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電子發(fā)燒友網(wǎng)>今日頭條>半導(dǎo)體光刻是什么

半導(dǎo)體光刻是什么

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想問(wèn)一下,半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備,比如探針臺(tái)有沒(méi)有用到,具體要求是那些,
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2024-03-06 14:28:5062

ASML光刻機(jī)技術(shù)的領(lǐng)航者,挑戰(zhàn)與機(jī)遇并存

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2024-03-05 11:26:00123

光刻膠和光刻機(jī)的區(qū)別

光刻膠是一種涂覆在半導(dǎo)體器件表面的特殊液體材料,可以通過(guò)光刻機(jī)上的模板或掩模來(lái)進(jìn)行曝光。
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什么是N型單導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體

N型單導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體是兩種不同類型的半導(dǎo)體材料,它們具有不同的電子特性和導(dǎo)電能力。
2024-02-06 11:02:18319

瑞紅集成電路高端光刻膠總部落戶吳中

據(jù)吳中發(fā)布的最新消息,簽約項(xiàng)目涵蓋了瑞紅集成電路高端光刻膠總部項(xiàng)目,該項(xiàng)投資高達(dá)15億元,旨在新建半導(dǎo)體光刻膠及其配套試劑的生產(chǎn)基地。
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mos管的工作原理及特性是什么

半導(dǎo)體材料構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu),具有高輸入阻抗、低噪聲、高速開(kāi)關(guān)等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于數(shù)字電路、模擬電路、功率放大器等領(lǐng)域。 在一個(gè)低摻雜濃度的P型半導(dǎo)體硅襯底上,通過(guò)半導(dǎo)體光刻和擴(kuò)散工藝,制作兩個(gè)高摻雜濃度的N+區(qū),并用金屬鋁引出兩個(gè)電極,分別作為漏極D和源極S。接著,在漏極和源極之間的P型
2024-01-18 16:49:38214

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比利時(shí)納米電子創(chuàng)新中心imec和日本化學(xué)公司三井化學(xué)宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,將下一代EUV半導(dǎo)體光刻系統(tǒng)的關(guān)鍵組件商業(yè)化。
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光刻膠分類與市場(chǎng)結(jié)構(gòu)

光刻膠主要下游應(yīng)用包括:顯示屏制造、印刷電路板生產(chǎn)、半導(dǎo)體制造等,其中顯示屏是光刻膠最大的下游應(yīng)用,占比30%。光刻膠在半導(dǎo)體制造應(yīng)用占比24%,是第三達(dá)應(yīng)用場(chǎng)景。
2024-01-03 18:12:21346

光束整形的常見(jiàn)方法

光束整形(Beam Shaping)是一種利用光束控制技術(shù)來(lái)改變光束的形狀和特性的過(guò)程。隨著激光技術(shù)的不斷發(fā)展,激光的應(yīng)用也越來(lái)越廣泛,但是在半導(dǎo)體光刻、激光印刷、激光加工、光學(xué)信息處理等領(lǐng)域
2023-12-29 13:45:08313

芯片和半導(dǎo)體有什么區(qū)別

芯片和半導(dǎo)體有什么區(qū)別? 芯片和半導(dǎo)體是信息技術(shù)領(lǐng)域中兩個(gè)重要的概念。在理解它們之前,我們需要首先了解什么是半導(dǎo)體半導(dǎo)體是一種介于導(dǎo)體和絕緣體之間的材料。在半導(dǎo)體中,電流的傳導(dǎo)主要是由電子和空穴
2023-12-25 14:04:451457

半導(dǎo)體分為哪幾種類型 怎么判斷p型半導(dǎo)體 p型半導(dǎo)體如何導(dǎo)電

半導(dǎo)體分為哪幾種類型 怎么判斷p型半導(dǎo)體 p型半導(dǎo)體如何導(dǎo)電? 半導(dǎo)體是一種具有介于導(dǎo)體和絕緣體之間特性的物質(zhì),其導(dǎo)電性能可以通過(guò)控制雜質(zhì)的加入而改變。半導(dǎo)體可以分為兩種類型:p型半導(dǎo)體和n型半導(dǎo)體
2023-12-19 14:03:481388

