08-23 11:56:31
光刻膠也稱為光致抗蝕劑，是一種光敏材料，它受到光照后特性會(huì)發(fā)生改變。光刻膠主要用來(lái)將光刻掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到晶圓片上。光刻膠有正膠和負(fù)膠之分。正膠經(jīng)過(guò)曝光后，受到光照的部分變得容易溶解，經(jīng)過(guò)顯影后被
2019-11-07 09:00:18
這是我的版圖一部分，然后生成了圖案是這樣的： 感覺(jué)間距小的地方全都有殘留，間距大的地方?jīng)]有殘留；工藝參數(shù)：s9920光刻膠， evg 620‘未進(jìn)行蒸汽底漆層涂覆，前烘：100攝氏度，90s
2016-11-29 14:59:18
，小米9pro，oppo Reno3以及vivo X30）分別采用了什么芯片？ 3協(xié)同通信的方式有哪些？ 4大數(shù)據(jù)及認(rèn)知無(wú)線電（名詞解釋） 4半導(dǎo)體工藝的4個(gè)主要步驟： 4簡(jiǎn)敘半導(dǎo)體光刻技術(shù)基本原理 4給出4個(gè)全球著名的半導(dǎo)體設(shè)備制造商并指出其生產(chǎn)的設(shè)備核心技術(shù)： 5衛(wèi)
2021-07-26 08:31:09
半導(dǎo)體光刻蝕工藝
2021-02-05 09:41:23
半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成：在半導(dǎo)體材料市場(chǎng)構(gòu)成方面，大硅片占比最大，占比為32.9%。其次為氣體，占比為14.1%，光掩膜排名第三，占比 為12.6%，其后：分別為拋光液和拋光墊、光刻膠配套試劑、光刻膠、濕化學(xué)品、建設(shè)靶材，比分別為7.2%、6.9%、 6.1%、4%和3%。
2021-01-22 10:48:36
大家有沒(méi)有用過(guò)半導(dǎo)體制冷的，我現(xiàn)在選了一種制冷片，72W的，我要對(duì)一個(gè)2.5W的熱負(fù)載空間（100x100x100mm）降溫，用了兩片，在環(huán)溫60度時(shí)熱負(fù)載所處的空間只降到30度，我采用的時(shí)泡沫膠
2012-08-15 20:07:10
半導(dǎo)體制冷的機(jī)理主要是電荷載體在不同的材料中處于不同的能量級(jí)，在外電場(chǎng)的作用下，電荷載體從高能級(jí)的材料向低能級(jí)的材料運(yùn)動(dòng)時(shí)，便會(huì)釋放出多余的能量。
2020-04-03 09:02:14
半導(dǎo)體制冷片是利用半導(dǎo)體材料的Peltier效應(yīng)而制作的電子元件，當(dāng)直流電通過(guò)兩種不同半導(dǎo)體材料串聯(lián)成的電偶時(shí)，在電偶的兩端即可分別吸收熱量和放出熱量，可以實(shí)現(xiàn)制冷的目的。它是一種產(chǎn)生負(fù)熱阻的制冷技術(shù)，其特點(diǎn)是無(wú)運(yùn)動(dòng)部件，可靠性也比較高。半導(dǎo)體制冷片的工作原理是什么？半導(dǎo)體制冷片有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？
2021-02-24 09:24:02
的制造方法，其實(shí)歸根究底，就是在矽半導(dǎo)體上制造電子元器件，電子元器件包括很多品種：整流橋，二極管，電容等各種IC類(lèi)，更復(fù)雜的還有整流模塊等等。ASEMI半導(dǎo)體的每一個(gè)電子元器件的完成都是由精密復(fù)雜
2018-11-08 11:10:34
在制造半導(dǎo)體器件時(shí)，為什么先將導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的硅或鍺制成本征半導(dǎo)體，使之導(dǎo)電性極差，然后再用擴(kuò)散工藝在本征半導(dǎo)體中摻入雜質(zhì)形成N型半導(dǎo)體或P型半導(dǎo)體改善其導(dǎo)電性？
2012-07-11 20:23:15
們的投入中，80%的開(kāi)支會(huì)用于先進(jìn)產(chǎn)能擴(kuò)增，包括7nm、5nm及3nm，另外20%主要用于先進(jìn)封裝及特殊制程。而先進(jìn)工藝中所用到的EUV極紫外光刻機(jī)，一臺(tái)設(shè)備的單價(jià)就可以達(dá)到1.2億美元，可見(jiàn)半導(dǎo)體
2020-02-27 10:42:16
半導(dǎo)體制造技術(shù)經(jīng)典教程（英文版）
2014-03-06 16:19:35
