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• 發布了產品 2022-05-23 14:36

  CG2H40035P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產品型號：CG2H40035P 頻率：高達 6 GHz 的操作 PSAT功率：40 W 典型 PSAT PSAT效率：PSAT 的效率為 64%

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• 發布了產品 2022-05-22 22:19

  C3M0065100J碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0065100J 漏源電壓：1000V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-22 21:45

  C3M0280090J碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0280090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-22 21:36

  C3M0120090D碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0120090D 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-22 21:24

  C3M0120090J碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0120090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-22 10:54

  E3M0120090J碳化硅MOSFET

  

  產品型號：E3M0120090J 漏源電壓:：900V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-22 10:42

  C3M0065090J碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0065090J 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-22 10:28

  C3M0065090D碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0065090D 漏源電壓：900V 柵極 源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 源極電壓動態：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-22 10:16

  C3M0030090K碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0030090K 漏源電壓：900V 柵極 -源極電壓靜態：-4/+15V 柵極 -源極電壓靜動：-8/+19V

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• 發布了產品 2022-05-21 22:04

  C3M0120065K碳化硅MOSFET

  

  產品型號：C3M0120065K 漏源電壓：650V 柵極 - 源極電壓：-8/+19V 脈沖漏極電流：51A

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