半導(dǎo)體封裝的分類和應(yīng)用案例

在本系列第二篇文章中,我們主要了解到半導(dǎo)體封裝的作用。這些封裝的形狀和尺寸各異,保護(hù)和連接脆弱集成電路的方法也各不相同。在這篇文章中,我們將帶您了解半導(dǎo)體封裝的不同分類,包括制造半導(dǎo)體封裝所用材料的類型、半導(dǎo)體封裝的獨(dú)特制造工藝,以及半導(dǎo)體封裝的應(yīng)用案例。
2023-12-14 17:16:52442

光刻膠價(jià)格上漲,韓國(guó)半導(dǎo)體公司壓力增大

光刻膠類別的多樣化,此次漲價(jià)案所涉KrF光刻膠屬于高階防護(hù)用品,也是未來(lái)各地廠家的競(jìng)爭(zhēng)焦點(diǎn)。當(dāng)前市場(chǎng)中,光刻膠主要由東京大賀工業(yè)、杜邦、JSR、信越化學(xué)、住友化學(xué)及東進(jìn)半導(dǎo)體等大型制造商掌控。
2023-12-14 15:20:36408

n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體在導(dǎo)電機(jī)制上有何不同?

n型半導(dǎo)體和p型半導(dǎo)體之間的主要區(qū)別在于它們的載流子類型和濃度。
2023-12-13 11:12:32804

n型p型半導(dǎo)體與本征半導(dǎo)體相比有什么特點(diǎn)?

本征半導(dǎo)體:本征半導(dǎo)體主要由價(jià)電子和空穴組成。在常溫下,自由電子和空穴的數(shù)量很少,因此它的導(dǎo)電能力比較微弱。另外,本征半導(dǎo)體的載流子濃度與溫度密切相關(guān),具有熱敏、光敏特性。
2023-12-13 11:10:05619

哪些因素會(huì)給半導(dǎo)體器件帶來(lái)靜電呢?

根據(jù)不同的誘因,常見(jiàn)的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體,機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。 當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí),設(shè)備由于放電而發(fā)生充電,設(shè)備接地,放電電流將立即流過(guò)電路,導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54

萬(wàn)潤(rùn)股份在半導(dǎo)體制造材料領(lǐng)域穩(wěn)步推進(jìn),涉足光刻膠單體、PI等業(yè)務(wù)

近期,萬(wàn)潤(rùn)股份在接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)透露,其“年產(chǎn)65噸半導(dǎo)體用光刻膠樹(shù)脂系列”項(xiàng)目已經(jīng)順利投入運(yùn)營(yíng)。該項(xiàng)目旨在為客戶提供專業(yè)的半導(dǎo)體用光刻膠樹(shù)脂類材料。
2023-12-12 14:02:58328

艾森半導(dǎo)體成功上市!開(kāi)盤(pán)漲超114%,募資6.18億擴(kuò)產(chǎn)半導(dǎo)體材料

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/劉靜)12月6日,半導(dǎo)體材料領(lǐng)域又一家優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)企業(yè)在科創(chuàng)板成功上市。作為一家半導(dǎo)體材料商,江蘇艾森半導(dǎo)體材料股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱:艾森半導(dǎo)體)自2010年成立以來(lái),抓住
2023-12-07 00:11:002226

半導(dǎo)體制造之光刻工藝講解

光刻工藝就是把芯片制作所需要的線路與功能做出來(lái)。利用光刻機(jī)發(fā)出的光通過(guò)具有圖形的光罩對(duì)涂有光刻膠的薄片曝光,光刻膠見(jiàn)光后會(huì)發(fā)生性質(zhì)變化,從而使光罩上得圖形復(fù)印到薄片上,從而使薄片具有電子線路圖的作用
2023-12-04 09:17:241334

[半導(dǎo)體前端工藝:第三篇] 光刻——半導(dǎo)體電路的繪制

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2023-11-29 11:25:52242

不僅需要***,更需要光刻

為了生產(chǎn)高純度、高質(zhì)量的光刻膠,需要高純度的配方原料,例如光刻樹(shù)脂,溶劑PGMEA…此外,生產(chǎn)過(guò)程中的反應(yīng)釜鍍膜和金屬析出污染監(jiān)測(cè)也是至關(guān)重要的控制環(huán)節(jié)。例如,2019年,某家半導(dǎo)體制造公司由于光刻膠受到光阻原料的污染,導(dǎo)致上萬(wàn)片12吋晶圓報(bào)廢
2023-11-27 17:15:48550

