--- 產品參數 ---
- 頻率 2.3 – 2.7 GHz 操作
- 增益 13分貝增益
- PAVE功率 20 W PAVE 時 -32 dBc ACLR
- PAVE效率 20 W PAVE 時效率為 30 %
- 應用特性 可應用高度 DPD 校正
--- 產品詳情 ---
CGH25120F 是一種氮化鎵 (GaN) 高電子遷移率晶體管 (HEMT),專為實現高效率而設計;高增益和寬帶寬能力;這使得 CGH25120F 成為 2.3-2.7GHz WiMAX 的理想選擇;LTE 和 BWA 放大器應用。該晶體管采用陶瓷/金屬法蘭封裝。
特征
2.3 – 2.7 GHz 操作
13分貝增益
20 W PAVE 時 -32 dBc ACLR
20 W PAVE 時效率為 30 %
可應用高度 DPD 校正
應用
MC-GSM;WCDMA 和 LTE 放大器
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