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發布了產品 2022-05-25 10:16
CGH21120F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板
產品型號：CGH21120F-AMP 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE73瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 10:13
CGH21120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH21120F 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：-35 dBc ACLR，20 W PAVE152瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 10:00
CGH09120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CGH09120F 頻率：UHF – 2.5 GHz 操作 增益：21分貝增益 功率：-38 dBc ACLR，20 W PAVE314瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 09:47
CG2H80120D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H80120D-GP4 PSAT功率：120 W 典型 PSAT 操作電壓：28 伏操作 電壓：高擊穿電壓148瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-25 09:33
CG2H80060D-GP4高電子遷移率晶體管 (HEMT)
產品型號：CG2H80060D-GP4 PSAT功率：60 W 典型 PSAT 操作電壓：28 伏操作 電壓：高擊穿電壓172瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 22:35
C3M0160120J碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0160120J 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態：-4/+15V271瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 22:27
C2M0080120D碳化硅MOSFET
產品型號：C2M0080120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓：-10/+25V 脈沖漏極電流：80A1.3k瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 22:20
C3M0075120K碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0075120K 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19 柵極-源極電壓靜態：-4/+15783瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 22:14
C3M0075120J碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0075120J 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19 柵極-源極電壓靜態：-4/+15409瀏覽量 -
發布了產品 2022-05-24 22:08
C3M0075120D碳化硅MOSFET
產品型號：C3M0075120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態：-8/+19 柵極-源極電壓靜態：-4/+15349瀏覽量