半導(dǎo)體后端工藝:】第一篇了解半導(dǎo)體測(cè)試

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2023-11-24 16:11:50484

中國(guó)半導(dǎo)體制造設(shè)備進(jìn)口額大漲93%:來(lái)自荷蘭進(jìn)口額暴漲超6倍

就國(guó)別來(lái)看,來(lái)自荷蘭的進(jìn)口額暴漲了超過(guò)6倍。預(yù)估其中大部分為荷蘭光刻機(jī)龍頭艾ASML的光刻機(jī)產(chǎn)品。來(lái)自日本的半導(dǎo)體設(shè)備進(jìn)口額成長(zhǎng)約40%、來(lái)自美國(guó)的進(jìn)口額則僅增長(zhǎng)20%。
2023-11-22 17:09:02419

鼎龍(仙桃)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園投產(chǎn)

據(jù)鼎龍控股集團(tuán)消息,鼎龍(仙桃)半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園區(qū)占地218畝,建筑面積11.5萬(wàn)平方米,項(xiàng)目總投資約10億元人民幣。經(jīng)過(guò)15個(gè)月的建設(shè),同時(shí)進(jìn)入千噸級(jí)半導(dǎo)體oled面板光刻膠(pspi)、萬(wàn)噸級(jí)cmp拋光液(slurry)和萬(wàn)噸級(jí)cmp拋光液用納米粒子研磨法等
2023-11-17 10:56:40694

半導(dǎo)體材料檢測(cè)有哪些種類?測(cè)試半導(dǎo)體材料有哪些方法?

半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件與集成電路的基礎(chǔ)電子材料。隨著技術(shù)的發(fā)展以及市場(chǎng)要求的不斷提高,對(duì)于半導(dǎo)體材料的要求也越來(lái)越高。因此對(duì)于半導(dǎo)體材料的測(cè)試要求和準(zhǔn)確性也隨之提高,防止由于其缺陷和特性而影響半導(dǎo)體器件的性能。
2023-11-10 16:02:30690

匯芯半導(dǎo)體突破功率半導(dǎo)體芯片“卡脖子”技術(shù)

站在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的時(shí)代風(fēng)口,來(lái)自佛山的科創(chuàng)力量正在崛起,力合科創(chuàng)(佛山)科技園投資企業(yè)——廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司(下稱“匯芯半導(dǎo)體”)就是其中一個(gè)代表。
2023-11-10 09:58:50459

顛覆性技術(shù)!半導(dǎo)體行業(yè)再放大招!

顛覆性技術(shù)!半導(dǎo)體行業(yè)再放大招! 近日,日本佳能官方發(fā)布 納米壓印(NIL)半導(dǎo)體制造設(shè)備 未來(lái),或?qū)⑻娲鶤SML光刻機(jī) 成為更低成本的芯片制造設(shè)備! 要知道,半導(dǎo)體是目前全球經(jīng)濟(jì)的核心,在中國(guó)
2023-11-08 15:57:14200

功率半導(dǎo)體類型有哪些

功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件,主要用作電路和系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)或整流器。如今,功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類活動(dòng)的各個(gè)行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體,電動(dòng)汽車(chē)包括功率半導(dǎo)體,飛機(jī)和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體
2023-11-07 10:54:05459

半導(dǎo)體制造領(lǐng)域光刻膠的作用和意義

光刻半導(dǎo)體加工中最重要的工藝之一,決定著芯片的性能。光刻占芯片制造時(shí)間的40%-50%,占其總成本的30%。光刻膠是光刻環(huán)節(jié)關(guān)鍵耗材,其質(zhì)量和性能與電子器件良品率、器件性能可靠性直接相關(guān)。
2023-10-26 15:10:24359

半導(dǎo)體電子器件通用測(cè)試機(jī)

  一 F-200A-60V 半導(dǎo)體器件測(cè)試機(jī)專為以下測(cè)試需求研制: 二 技術(shù)參數(shù)
2023-10-12 15:38:30

半導(dǎo)體制造之光刻原理、工藝流程

光刻膠作為影響光刻效果核心要素之一,是電子產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵材料。光刻膠由溶劑、光引發(fā)劑和成膜樹(shù)脂三種主要成分組成,是一種具有光化學(xué)敏感性的混合液體。其利用光化學(xué)反應(yīng),經(jīng)曝光、顯影等光刻工藝,將所需要的微細(xì)圖形從掩模版轉(zhuǎn)移到待加工基片上,是用于微細(xì)加工技術(shù)的關(guān)鍵性電子化學(xué)品。
2023-10-09 14:34:491674