。假如海外半導(dǎo)體代工廠不給中國(guó)大陸設(shè)計(jì)公司代工，那么中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)將會(huì)受到很?chē)?yán)重影響。半導(dǎo)體制造發(fā)展歷史20世紀(jì)50年代——晶體管技術(shù)自從1947年貝爾實(shí)驗(yàn)室的第一個(gè)晶體管發(fā)明以來(lái)，20世紀(jì)50年代
2020-09-02 18:02:47
噪聲、空氣噪聲和微振動(dòng)也是特殊的污染物。還有一點(diǎn)值得注意的就是：半導(dǎo)體工廠內(nèi)會(huì)有大量的酸性氣體（這些氣體來(lái)自于晶圓的蝕刻、清洗等過(guò)程），其次由于半導(dǎo)體制造的過(guò)程中會(huì)需要大量使用光阻液、顯影液等等，這些
2020-09-24 15:17:16
AL-CU互連導(dǎo)線側(cè)壁孔洞形成機(jī)理及改進(jìn)方法側(cè)壁孔洞缺陷是當(dāng)前Ａｌ?Ｃｕ 金屬互連導(dǎo)線工藝中的主要缺陷之一。此種缺陷會(huì)導(dǎo)致電遷移，從而降低器件的可靠性。缺陷的產(chǎn)生是由于在干法等離子光刻膠去除工藝
2009-10-06 09:50:58
，購(gòu)買(mǎi)或者開(kāi)發(fā)EUV光刻機(jī)是否必要？中國(guó)應(yīng)如何切實(shí)推進(jìn)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)的發(fā)展？EUV面向7nm和5nm節(jié)點(diǎn)所謂極紫外光刻，是一種應(yīng)用于現(xiàn)代集成電路制造的光刻技術(shù)，它采用波長(zhǎng)為10～14納米的極紫外光作為
2017-11-14 16:24:44
半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的標(biāo)志：NR9-PY 系列負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝；具有高效粘附性，高反應(yīng)速度并耐高溫性能好。 NR71-PY 系列 負(fù)性光刻膠，適用于lift-off工藝，耐高溫性能好
2010-04-21 10:57:46
`浮膠是顯影或腐蝕過(guò)程中常出現(xiàn)的一種不良現(xiàn)像，也是影響較為嚴(yán)重的一種光刻弊病。顯影時(shí)產(chǎn)生的浮膠 在顯影時(shí)，玻璃表面的膠膜皺起呈桔皮狀或膠膜大片剝離。產(chǎn)生這一現(xiàn)像，說(shuō)明膠膜與玻璃表面ITO層粘附不好
2018-11-22 16:04:49
SU 8光刻膠系列產(chǎn)品簡(jiǎn)介：新型的化學(xué)增幅型負(fù)像 SU- 8 膠是一種負(fù)性、環(huán)氧樹(shù)脂型、近紫外線光刻膠，克服了普通光刻膠采用 UV光刻導(dǎo)致的深寬比不足的問(wèn)題，十分適合于制備高深寬比微結(jié)構(gòu)。SU- 8
2018-07-04 14:42:34
廠的應(yīng)用。 2 SPC技術(shù)概述 早期的半導(dǎo)體制造企業(yè)為保證產(chǎn)品質(zhì)量，基本上以工藝檢測(cè)和產(chǎn)品檢驗(yàn)為主要手段進(jìn)行產(chǎn)品的質(zhì)量監(jiān)控，很明顯這是一種事后檢測(cè)的方法，隨著各類(lèi)使用半導(dǎo)體元器件的電子產(chǎn)品的質(zhì)量需求的提高
2018-08-29 10:28:14
、晶圓、光刻、蝕刻、離子注入、金屬沉積、金屬層、互連、晶圓測(cè)試與切割、核心封裝、等級(jí)測(cè)試、包裝上市等基本步驟。硅熔煉成硅錠：通過(guò)多步凈化得到可用于半導(dǎo)體制造質(zhì)量的硅，學(xué)名電子級(jí)硅(EGS)，平均每一百萬(wàn)
2017-05-04 21:25:46
`《半導(dǎo)體制造工藝》學(xué)習(xí)筆記`
2012-08-20 19:40:32
書(shū)籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學(xué)蝕刻過(guò)程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號(hào)：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
，但顯然值得更多的關(guān)注用于商業(yè)利用和實(shí)施。本文綜述了臭氧化去離子水（DI-O3 水）在硅片表面制備中的應(yīng)用，包括去除有機(jī)雜質(zhì)、金屬污染物和顆粒以及光刻膠剝離。 介紹自半導(dǎo)體技術(shù)起源以來(lái)，清潔襯底表面在
