引言

光刻技術是將掩模中的幾何形狀的圖案轉移到覆蓋在半導體晶片表面的薄層輻射敏感材料（稱為抗蝕劑）上的過程。圖1簡要說明了集成電路制造中所采用的光刻工藝。如圖1(b)所示，輻射通過掩模的透明部分傳輸，使暴露的光刻膠不溶于顯影劑溶液，從而使掩模圖案直接轉移到晶片上。在定義了圖案之后，使用蝕刻處理來選擇性地去除底層的掩蔽部分。

圖1：(a)光刻工藝流程圖. (b)光學復制工藝

圖2：電子束光刻技術中使用的正極抗蝕劑（頂部）和負極抗蝕劑（底部）的化學反應示意圖

電子光刻

電子抗蝕劑是聚合物。對于正電子抗蝕劑，聚合物-電子相互作用會導致鏈斷裂，即化學鍵斷裂（圖2 -頂部）。受輻射的區域可以溶解在一個可以進行攻擊的顯影劑解決方案中低分子量材料。常見的正電子抵抗劑是聚（甲基丙烯酸甲酯），簡稱PMMA，和聚（丁烯-1砜），簡稱PBS。正電子電阻的分辨率通常為0.1μm或更好。（江蘇英思特半導體科技有限公司）

當電子沖擊負電子抗蝕劑時，會誘導聚合物連接（圖2 -底部）。聚（甲基丙烯酸縮水甘油酯-共丙烯酸乙酯），簡稱COP，是一種常見的負電子抗蝕劑。與負光刻膠一樣，COP在顯影過程中膨脹，分辨率限制在1μm左右。

光刻技術的比較

光學光刻是主要的流技術，一些商業可用的電阻可以分辨到0.1m或更低。一般來說，由于光學光刻的分辨率限制，它被認為很難用于遠小于0.1m的設計規則。對于深亞微米結構，剩下的兩種選擇是電子束直接書寫或x射線光刻。（江蘇英思特半導體科技有限公司）

然而，完美的x射線掩模很難制作出來，而且電子光刻的吞吐量也很慢（吞吐量隨最小特征長度的平方的倒數而變化，即lm -2）。對于大規模生產，成本和機器的占地面積（所需占地面積）。

江蘇英思特半導體科技有限公司主要從事濕法制程設備，晶圓清潔設備，RCA清洗機，KOH腐殖清洗機等設備的設計、生產和維護。

審核編輯：湯梓紅