關(guān)于光刻技術(shù)的五大分類

光刻是通過(guò)一系列操作,除去外延片表面特定部分的工藝,在半導(dǎo)體器件和集成電路制作中起到極為關(guān)鍵的作用。
2023-10-08 10:11:23696

半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性

一、半導(dǎo)體有關(guān)概念 1、半導(dǎo)體 半導(dǎo)體是導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的一種物體。它內(nèi)部運(yùn)載電荷的粒子有電子載流子(帶負(fù)電荷的自由電子)和空穴載流子(帶正電荷的空穴)。硅、鍺、硒以及大多數(shù)金屬氧化物
2023-09-26 11:00:331127

半導(dǎo)體芯片的制作和封裝資料

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是半導(dǎo)體芯片的制作和半導(dǎo)體芯片封裝的詳細(xì)資料概述
2023-09-26 08:09:42

在n型半導(dǎo)體中什么是多數(shù)載流子?

在n型半導(dǎo)體中什么是多數(shù)載流子?? 在半導(dǎo)體物理學(xué)領(lǐng)域中,多數(shù)載流子(Majority carrier)是指在半導(dǎo)體材料中數(shù)量最多的帶電粒子。在n型半導(dǎo)體中,多數(shù)載流子是負(fù)電子,在p型半導(dǎo)體中,多數(shù)
2023-09-19 15:57:042483

意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)2023

▌峰會(huì)簡(jiǎn)介第五屆意法半導(dǎo)體工業(yè)峰會(huì)即將啟程,現(xiàn)我們敬邀您蒞臨現(xiàn)場(chǎng),直擊智能熱點(diǎn),共享前沿資訊,通過(guò)意法半導(dǎo)體核心技術(shù),推動(dòng)加快可持續(xù)發(fā)展計(jì)劃,實(shí)現(xiàn)突破性創(chuàng)新~報(bào)名鏈接:https
2023-09-11 15:43:36

用于高密度和高效率電源設(shè)計(jì)的意法半導(dǎo)體WBG解決方案

意法半導(dǎo)體擁有最先進(jìn)的平面工藝,并且會(huì)隨著G4不斷改進(jìn):? 導(dǎo)通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設(shè)計(jì)簡(jiǎn)單性、可靠性、經(jīng)驗(yàn)…? 適用于汽車(chē)的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00

半導(dǎo)體芯片為什么要在真空下進(jìn)行

,在半導(dǎo)體芯片制造過(guò)程中,需要保證高質(zhì)量和高效率,而真空環(huán)境的應(yīng)用在半導(dǎo)體芯片制造中已然成為了必須進(jìn)行的環(huán)節(jié)。 半導(dǎo)體芯片有兩個(gè)主要的制造過(guò)程,一個(gè)是前期的光刻和沉積,另一個(gè)是晶圓清洗和烘干。在這兩個(gè)制造過(guò)程中,真空
2023-09-07 16:04:271038

半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的重要特征

半導(dǎo)體區(qū)別于導(dǎo)體的重要特征? 半導(dǎo)體導(dǎo)體是電子領(lǐng)域中的兩個(gè)重要概念,它們雖然有些相似,但是在性質(zhì)、應(yīng)用和制造過(guò)程等方面都有重要的區(qū)別。本文將詳細(xì)介紹半導(dǎo)體導(dǎo)體的重要特征,以及它們之間的區(qū)別
2023-08-27 15:55:122667

半導(dǎo)體制造工藝之光刻工藝詳解

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2023-08-24 10:38:541221

什么是光刻工藝?光刻的基本原理

光刻半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)流程中最復(fù)雜、最關(guān)鍵的工藝步驟,耗時(shí)長(zhǎng)、成本高。半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)的難點(diǎn)和關(guān)鍵點(diǎn)在于將電路圖從掩模上轉(zhuǎn)移至硅片上,這一過(guò)程通過(guò)光刻來(lái)實(shí)現(xiàn), 光刻的工藝水平直接決定芯片的制程水平和性能水平。
2023-08-23 10:47:531586

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?