2021-07-06 09:36:27
工藝步驟：光刻：通過(guò)在晶片表面涂上均勻的薄薄一層粘性液體（光刻膠）來(lái)定義圖案的過(guò)程。光刻膠通過(guò)烘烤硬化，然后通過(guò)光穿過(guò)包含掩模信息的掩模版進(jìn)行投射而選擇性地去除。蝕刻：從晶片表面選擇性地去除不需要的材料
2021-07-08 13:13:06
三種常見(jiàn)的光刻技術(shù)方法根據(jù)暴光方法的不同,可以劃分為接觸式光刻,接近式光刻和投影式光刻三種光刻技術(shù)。 ◆投影式暴光是利用透鏡或反射鏡將掩膜版上的圖形投影到襯底上的暴光方法.在這種暴光方法中,由于掩膜
2012-01-12 10:56:23
1、GaAs半導(dǎo)體材料可以分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體兩大類(lèi)，元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體，化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。砷化鎵的電子遷移速率比硅高5.7 倍，非常適合
2019-07-29 07:16:49
我想用單片機(jī)開(kāi)發(fā)板做個(gè)熱療儀，開(kāi)發(fā)板是某寶上買(mǎi)的那種，有兩個(gè)猜想：一個(gè)用半導(dǎo)體制冷片發(fā)熱，一個(gè)用電熱片。但我不會(huì)中間要不要接個(gè)DA轉(zhuǎn)換器還是繼電器什么的，查過(guò)一些資料，如果用半導(dǎo)體制冷片用PWM控制
2017-11-22 14:15:40
噴膠機(jī)是現(xiàn)代光電子產(chǎn)業(yè)中光刻膠涂布的重要設(shè)備。可對(duì)不同尺寸和形狀的基片進(jìn)行涂膠，最大涂膠尺寸達(dá)8寸，得到厚度均勻的光刻膠層，同時(shí)可對(duì)大深寬比結(jié)構(gòu)的側(cè)壁進(jìn)行均勻涂膠；通過(guò)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)控制器進(jìn)行工藝參數(shù)的編輯和操作。
2020-03-23 09:00:57
想用半導(dǎo)體制冷片制作小冰箱，需要用到大功率電源，半導(dǎo)體制冷片，還有散熱系統(tǒng)，單片機(jī)控制系統(tǒng)，能調(diào)溫度，還能顯示溫度，具體的思路已經(jīng)有了，想問(wèn)問(wèn)你們有沒(méi)好點(diǎn)的意見(jiàn)，能盡量提高點(diǎn)效率還有溫度調(diào)節(jié)的精度
2020-08-27 08:07:58
本文介紹了一種去除傳輸線的方法。
2021-05-21 07:10:45
{:1:}想了解半導(dǎo)體制造相關(guān)知識(shí)
2012-02-12 11:15:05
形成電路，而“濕法”刻蝕（使用化學(xué)浴）主要用于清潔晶圓。 干法刻蝕是半導(dǎo)體制造中最常用的工藝之一。 開(kāi)始刻蝕前，晶圓上會(huì)涂上一層光刻膠或硬掩膜（通常是氧化物或氮化物），然后在光刻時(shí)將電路圖形曝光在晶圓
2017-10-09 19:41:52
) （7）光刻膠的去除 5、 此處用干法氧化法將氮化硅去除 6 、離子布植將硼離子 (B+3) 透過(guò) SiO2 膜注入襯底，形成 P 型阱 7、 去除光刻膠，放高溫爐中進(jìn)行退火處理 8、 用熱磷酸去除
2011-12-01 15:43:10
表面，將經(jīng)過(guò)光照分解的光刻膠層除去，保留未曝光部分的光刻膠層，用化學(xué)方法使受UV 光照射部分的光刻膠溶于顯影液中，顯影后的玻璃要經(jīng)過(guò)一定的溫度的堅(jiān)膜處理。（如圖：） G． 堅(jiān)膜：將玻璃再經(jīng)過(guò)一次高溫處理
2016-06-30 09:03:48
腐蝕(一般稱刻蝕)—進(jìn)行的化學(xué)物質(zhì)是氣體。 1 濕法腐蝕，采用溶液進(jìn)行的腐蝕是一種各向同性腐蝕。因而，光刻膠掩模下面的薄膜材料，在模方向上也隨著時(shí)間的增長(zhǎng)而受到腐蝕，因此，出現(xiàn)與掩模圖形不一致的現(xiàn)象
2019-08-16 11:11:34
。然后用另一種腐蝕液對(duì)晶圓腐蝕，形成半導(dǎo)體器件及其電路。 清除光刻膠：蝕刻完成后，光刻膠的使命宣告完成，全部清除后就可以看到設(shè)計(jì)好的電路圖案。 而100多億個(gè)晶體管就是通過(guò)這樣的方式雕刻
2020-07-07 11:36:10
