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立年電子科技

射頻微波器件、組件一站式服務 國產(chǎn)替代選型

7k 內(nèi)容數(shù) 66w+ 瀏覽量 90 粉絲

C3M0075120D碳化硅MOSFET

型號： C3M0075120D

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 漏源電壓 1200V
  • 柵極-源極電壓動態(tài) -8/+19
  • 柵極-源極電壓靜態(tài) -4/+15
  • 脈沖漏極電流 80A
  • 功耗 136W
  • 工作結(jié)溫和存儲溫度 -40to +175?C
  • 焊接溫度 260?C

--- 產(chǎn)品詳情 ---

C3M0075120D為1200 V 分立碳化硅 MOSFETT。業(yè)內(nèi)最廣泛的 1200 V SiC MOSFET 產(chǎn)品組合。1200 V 碳化硅 (SiC) MOSFET 系列經(jīng)過優(yōu)化，可用于 UPS 等大功率應用；電機控制和驅(qū)動；開關(guān)電源；太陽能和儲能系統(tǒng)；電動汽車充電；高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器；和更多。基于第三代技術(shù)；各種各樣的導通電阻和封裝選項使設(shè)計人員能夠為他們的應用選擇正確的部件。將的 1200 V 碳化硅二極管與碳化硅 MOSFET 配對，為要求苛刻的應用創(chuàng)造了更高效率的強大組合。

C3M0075120D


優(yōu)點
? 更高的系統(tǒng)效率
? 降低冷卻要求
? 提高功率密度
? 提高系統(tǒng)開關(guān)頻率

 

特征
? C3MTM SiC MOSFET 技術(shù)
? 高阻斷電壓和低導通電阻
? 低電容的高速開關(guān)
? 具有低反向恢復 (Qrr) 的快速本征二極管
? 無鹵素，符合 RoHS 標準


應用
? 再生能源
? 電動汽車電池充電器
? 高壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
? 開關(guān)模式電源

相關(guān)型號
C3M0075120D CSD01060A
C3M0075120J C3D02060E
C3M0075120K C3D02060F
C2M0080120D C3D02060A
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C2M0045170P C3D06060F
C2M0045170D C3D06060A
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