先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣?
2023-08-08 14:56:29

EUV光刻市場(chǎng)高速增長(zhǎng),復(fù)合年增長(zhǎng)率21.8%

EUV掩膜,也稱為EUV掩模或EUV光刻掩膜,對(duì)于極紫外光刻(EUVL)這種先進(jìn)光刻技術(shù)至關(guān)重要。EUV光刻是一種先進(jìn)技術(shù),用于制造具有更小特征尺寸和增強(qiáng)性能的下一代半導(dǎo)體器件。
2023-08-07 15:55:02396

什么是半導(dǎo)體材料?半導(dǎo)體材料的發(fā)展之路

半導(dǎo)體材料是制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料,是半導(dǎo)體工業(yè)的基礎(chǔ)。利用半導(dǎo)體材料制作的各種各樣的半導(dǎo)體器件和集成電路,促進(jìn)了現(xiàn)代信息社會(huì)的飛速發(fā)展。
2023-08-07 10:22:031979

#半導(dǎo)體

半導(dǎo)體
固晶焊線AOI設(shè)備—尹先生發(fā)布于 2023-08-03 10:46:53

研華工控機(jī)ARK-3532:研華邊緣計(jì)算解決方案助力半導(dǎo)體設(shè)備升級(jí)

增加。 某業(yè)內(nèi)日本半導(dǎo)體設(shè)備制造廠商,正在研發(fā)一種用于300mm和200mm晶元先進(jìn)封裝工藝的新型半導(dǎo)體光刻機(jī)。半導(dǎo)體光刻系統(tǒng)的設(shè)計(jì),用于處理半導(dǎo)體封裝工藝中的扇出面板級(jí)封裝(FOPLP)。這種新型半導(dǎo)體光刻系統(tǒng),需要多臺(tái)可靠的高端邊緣計(jì)算機(jī)作為支
2023-08-01 13:46:18299

什么是MOS管?MOS管的特點(diǎn)有哪些?

場(chǎng)效應(yīng)管中的絕緣柵型。因此,MOS管有時(shí)被稱為絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)管。在一般電子電路中,MOS管通常被用于放大電路或開(kāi)關(guān)電路。 1、MOS管的構(gòu)造 在一塊摻雜濃度較低的P型半導(dǎo)體硅襯底上,用半導(dǎo)體光刻、擴(kuò)散工藝制作
2023-08-01 09:59:068415

次時(shí)代EUV光刻已箭在弦上!

半導(dǎo)體技術(shù)的未來(lái)通常是通過(guò)光刻設(shè)備的鏡頭來(lái)看待的,盡管高度挑戰(zhàn)性的技術(shù)問(wèn)題幾乎永無(wú)休止,但光刻設(shè)備仍繼續(xù)為未來(lái)的工藝節(jié)點(diǎn)提供更好的分辨率。
2023-07-28 17:41:161130

半導(dǎo)體光刻工藝 光刻半導(dǎo)體電路的繪制

金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的革命,讓我們可以在相同面積的晶圓上同時(shí)制造出更多晶體管。
2023-07-27 15:24:51609

半導(dǎo)體制造會(huì)被日本斷血嗎?

日本在半導(dǎo)體界一直以設(shè)備和材料笑傲群雄,2019年一則禁令一度扼住韓國(guó)半導(dǎo)體喉嚨,涉及材料包括高純氟化氫、氟聚酰亞胺、感光劑光刻膠,直到幾個(gè)月前,受傷的雙方才握手言和。
2023-07-27 09:54:55828

半導(dǎo)體后端工藝:了解半導(dǎo)體測(cè)試(上)

半導(dǎo)體制作工藝可分為前端和后端:前端主要是晶圓制作和光刻(在晶圓上繪制電路);后端主要是芯片的封裝。
2023-07-24 15:46:05905

***和半導(dǎo)體有什么關(guān)系

IRDS路線圖光刻委員會(huì)主席、廈門(mén)大學(xué)嘉庚創(chuàng)新實(shí)驗(yàn)室產(chǎn)業(yè)運(yùn)營(yíng)平臺(tái)科技總監(jiān),廈門(mén)大學(xué)半導(dǎo)體科學(xué)與技術(shù)學(xué)院客座教授Mark Neisser對(duì)光刻技術(shù)與半導(dǎo)體路線之間的關(guān)系進(jìn)行了詳細(xì)解讀。
2023-07-24 09:58:20927