半導(dǎo)體制作的器件。半導(dǎo)體是指一種導(dǎo)電性可受控制，范圍可從絕緣體至導(dǎo)體之間的材料。無(wú)論從科技或是經(jīng)濟(jì)發(fā)展的角度來(lái)看，半導(dǎo)體的重要性都是非常巨大的。今日大部分的電子產(chǎn)品，如計(jì)算機(jī)、移動(dòng)電話或是數(shù)字錄音機(jī)當(dāng)中
2016-11-27 22:34:51
151n光刻膠曝光顯影后開(kāi)口底部都會(huì)有一撮殘留，找不到原因。各位幫分析下
2023-04-20 13:13:52
、半導(dǎo)體、超純水、電子產(chǎn)品、平板玻璃、硅晶片、等產(chǎn)品進(jìn)行在線顆粒監(jiān)測(cè)和分析。產(chǎn)品優(yōu)勢(shì)：離線優(yōu)勢(shì)：PMT-2離線光刻膠微粒子計(jì)數(shù)器外接離線取樣裝置，可實(shí)現(xiàn)實(shí)驗(yàn)室、工廠
2022-12-14 10:44:24
PMT-2在線光刻膠液體粒子計(jì)數(shù)器，采用英國(guó)普洛帝核心技術(shù)創(chuàng)新型的第八代雙激光窄光顆粒檢測(cè)傳感器，雙精準(zhǔn)流量控制-精密計(jì)量柱塞泵和超精密流量電磁控制系統(tǒng)，可以對(duì)清洗劑、半導(dǎo)體、超純水
2023-01-03 15:54:49
GK-1000光刻掩膜版測(cè)溫儀，光刻機(jī)曝光光學(xué)系統(tǒng)測(cè)溫儀光刻機(jī)是一種用于微納米加工的設(shè)備，主要用于制造集成電路、光電子器件、MEMS（微機(jī)電系統(tǒng)）等微細(xì)結(jié)構(gòu)。光刻機(jī)是一種光學(xué)投影技術(shù)，通過(guò)將光線通過(guò)
2023-07-07 11:46:07
急需突破的領(lǐng)域，但它也是技術(shù)門(mén)檻最高的，國(guó)內(nèi)最大的半導(dǎo)體制造公司中芯國(guó)際的營(yíng)收只有第一大晶圓代工公司臺(tái)積電的1/20，與英特爾相比更是只有1/20，但是這些芯片制造公司都離不開(kāi)一個(gè)設(shè)備——光刻機(jī)，它是整個(gè)半導(dǎo)體制造行業(yè)的明珠。
2018-07-22 10:32:3710947 在國(guó)家政策與市場(chǎng)的雙重驅(qū)動(dòng)下，近年來(lái)，國(guó)內(nèi)企業(yè)逐步向面板、半導(dǎo)體光刻膠發(fā)力……
2019-04-23 16:15:3612831 
在國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域，我國(guó)雖已成為半導(dǎo)體生產(chǎn)大國(guó)，但整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈仍比較落后。特別是由于國(guó)內(nèi)光刻膠廠布局較晚，半導(dǎo)體光刻膠技術(shù)相較于海外先進(jìn)技術(shù)差距較大，國(guó)產(chǎn)化不足5%。在這種條件下，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體廠商積極開(kāi)展研究，如晶瑞股份的KrF光刻膠，南大光電的ArF光刻膠均取得較好的研究效果。
2020-03-06 15:40:564165 光刻膠按應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi)，大致分為L(zhǎng)CD光刻膠、PCB光刻膠（感光油墨）與半導(dǎo)體光刻膠等。按照下游應(yīng)用來(lái)看，目前LCD光刻膠占比26．6%，刻膠占比24．5%，半導(dǎo)體光刻膠占比24．1%，PCB光其他類(lèi)光刻膠占比24．8%。
2020-06-12 17:13:395379 光刻膠是由感光樹(shù)脂、增感劑和溶劑三種主要成份組成的、對(duì)光敏感的混合液體。利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影、刻蝕等工藝將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上的圖形轉(zhuǎn)移介質(zhì)，其中曝光是通過(guò)紫外光
2022-12-06 14:53:541238 首先，我們都知道要制作一顆芯片可以簡(jiǎn)單分為三個(gè)步驟：IC芯片設(shè)計(jì)芯片制造封裝測(cè)試。從最早誕生于電路設(shè)計(jì)師的腦袋中，到將大腦中的線路圖像設(shè)計(jì)出來(lái)，最后送到半導(dǎo)體車(chē)間經(jīng)由光刻機(jī)反復(fù)光刻，中間經(jīng)過(guò)
