動態(tài)

• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 21:36

  C3M0350120J碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C3M0350120J 漏源電壓:：1200V 柵極-源極電壓動態(tài)：-8/+19V 柵極-源極電壓靜態(tài)：-4/+15V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 21:23

  C2M0280120D碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C2M0280120D 漏源電壓:：1200V 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 21:16

  C2M0160120D碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C2M0160120D 漏源電壓：1200 柵極 - 源極電壓：-10/+25 柵極 - 源極電壓：-5/+20

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 21:08

  C3M0160120D碳化硅MOSFET

  

  產(chǎn)品型號：C3M0160120D 漏源電壓：1200V 柵極-源極電壓動態(tài)：-8/+19V 柵極-源極電壓動態(tài):：-4/+15V

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:57

  CGH27030S-AMP1氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGH27030S-AMP1 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:56

  CGH27030S氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH27030S 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:54

  CGH27030P高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH27030P 操作頻率：VHF – 3.0 GHz 操作 峰值功率能力：30 W 峰值功率能力 小信號增益：> 15 dB 小信號增益

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:45

  CGH25120F高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH25120F 頻率：2.3 – 2.7 GHz 操作 增益：13分貝增益 PAVE功率：20 W PAVE 時 -32 dBc ACLR

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:32

  CGH21240F-AMP高電子遷移率晶體管 (HEMT)測試板

  

  產(chǎn)品型號：CGH21240F-AMP 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 PAVE功率：40 W PAVE 時 -35 dBc ACLR

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• 發(fā)布了產(chǎn)品 2022-05-25 10:30

  CGH21240F氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT)

  

  產(chǎn)品型號：CGH21240F 頻率：1.8 – 2.3 GHz 操作 增益：15分貝增益 功率：40 W PAVE 時 -35 dBc ACLR

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