ALD是什么?半導(dǎo)體制造的基本流程

半導(dǎo)體制造過(guò)程中,每個(gè)半導(dǎo)體元件的產(chǎn)品都需要經(jīng)過(guò)數(shù)百道工序。這些工序包括前道工藝和后道工藝,前道工藝是整個(gè)制造過(guò)程中最為重要的部分,它關(guān)系到半導(dǎo)體芯片的基本結(jié)構(gòu)和特性的形成,涉及晶圓制造、沉積、光刻、刻蝕等步驟,技術(shù)難點(diǎn)多,操作復(fù)雜。
2023-07-11 11:25:552897

塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī)

 簡(jiǎn)介:蘇州鐳拓激光科技有限公司智能化一站式激光設(shè)備供應(yīng)商,多款高精度塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī),咨詢塑料激光焊接機(jī)多少錢(qián),歡迎聯(lián)系蘇州鐳拓激光!產(chǎn)品描述:品名:塑料半導(dǎo)體激光焊接機(jī)品牌:鐳拓
2023-07-06 16:24:04

半導(dǎo)體工藝之金屬互連工藝

半導(dǎo)體同時(shí)具有“導(dǎo)體”的特性,因此允許電流通過(guò),而絕緣體則不允許電流通過(guò)。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中,使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實(shí)際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。 重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會(huì)在
2023-07-03 10:21:572170

荷蘭實(shí)施半導(dǎo)體出口管制 ASML***DUV系統(tǒng)需要許可證

荷蘭實(shí)施半導(dǎo)體出口管制 ASML光刻機(jī)DUV系統(tǒng)需要許可證 芯片戰(zhàn)愈演愈烈。荷蘭正式實(shí)施半導(dǎo)體出口管制條款,這將對(duì)光刻機(jī)巨頭阿斯麥(ASML)產(chǎn)生更多影響。ASML的EUV光刻系統(tǒng)在此前已經(jīng)
2023-07-01 17:38:19669

淺談半導(dǎo)體制造中的光刻工藝

在之前的文章里,我們介紹了晶圓制造、氧化過(guò)程和集成電路的部分發(fā)展史。現(xiàn)在,讓我們繼續(xù)了解光刻工藝,通過(guò)該過(guò)程將電子電路圖形轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻過(guò)程與使用膠片相機(jī)拍照非常相似。但是具體是怎么實(shí)現(xiàn)的呢?
2023-06-28 10:07:472427

***的崛起

半導(dǎo)體光刻是生產(chǎn)計(jì)算機(jī)芯片的制造工藝,已有 70 年的歷史。它的起源故事很簡(jiǎn)單,但今天的過(guò)程卻很復(fù)雜:這項(xiàng)技術(shù)始于 20 世紀(jì) 50 年代中期,當(dāng)時(shí)一位名叫杰伊·拉斯羅普 (Jay Lathrop) 的物理學(xué)家將顯微鏡中的鏡頭倒置。
2023-06-27 17:15:40699

日本與荷蘭簽署半導(dǎo)體合作備忘錄

euv極紫外光刻機(jī)是目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造設(shè)備,用于7納米以下工程的半導(dǎo)體制造。荷蘭對(duì)這種尖端設(shè)備實(shí)施出口控制,限制對(duì)中國(guó)的出口。據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》報(bào)道,日本和荷蘭決定一致控制尖端產(chǎn)品制造設(shè)備的出口是在美國(guó)的壓力下做出的決定。
2023-06-26 10:28:08396

與EUV相比,這一光刻技術(shù)更具發(fā)展?jié)摿?/a>

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)

GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13

突破氮化鎵功率半導(dǎo)體的速度限制

突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49

10.2 GaAs半導(dǎo)體材料(中)

半導(dǎo)體
jf_75936199發(fā)布于 2023-06-24 18:48:06

光刻中承上啟下的半導(dǎo)體掩膜版

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在上游的半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)中,除了光刻機(jī)等設(shè)備外,光刻膠、掩膜版等材料也是決定晶圓質(zhì)量與良率的關(guān)鍵因素。就拿掩膜版來(lái)說(shuō),這個(gè)承載設(shè)計(jì)圖形的材料,經(jīng)過(guò)曝光后將圖形信息轉(zhuǎn)移到
2023-06-22 01:27:001984