2020-11-14 09:36:575407 
近期，專注于電子材料市場(chǎng)研究的TECHCET發(fā)布最新統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè)數(shù)據(jù)：2021年，半導(dǎo)體制造所需的光刻膠市場(chǎng)規(guī)模將同比增長(zhǎng)11％，達(dá)到19億美元。
2021-03-22 10:51:125081 按照應(yīng)用領(lǐng)域分類(lèi)，光刻膠主要包括印制電路板（PCB）光刻膠專用化學(xué)品（光引發(fā)劑和樹(shù)脂）、液晶顯示器（LCD）光刻膠光引發(fā)劑、半導(dǎo)體光刻膠光引發(fā)劑和其他用途光刻膠四大類(lèi)。本文主要討論半導(dǎo)體光刻膠。
2021-05-17 14:15:524011 
。 信越化學(xué)之所以停止供貨部分晶圓廠KrF光刻膠，與2月份日本福島東部海域發(fā)生7.3級(jí)地震有莫大關(guān)聯(lián)。地震導(dǎo)致信越化學(xué)KrF光刻膠產(chǎn)線受到很大程度的破壞，至今尚未完全恢復(fù)生產(chǎn)。 光刻膠是半導(dǎo)體制造中的關(guān)鍵產(chǎn)品，重要性毋庸置疑，現(xiàn)在這么多半導(dǎo)
2021-06-25 16:12:28784 5月27日，半導(dǎo)體光刻膠概念股開(kāi)盤(pán)即走強(qiáng)，截至收盤(pán)，A股光刻膠板塊漲幅達(dá)6.48%。其中晶瑞股份、廣信材料直線拉升大漲20%封漲停，容大感光大漲13.28%，揚(yáng)帆新材大漲11.37%，南大光電
2021-05-28 10:34:152623 在半導(dǎo)體制造方面，國(guó)內(nèi)廠商需要突破的不只是光刻機(jī)等核心設(shè)備，光刻膠也是重要的一環(huán)。而南大光電研發(fā)的高端ArF光刻機(jī)，已經(jīng)獲得了國(guó)內(nèi)某企業(yè)的認(rèn)證，可用于55nm工藝制造。 南大光電發(fā)布公告稱，控股
2021-06-26 16:32:372200 德國(guó)達(dá)姆施塔特, 2021年7月 28日 –- 全球領(lǐng)先的科技公司默克日前宣布推出新一代環(huán)保精密清洗溶劑產(chǎn)品 ?--?AZ??910?去除劑。該系列產(chǎn)品用于半導(dǎo)體芯片制造圖形化工藝中清除光刻膠
2021-07-28 14:23:102646 
摘要 我們?nèi)A林科納提出了一種新型的雙層光阻劑方法來(lái)減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對(duì)浮渣平均數(shù)量的影響。實(shí)驗(yàn)表明，低粘度正光刻膠
2022-01-26 11:43:22687 
臭氧水中微氣泡的存在顯著提高了光刻膠的去除率，這是由于溶解臭氧濃度的升高和微氣泡對(duì)自由基產(chǎn)生的直接影響。此外，臭氧微氣泡溶液能夠有效地去除高劑量離子植入的光刻膠，由于其非定形碳狀層或“地殼”，它非常
2022-01-27 15:55:14448 臭氧水中微氣泡的存在顯著提高了光刻膠的去除率，這是由于溶解臭氧濃度的升高和微氣泡對(duì)自由基產(chǎn)生的直接影響。此外，臭氧微氣泡溶液能夠有效地去除高劑量離子植入的光刻膠，由于其非定形碳狀層或“地殼”，它非常
2022-02-11 15:24:33419 
了晶圓廠占地面積，并降低了資本投資和運(yùn)營(yíng)成本。 在 CMOS 制造中，離子注入用于修改硅襯底以滿足各種帶隙工程需求。通常，圖案化光刻膠 (PR) 用于定義離子注入位置。離子注入后，圖案化的光刻膠必須完全去除，表面必須為下一輪的圖
2022-03-01 14:39:431350 
平版印刷術(shù)被定義為“一種從已經(jīng)準(zhǔn)備好的平坦表面(如光滑的石頭或金屬板)印刷的方法，以便油墨僅粘附在將要印刷的設(shè)計(jì)上”。在半導(dǎo)體器件制造中，石頭是硅片，而墨水是沉積、光刻和蝕刻工藝的綜合效果，從而產(chǎn)生
2022-03-14 15:20:531935 
半導(dǎo)體的清洗在制造工序中也是非常重要的。特別是光刻膠的去除是最困難的，一般使用硫酸和過(guò)氧化氫混合的溶液(SPM)等。但是，這些廢液的處理是極其困難的，與環(huán)境污染有很大的關(guān)系，因此希望引進(jìn)環(huán)保的清洗技術(shù)。因此，作為環(huán)保的清洗技術(shù)之一，以蒸餾水、臭氧為基礎(chǔ)，利用微氣泡的清洗法受到關(guān)注。
