干法刻蝕去除光刻膠的技術
光刻膠在做完后續(xù)成形工藝之后，PR就不需要了，而且還要去除的很干凈，減少多后續(xù)工藝的影響。
去除光刻膠的方法主要有干法和濕法，濕法是主流，但是對于一些ICP或者離子注入工藝后發(fā)生“硬化”的光刻膠，濕法就會出現(xiàn)去膠不干凈的情況。
因此就有了干法刻蝕去除光刻膠的技術，從20世紀70年代末開始，干法工藝采用灰化Ashing來去除光刻膠。
灰化，簡單的理解就是用氧氣把光刻膠燃燒掉，光刻膠的基本成分是碳氫有機物，在射頻或微波作用下，氧氣電離成氧原子并與光刻膠發(fā)生化學反應，生成一氧化碳，二氧化碳和水等，再通過泵被真空抽走，完成光刻膠的去除。
在干法去除機中，等離子體由微波，射頻和UV臭氧源共同作用產(chǎn)生。
也有用CF4的。
工藝條件也和設備不同有關，一般處理10min~20分鐘，根據(jù)產(chǎn)品特性而定，
有時候也先用干法刻蝕去膠再用濕法去膠清洗。
但是有時候還是不能去除干凈，就只能用笨方法擦了，大家有什么好方法也可以互相交流。
審核編輯 ：李倩
聲明：本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人，不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用，如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題，請聯(lián)系本站處理。
舉報投訴
-
光刻膠
+關注
關注
10文章
321瀏覽量
30307 -
刻蝕
+關注
關注
2文章
192瀏覽量
13164
原文標題：如何去除光刻膠
文章出處：【微信號：dingg6602，微信公眾號：芯片工藝技術】歡迎添加關注！文章轉載請注明出處。
發(fā)布評論請先 登錄
相關推薦
微流控中的烘膠技術
一、烘膠技術在微流控中的作用 提高光刻膠穩(wěn)定性 在 微流控芯片 制作過程中，光刻膠經(jīng)過顯影后，進行烘膠（堅膜）能使
干法刻蝕時側壁為什么會彎曲
離子轟擊的不均勻性 干法刻蝕通常是物理作用和化學作用相結合的過程，其中離子轟擊是重要的物理刻蝕手段。在刻蝕過程中，離子的入射角和能量分布可能不均勻. 如果離子入射角在側壁的不同位置存在差異，那么
芯片制造中的濕法刻蝕和干法刻蝕
”工藝則是在圖形化掩膜（多為光刻膠）的幫助下，通過各種復雜的物理和化學作用將被刻蝕材料層特定位置的材料去除或改性，實現(xiàn)對被刻蝕材料層的精細加工和雕刻。
干法刻蝕側壁彎曲的原因及解決方法
彎曲？? 1，離子從光刻膠掩模邊緣散射，以特定角度進入刻蝕區(qū)域，導致側壁形貌的偏差。這種散射取決于掩模的傾斜角度，如果角度較大，散射更顯著。 ? 2，離子在鞘層中的散射：如果工藝壓力過高，在等離子體鞘層中，離子的碰撞和散射頻
晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響
本文介紹晶圓表面溫度對干法刻蝕的影響 表面溫度對干法刻蝕的影響主要包括：聚合物沉積，選擇性，光刻膠流動、產(chǎn)物揮發(fā)性與刻蝕速率，表面形貌等。 ? 聚合物沉積?：工藝過程中產(chǎn)生的聚合物會在
干法刻蝕工藝的不同參數(shù)
? ? ? 本文介紹了干法刻蝕工藝的不同參數(shù)。 干法刻蝕中可以調(diào)節(jié)的工藝參數(shù)有哪些？各有什么作用？ 1，溫度：晶圓表面溫度，溫度梯度 晶圓表面溫度：控制刻蝕表面的化學反應速率和產(chǎn)物的揮發(fā)性 溫度梯度
一文看懂光刻膠的堅膜工藝及物理特性和常見光刻膠
共讀好書關于常用光刻膠型號也可以查看這篇文章：收藏！常用光刻膠型號資料大全，幾乎包含所有芯片用光刻膠歡迎掃碼添加小編微信掃碼加入知識星球，領取公眾號資料
如何成功的烘烤微流控SU-8光刻膠？
在微流控PDMS芯片加工的過程中，需要使用烘膠臺或者烤膠設備對SU-8光刻膠或PDMS聚合物進行烘烤。SU-8光刻膠的烘烤通常需要進行2-3次。本文簡要介紹SU-8
光刻膠的硬烘烤技術
根據(jù)光刻膠的應用工藝，我們可以采用適當?shù)姆椒▽σ扬@影的光刻膠結構進行處理以提高其化學或物理穩(wěn)定性。通常我們可以采用烘烤步驟來實現(xiàn)整個光刻膠結構的熱交聯(lián)，稱為硬烘烤或者堅膜。或通過低劑量紫外線輻照
光刻膠后烘技術
后烘是指（post exposure bake-PEB）是指在曝光之后的光刻膠膜的烘烤過程。由于光刻膠膜還未顯影，也就是說還未閉合，PEB也可以在高于光刻膠軟化溫度的情況下進行。前面的文章中我們在
光刻膠的保存和老化失效
我們在使用光刻膠的時候往往關注的重點是光刻膠的性能，但是有時候我們會忽略光刻膠的保存和壽命問題，其實這個問題應該在我們購買光刻膠前就應該提出并規(guī)劃好。并且，在
一文讀懂半導體工藝制程的光刻膠
光刻膠按照種類可以分為正性的、負性的。正膠受到紫外光照射的部分在顯影時被去除，負膠受到紫外光曝光的地方在顯影后被留下。
關于光刻膠的關鍵參數(shù)介紹
與正光刻膠相比，電子束負光刻膠會形成相反的圖案。基于聚合物的負型光刻膠會在聚合物鏈之間產(chǎn)生鍵或交聯(lián)。未曝光的光刻膠在顯影過程中溶解，而曝光的光刻膠
工商網(wǎng)監(jiān)
評論