半橋GaN功率半導(dǎo)體應(yīng)用設(shè)計(jì)

升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21

2022年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷(xiāo)售額增長(zhǎng)8.9%,中國(guó)大陸排名第二

的“動(dòng)蕩”。 ? 按應(yīng)用環(huán)節(jié)來(lái)劃分,半導(dǎo)體材料可分為前端晶圓制造材料和后端封裝材料兩大類。前端晶圓制造材料包括:硅片、電子氣體、光刻膠、光掩膜版、CMP材料、靶材等;后端封裝材料包括封裝基板、引線框架、陶瓷材料、切割材
2023-06-20 01:21:003728

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用

GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42

GaNFast功率半導(dǎo)體建模資料

GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27

半導(dǎo)體拉力測(cè)試儀半導(dǎo)體芯片推拉力測(cè)試機(jī)

半導(dǎo)體
力標(biāo)精密設(shè)備發(fā)布于 2023-06-17 17:35:00

半導(dǎo)體制冷器應(yīng)用--半導(dǎo)體冷凍治療儀

半導(dǎo)體冷凍治療儀利用半導(dǎo)體制冷組件產(chǎn)生的低溫來(lái)治療疾病,是近年來(lái)發(fā)展較快的物理治療設(shè)備。它具有溫控精確、功耗低、體積小等優(yōu)點(diǎn),在康復(fù)治療領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景。半導(dǎo)體冷凍治療儀包括治療儀本體、半導(dǎo)體
2023-06-12 09:29:18700

半導(dǎo)體制備的主要方法

光刻法是微電子工藝中的核心技術(shù)之一,常用于形成半導(dǎo)體設(shè)備上的微小圖案。過(guò)程開(kāi)始于在硅片上涂布光刻膠,隨后對(duì)其進(jìn)行預(yù)熱。接著,選擇一種光源(如深紫外光或X光)透過(guò)預(yù)先設(shè)計(jì)好的掩模圖案照射在硅片
2023-06-09 11:36:522037

半導(dǎo)體企業(yè)如何決勝2023秋招?

根據(jù)中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書(shū)數(shù)據(jù)來(lái)看,目前行業(yè)內(nèi)從業(yè)人員僅46w左右,人才缺口仍有30w之 巨 。在國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展的當(dāng)下,定位、搶奪優(yōu)質(zhì)人才是企業(yè)未來(lái)長(zhǎng)期發(fā)展的基石。 那么每年秋招就是贏得
2023-06-01 14:52:23

半導(dǎo)體內(nèi)部電路

半導(dǎo)體
YS YYDS發(fā)布于 2023-05-28 12:30:39

半導(dǎo)體領(lǐng)域集成微多孔透氣膜材料應(yīng)用介紹

近日,深圳國(guó)際半導(dǎo)體展覽會(huì)在深圳會(huì)展中心舉行,展示以芯片設(shè)計(jì)及制造、集成電路、封測(cè)、材料及設(shè)備、5G新應(yīng)用、新型顯示為主的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。有眾多光刻機(jī)、晶圓制造、半導(dǎo)體制造、顯示面板制造等設(shè)備廠
2023-05-19 10:11:38490

EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢(shì)及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟,預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來(lái)繼續(xù)推動(dòng)芯片制程的進(jìn)步。
2023-05-18 15:49:041790

2.1 半導(dǎo)體晶體材料

半導(dǎo)體
jf_90840116發(fā)布于 2023-05-08 01:54:54

1.3 半導(dǎo)體材料和分類

半導(dǎo)體
jf_90840116發(fā)布于 2023-05-08 01:50:45

什么是寬禁帶半導(dǎo)體

第95期什么是寬禁帶半導(dǎo)體半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導(dǎo)體是以碳化硅
2023-05-06 10:31:461675

什么是寬禁帶半導(dǎo)體

半導(dǎo)體迄今為止共經(jīng)歷了三個(gè)發(fā)展階段:第一代半導(dǎo)體以硅(Si)、鍺(Ge)為代表;第二代半導(dǎo)體以砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP)等化合物為代表;第三代半導(dǎo)體是以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN
2023-05-05 17:46:226173

金屬布線的工藝為半導(dǎo)體注入生命的連接

經(jīng)過(guò)氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝,晶圓表面會(huì)形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會(huì)讓晶圓表面布滿晶體管和電容(Capacitor);
2023-04-28 10:04:52532