2022-03-24 16:02:56733 
本文提出了一種新型的雙層光阻劑方法來(lái)減少負(fù)光阻劑浮渣。選擇正光刻膠作為底層抗蝕劑，選擇負(fù)光刻膠作為頂層抗蝕膠。研究了底層抗蝕劑的粘度和厚度對(duì)浮渣平均數(shù)量的影響。實(shí)驗(yàn)表明，低粘度正光刻膠AZ703
2022-03-24 16:04:23754 
通過(guò)使半導(dǎo)體制造工藝中澆口蝕刻后生成的聚合物去除順暢，可以簡(jiǎn)化后處理序列，從而縮短前工藝處理時(shí)間，上述感光膜去除方法是:在工藝室內(nèi)晶片被抬起的情況下，用CF4+O2等離子體去除聚合物的步驟；將晶片安放在板上，然后用O2等離子體去除感光膜的步驟；和RCA清洗步驟。
2022-04-11 17:02:43783 
本文的目標(biāo)是討論一種新技術(shù)，它可以在保持競(jìng)爭(zhēng)力的首席運(yùn)營(yíng)官的同時(shí)改善權(quán)衡。 將開(kāi)發(fā)濕化學(xué)抗蝕劑去除溶液的能力與對(duì)工藝和工具要求的理解相結(jié)合，導(dǎo)致了用于光刻膠去除的單晶片清洗技術(shù)的發(fā)展。 該技術(shù)針對(duì)
2022-05-07 15:11:11621 
這項(xiàng)研究首先集中于去除直接沉積在硅襯底上的193納米厚的光刻膠和BARC層，使用傅里葉變換紅外光譜(FTIR)和橢圓偏振光譜(SE)來(lái)評(píng)估去除效率，在第二部分中，研究了金屬硬掩模/多孔低k鑲嵌結(jié)構(gòu)
2022-05-30 17:25:241114 
本文章介紹了我們?nèi)A林科納一種光刻膠剝離用組合物，該組合物不僅對(duì)離子注入工藝后或離子注入工藝和高溫加熱工藝后硬化或變質(zhì)為聚合物的光刻膠具有良好的去除力，而且使膜質(zhì)腐蝕性最小化。半導(dǎo)體工藝中離子注入工藝
2022-07-01 15:16:081442 
灰化，簡(jiǎn)單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳?xì)溆袡C(jī)物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過(guò)泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
2022-07-21 11:20:174870 光刻膠是IC制造的核心耗材，技術(shù)壁壘極高。根據(jù)TECHCET數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2022年全球半導(dǎo)體光刻膠市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到23億美元，同比增長(zhǎng)7.5%，2025年超過(guò)25億美元。
2023-03-21 14:00:492095 光刻法是微電子工藝中的核心技術(shù)之一，常用于形成半導(dǎo)體設(shè)備上的微小圖案。過(guò)程開(kāi)始于在硅片上涂布光刻膠，隨后對(duì)其進(jìn)行預(yù)熱。接著，選擇一種光源（如深紫外光或X光）透過(guò)預(yù)先設(shè)計(jì)好的掩模圖案照射在硅片
2023-06-09 11:36:522037 
在半導(dǎo)體制造過(guò)程中，每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過(guò)數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝，前道工藝是整個(gè)制造過(guò)程中最為重要的部分，它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成，涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟，技術(shù)難點(diǎn)多，操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:552897 
日本在半導(dǎo)體界一直以設(shè)備和材料笑傲群雄，2019年一則禁令一度扼住韓國(guó)半導(dǎo)體喉嚨，涉及材料包括高純氟化氫、氟聚酰亞胺、感光劑光刻膠，直到幾個(gè)月前，受傷的雙方才握手言和。
2023-07-27 09:54:55828 
半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解
2023-08-24 10:38:541221 
光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一，是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹(shù)脂三種主要成分組成，是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng)，經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝，將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上，是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674 
光刻是半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一，決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%，占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材，其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:24359 
光刻膠在未曝光之前是一種黏性流體，不同種類(lèi)的光刻膠具有不同的黏度。黏度是光刻膠的一項(xiàng)重要指標(biāo)。那么光刻膠的黏度為什么重要？黏度用什么表征？哪些光刻膠算高黏度，哪些算低黏度呢？
2023-11-13 18:14:11571 
為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠，需要高純度的配方原料，例如光刻樹(shù)脂，溶劑PGMEA…此外，生產(chǎn)過(guò)程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測(cè)也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如，2019年，某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染，導(dǎo)致上萬(wàn)片12吋晶圓報(bào)廢
2023-11-27 17:15:48550 近期，萬(wàn)潤(rùn)股份在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)透露，其“年產(chǎn)65噸半導(dǎo)體用光刻膠樹(shù)脂系列”項(xiàng)目已經(jīng)順利投入運(yùn)營(yíng)。該項(xiàng)目旨在為客戶提供專業(yè)的半導(dǎo)體用光刻膠樹(shù)脂類(lèi)材料。
2023-12-12 14:02:58328 光刻膠類(lèi)別的多樣化，此次漲價(jià)案所涉KrF光刻膠屬于高階防護(hù)用品，也是未來(lái)各地廠家的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。當(dāng)前市場(chǎng)中，光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)及東進(jìn)半導(dǎo)體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408 光刻膠主要下游應(yīng)用包括：顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等，其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用，占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%，是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:21346 
光刻膠又稱光致抗蝕劑，是指通過(guò)紫外光、電子束、離子束、X射線等的照射或輻射，其溶解度發(fā)生變化的耐蝕劑刻薄膜材料，是半導(dǎo)體制造中使用的核心電子材料之一。伴隨著晶圓制造規(guī)模持續(xù)提升，中國(guó)有望承接半導(dǎo)體
2024-01-19 08:31:24340 
光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料，可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
2024-03-04 17:19:18399
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