光刻技術(shù)的種類介紹

根據(jù)維基百科的定義,光刻半導(dǎo)體器件制造工藝中的一個(gè)重要步驟,該步驟利用曝光和顯影在光刻膠層上刻畫(huà)幾何圖形結(jié)構(gòu),然后通過(guò)刻蝕工藝將光掩模上的圖形轉(zhuǎn)移到所在襯底上。這里所說(shuō)的襯底不僅包含硅晶圓,還可以是其他金屬層、介質(zhì)層,例如玻璃、SOS中的藍(lán)寶石。
2023-04-25 11:11:331243

半導(dǎo)體工藝之金屬布線工藝介紹

本篇要講的金屬布線工藝,與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨(dú)立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中,光刻、刻蝕等工藝,其實(shí)是為了金屬布線才進(jìn)行的。在金屬布線過(guò)程中,會(huì)采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料(金屬)。
2023-04-25 10:38:49986

光刻技術(shù)簡(jiǎn)述

光刻技術(shù)是將掩模中的幾何形狀的圖案轉(zhuǎn)移到覆蓋在半導(dǎo)體晶片表面的薄層輻射敏感材料(稱為抗蝕劑)上的過(guò)程
2023-04-25 09:55:131057

虹科技術(shù)|半導(dǎo)體制造工藝中的UV-LED光源

半導(dǎo)體行業(yè)借助紫外光譜范圍(i 線:365 nm、h線:405 nm和g線:436 nm)中的高功率輻射在各種光刻、曝光和顯影工藝中創(chuàng)建復(fù)雜的微觀結(jié)構(gòu)
2023-04-24 11:23:281480

試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的?

試述為什么金屬的電阻溫度系數(shù)是正的而半導(dǎo)體的是負(fù)的?
2023-04-23 11:27:04

ASML是如何崛起的?半導(dǎo)體發(fā)展的三個(gè)歷史階段

那時(shí)集成電路也剛剛發(fā)明不久,光刻工藝還在微米級(jí)別,工藝步驟也比現(xiàn)在簡(jiǎn)單很多美國(guó)是走在世界前列的。在那個(gè)對(duì)工藝要求并不高的年代,很多半導(dǎo)體公司通常自己用鏡頭設(shè)計(jì)光刻工具,光刻機(jī)在當(dāng)時(shí)甚至不如照相機(jī)的結(jié)構(gòu)復(fù)雜。
2023-04-20 09:22:331314

全自動(dòng)半導(dǎo)體激光COS測(cè)試機(jī)

全自動(dòng)半導(dǎo)體激光COS測(cè)試機(jī)TC 1000      COS(chip on submount)是主流的半導(dǎo)體激光器封裝形式之一,對(duì)COS進(jìn)行全功能的測(cè)試必不可少
2023-04-13 16:28:40

研究透視:當(dāng)然之極Science-極紫外超透鏡

超快光譜學(xué)和半導(dǎo)體光刻領(lǐng)域皆依賴于非常短的波長(zhǎng),往往在極紫外extreme ultraviolet,EUV波段。然而,大多數(shù)光學(xué)材料強(qiáng)烈地吸收該波長(zhǎng)范圍內(nèi)的光,導(dǎo)致缺乏通常可用的透射部件。
2023-04-12 11:03:53648

泰晶科技攜全系列產(chǎn)品亮相2023(春季)亞洲智能穿戴展

泰晶科技擁有全系列豐富的產(chǎn)品條線,不斷深化半導(dǎo)體光刻工藝應(yīng)用在石英晶體上,推出了32.768kHz K2012/1610音叉晶體,M2016/1612/1210超小尺寸晶體諧振器。
2023-04-03 09:15:55422

恩智浦半導(dǎo)體公司

恩智浦半導(dǎo)體公司 恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。 [1-2] 恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。 [3] 2015
2023-03-27 14:32:00711

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍

GTC 2023 NVIDIA將加速計(jì)算引入半導(dǎo)體光刻 計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍 NVIDIA cuLitho的計(jì)算光刻庫(kù)可以將計(jì)算光刻技術(shù)提速40倍。這對(duì)于半導(dǎo)體制造而言極大的提升了效率。甚至可以說(shuō)
2023-03-23 18:55:377489

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